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    METHOD OF CLEANING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
    2.
    发明申请
    METHOD OF CLEANING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
    清洗半导体衬底的方法

    公开(公告)号：US20090042388A1

    公开(公告)日：2009-02-12

    申请号：US11836782

    申请日：2007-08-10

    申请人： Zhi-Qiang Sun ,  Tien-Cheng Lan ,  Hua-Kuo Lee ,  Jing-Hao Chen ,  Wen-Chun Huang ,  Run-Shun Wang ,  Jing-Ling Wang ,  Da-Jiang Yang ,  Chee-Siang Ong

    发明人： Zhi-Qiang Sun ,  Tien-Cheng Lan ,  Hua-Kuo Lee ,  Jing-Hao Chen ,  Wen-Chun Huang ,  Run-Shun Wang ,  Jing-Ling Wang ,  Da-Jiang Yang ,  Chee-Siang Ong

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/02063

    摘要： A semiconductor substrate is first provided. The semiconductor substrate includes a material layer and a patterned photoresist layer disposed on the material layer. Subsequently, a contact etching process is performed on the material layer by utilizing the patterned photoresist layer as an etching mask so to form an etched hole in the material layer. Thereafter, a solvent cleaning process is carried out on the semiconductor substrate by utilizing a cleaning solvent. Next, a water cleaning process is performed on the semiconductor substrate by utilizing deionized water. The temperature of the deionized water is in a range from 30° C. to 99° C.

    摘要翻译： 首先提供半导体衬底。 半导体衬底包括材料层和设置在材料层上的图案化光致抗蚀剂层。 随后，通过利用图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模在材料层上进行接触蚀刻处理，以在材料层中形成蚀刻孔。 此后，通过利用清洗溶剂在半导体衬底上进行溶剂清洗处理。 接下来，通过利用去离子水在半导体基板上进行水清洗处理。 去离子水的温度在30℃至99℃的范围内。

    SEMICONDUCTOR PROCESS
    3.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR PROCESS 有权
    半导体工艺

    公开(公告)号：US20110053371A1

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：US12547780

    申请日：2009-08-26

    申请人： An-Chi Liu ,  Chih-Chien Huang ,  Tien-Cheng Lan

    发明人： An-Chi Liu ,  Chih-Chien Huang ,  Tien-Cheng Lan

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76811 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816

    摘要： A semiconductor manufacturing process is provided. First, a substrate is provided, wherein a patterned conductive layer, a dielectric layer and a patterned metal hard mask layer are sequentially formed thereon. Thereafter, a portion of the dielectric layer is removed to form a damascene opening exposing the patterned conductive layer. Afterwards, the dielectric layer is heated to above 200° C. Thereafter, a plasma treatment process is performed on the damascene opening, wherein the gases used to generate the plasma include hydrogen gas and inert gas. Afterwards, a conductive layer is formed in the damascene opening to fill therein.

    摘要翻译： 提供半导体制造工艺。 首先，提供衬底，其上依次形成图案化导电层，电介质层和图案化的金属硬掩模层。 此后，去除介电层的一部分以形成暴露图案化导电层的镶嵌开口。 之后，将电介质层加热至200℃以上。此后，对镶嵌开口进行等离子体处理，其中用于产生等离子体的气体包括氢气和惰性气体。 之后，在镶嵌开口中形成导电层以填充其中。

    SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ASSIST FEATURES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    6.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ASSIST FEATURES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
    具有辅助功能的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20090261419A1

    公开(公告)日：2009-10-22

    申请号：US12107077

    申请日：2008-04-22

    申请人： Shu-Ping Fang ,  Tien-Cheng Lan ,  Chih-Chien Liu

    发明人： Shu-Ping Fang ,  Tien-Cheng Lan ,  Chih-Chien Liu

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/76 ,  G03F7/20

    CPC分类号： H01L27/0207

    摘要： A semiconductor device having assist features and manufacturing method thereof includes a substrate having at least an active region and a peripheral region defined thereon. The semiconductor device also includes a plurality of assist features positioned in the peripheral region, or in the active region with a dotted line pattern. The assist features are electrically connected to active circuits formed in the active region, respectively, for serving as redundant circuits that repair or replace defective circuits.

