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    Micro-Emitter Array Based Full-Color Micro-Display
    1.
    发明申请
    Micro-Emitter Array Based Full-Color Micro-Display 有权
    基于微发射体阵列的全彩显微镜

    公开(公告)号：US20090078955A1

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：US12238642

    申请日：2008-09-26

    申请人： Zhaoyang Fan ,  Jing Li ,  Jingyu Lin ,  Hongxing Jiang

    发明人： Zhaoyang Fan ,  Jing Li ,  Jingyu Lin ,  Hongxing Jiang

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L27/156

    摘要： Disclosed is a semiconductor micro-emitter array for use in a full-color microdisplay. Each pixel includes three vertically-stacked red, green, and blue micro-emitters which minimizes pixel size. The microdisplay may be exclusively based on Group III-nitride semiconductors, with differing indium concentrations in three respective InGaN/GaN active regions for emitting the three RGB colors. Alternatively the microdisplay may be based on hybrid integration of InGaN based III-nitride semiconductors for blue and green emissions, and AlGaInP based (e.g., Group III-V) semiconductors for red emissions.

    摘要翻译： 公开了一种用于全色微显示器的半导体微发射器阵列。 每个像素包括三个垂直堆叠的红色，绿色和蓝色微型发射器，使像素大小最小化。 微显示器可以专门基于III族氮化物半导体，在三个相应的InGaN / GaN有源区域中具有不同的铟浓度用于发射三种RGB颜色。 或者，微显示器可以基于用于蓝色和绿色发射的InGaN基III族氮化物半导体和用于红色发射的AlGaInP（例如III-V族）半导体的混合集成。

    Micro-emitter array based full-color micro-display
    2.
    发明授权
    Micro-emitter array based full-color micro-display 有权
    基于微发射器阵列的全色微显示器

    公开(公告)号：US08058663B2

    公开(公告)日：2011-11-15

    申请号：US12238642

    申请日：2008-09-26

    申请人： Zhaoyang Fan ,  Jing Li ,  Jingyu Lin ,  Hongxing Jiang

    发明人： Zhaoyang Fan ,  Jing Li ,  Jingyu Lin ,  Hongxing Jiang

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L27/156

    摘要： Disclosed is a semiconductor micro-emitter array for use in a full-color microdisplay. Each pixel includes three vertically-stacked red, green, and blue micro-emitters which minimizes pixel size. The microdisplay may be exclusively based on Group III-nitride semiconductors, with differing indium concentrations in three respective InGaN/GaN active regions for emitting the three RGB colors. Alternatively the microdisplay may be based on hybrid integration of InGaN based III-nitride semiconductors for blue and green emissions, and AlGaInP based (e.g., Group III-V) semiconductors for red emissions.

    摘要翻译： 公开了一种用于全色微显示器的半导体微发射器阵列。 每个像素包括三个垂直堆叠的红色，绿色和蓝色微型发射器，使像素大小最小化。 微显示器可以专门基于III族氮化物半导体，在三个相应的InGaN / GaN有源区域中具有不同的铟浓度用于发射三种RGB颜色。 或者，微显示器可以基于用于蓝色和绿色发射的InGaN基III族氮化物半导体和用于红色发射的AlGaInP（例如III-V族）半导体的混合集成。

    III-nitride quantum-well field effect transistors
    5.
    发明申请
    III-nitride quantum-well field effect transistors 审中-公开
    III族氮化物量子阱场效应晶体管

    公开(公告)号：US20050133816A1

    公开(公告)日：2005-06-23

    申请号：US10741268

    申请日：2003-12-19

    申请人： Zhaoyang Fan ,  Jing Li ,  Hongxing Jiang ,  Jingyu Lin

    发明人： Zhaoyang Fan ,  Jing Li ,  Hongxing Jiang ,  Jingyu Lin

    IPC分类号： H01L31/072

    CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

    摘要： A transistor with improved device characteristics includes a substrate, a first buffer layer deposited on the substrate, a highly resistive epilayer deposited on the buffer layer, a second epilayer deposited on the highly resistive epilayer, a channel layer deposited on the second epilayer, an AlGaN alloy epilayer deposited on the channel layer, and source, gate, and drain connections deposited on the AlGaN alloy epilayer. The highly resistive epilayer may include AlGaN, InAlGaN, AlBN, or AlN compositions. The channel layer may include InGaN, graded InGaN, multilayers of InGaN and GaN, or GaN.

    摘要翻译： 具有改进的器件特性的晶体管包括衬底，沉积在衬底上的第一缓冲层，沉积在缓冲层上的高电阻外延层，沉积在高电阻外延层上的第二外延层，沉积在第二外延层上的沟道层，AlGaN 沉积在沟道层上的合金外延层以及沉积在AlGaN合金外延层上的源极，栅极和漏极连接。 高电阻外延层可以包括AlGaN，InAlGaN，AlBN或AlN组合物。 沟道层可以包括InGaN，渐变InGaN，InGaN和GaN的多层或GaN。

    CMOS IC for micro-emitter based microdisplay
    8.
    发明授权
    CMOS IC for micro-emitter based microdisplay 有权
    用于微型发射器的微型显示器的CMOS IC

    公开(公告)号：US09047818B1

    公开(公告)日：2015-06-02

    申请号：US13046725

    申请日：2011-03-12

    申请人： Jacob Day ,  Jing Li ,  Donald Lie ,  Zhaoyang Fan ,  Jingyu Lin ,  Hongxing Jiang

    发明人： Jacob Day ,  Jing Li ,  Donald Lie ,  Zhaoyang Fan ,  Jingyu Lin ,  Hongxing Jiang

    IPC分类号： G06F3/038 ,  G09G3/32

    CPC分类号： G09G3/3233 ,  G09G3/32 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/027 ,  G09G2310/0294

    摘要： An active matrix microdisplay system is provided. The microdisplay system includes an array of micro-emitters. The microdisplay system also includes an array of CMOS driving circuits. Each of the CMOS driving circuits is coupled to a respective micro-emitter for controlling current to each respective micro-emitter. Each driving circuit includes metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) devices, where the MOSFET devices comprise p-type metal-oxide-semiconductors (PMOSs) or n-type metal-oxide-semiconductors (NMOSs).

    摘要翻译： 提供了一种有源矩阵微显示系统。 微显示系统包括微阵列阵列。 微显示系统还包括CMOS驱动电路阵列。 每个CMOS驱动电路耦合到相应的微型发射器，用于控制每个相应的微发射极的电流。 每个驱动电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，其中MOSFET器件包括p型金属氧化物半导体（PMOS）或n型金属氧化物半导体（NMOS）。