    摘要翻译： 具有辅助特征的半导体器件及其制造方法包括至少具有限定在其上的有源区和周边区的衬底。 半导体器件还包括位于外围区域中的多个辅助特征，或者在有源区域中具有虚线图案。 辅助特征分别电连接到形成在有源区域中的有源电路，用作修复或替换有缺陷电路的冗余电路。

    Cleaning solution, cleaning method and damascene process using the same
    7.
    发明授权
    Cleaning solution, cleaning method and damascene process using the same 有权
    清洗方法，清洗方法和镶嵌工艺使用相同

    公开(公告)号：US08114773B2

    公开(公告)日：2012-02-14

    申请号：US12830566

    申请日：2010-07-06

    申请人： An-Chi Liu ,  Tien-Cheng Lan

    发明人： An-Chi Liu ,  Tien-Cheng Lan

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76814

    摘要： A cleaning solution is provided. The cleaning solution includes (a) 0.01-0.1 wt % of hydrofluoric acid (HF); (b) 1-5 wt % of a strong acid, wherein the strong acid is an inorganic acid; (c) 0.05-0.5 wt % of ammonium fluoride (NH4F); (d) a chelating agent containing a carboxylic group; (e) triethanolamine (TEA); (f) ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA); and (g) water for balance.

    摘要翻译： 提供清洁液。 清洗溶液包括（a）0.01-0.1重量％的氢氟酸（HF）; （b）1-5重量％的强酸，其中强酸是无机酸; （c）0.05-0.5重量％的氟化铵（NH4F）; （d）含有羧基的螯合剂; （e）三乙醇胺（TEA）; （f）乙二胺四乙酸（EDTA）; 和（g）平衡水。

    Semiconductor process
    9.
    发明授权
    Semiconductor process 有权
    半导体工艺

    公开(公告)号：US08062972B2

    公开(公告)日：2011-11-22

    申请号：US12547780

    申请日：2009-08-26

    申请人： An-Chi Liu ,  Chih-Chien Huang ,  Tien-Cheng Lan

    发明人： An-Chi Liu ,  Chih-Chien Huang ,  Tien-Cheng Lan

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/76811 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816

    摘要： A semiconductor manufacturing process is provided. First, a substrate is provided, wherein a patterned conductive layer, a dielectric layer and a patterned metal hard mask layer are sequentially formed thereon. Thereafter, a portion of the dielectric layer is removed to form a damascene opening exposing the patterned conductive layer. Afterwards, the dielectric layer is heated to above 200° C. Thereafter, a plasma treatment process is performed on the damascene opening, wherein the gases used to generate the plasma include hydrogen gas and inert gas. Afterwards, a conductive layer is formed in the damascene opening to fill therein.

    摘要翻译： 提供半导体制造工艺。 首先，提供衬底，其上依次形成图案化导电层，电介质层和图案化金属硬掩模层。 此后，去除介电层的一部分以形成暴露图案化导电层的镶嵌开口。 之后，将电介质层加热至200℃以上。此后，对镶嵌开口进行等离子体处理，其中用于产生等离子体的气体包括氢气和惰性气体。 之后，在镶嵌开口中形成导电层以填充其中。

    METHOD OF FORMING OPENING AND CONTACT
    10.
    发明申请
    METHOD OF FORMING OPENING AND CONTACT 审中-公开
    形成开放和接触的方法

    公开(公告)号：US20070066047A1

    公开(公告)日：2007-03-22

    申请号：US11162647

    申请日：2005-09-18

    申请人： Jianhui Ye ,  Kai Hung Alex See ,  Tien-Cheng Lan ,  Meisheng Zhou

    发明人： Jianhui Ye ,  Kai Hung Alex See ,  Tien-Cheng Lan ,  Meisheng Zhou

    IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for forming an opening on a material layer is provided. First, a dielectric layer is formed on the material layer. Then, a metallic hard mask layer and a cap layer are sequentially formed on the dielectric layer. Thereafter, a patterned photoresist layer is formed on the cap layer. The patterned photoresist layer exposes a portion of the surface of the cap layer. After that, a first etching operation is carried out using the patterned photoresist layer as a mask to remove a portion of the cap layer and the metallic hard mask layer until the surface of the dielectric layer is exposed. Then, the photoresist layer is removed. A second etching operation is carried out using the cap layer and the metallic hard mask layer as a mask to remove a portion of the dielectric layer and form an opening.

    摘要翻译： 提供了在材料层上形成开口的方法。 首先，在材料层上形成电介质层。 然后，在电介质层上依次形成金属硬掩模层和盖层。 此后，在盖层上形成图案化的光致抗蚀剂层。 图案化的光致抗蚀剂层暴露盖层表面的一部分。 之后，使用图案化的光致抗蚀剂层作为掩模进行第一蚀刻操作，以除去覆盖层和金属硬掩模层的一部分，直到暴露介电层的表面。 然后，除去光致抗蚀剂层。 使用盖层和金属硬掩模层作为掩模进行第二蚀刻操作，以去除电介质层的一部分并形成开口。