公开(公告)号：US06358315B1

公开(公告)日：2002-03-19

申请号：US09526768

申请日：2000-03-16

申请人： Eckhard Küssel ,  Thomas Bünger ,  Tilo Flade ,  Berndt Weinert ,  Klaus Sonnenberg

发明人： Eckhard Küssel ,  Thomas Bünger ,  Tilo Flade ,  Berndt Weinert ,  Klaus Sonnenberg

IPC分类号： C30B1302

CPC分类号： C30B29/42 ,  C30B11/14 ,  C30B29/40

摘要： In a method and an apparatus for producing monocrystals, in particular of gallium arsenide monocrystals, the crystal growth is carried out with a thermal shock resistant nucleus which is freely standing within a nucleus channel and the interspace in the nucleus channel between the nucleus and the crucible is filled with liquid boric oxide.

摘要翻译： 在用于生产单晶，特别是砷化镓单晶的方法和装置中，晶体生长是用耐热冲击核进行的，该核可自由站立在细胞核通道内，并且细胞核和坩埚之间的细胞核通道中的间隙 填充有液体氧化硼。

公开(公告)号：US06645294B2

公开(公告)日：2003-11-11

申请号：US10034378

申请日：2002-01-03

申请人： Chung-Wen Lan ,  Ya-Wen Yang

发明人： Chung-Wen Lan ,  Ya-Wen Yang

IPC分类号： C30B1302

CPC分类号： C30B11/008 ,  C30B11/00 ,  C30B11/007 ,  C30B29/44 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1016

摘要： A rotational directional solidification crystal growth system includes a vertical furnace, a crucible, and a rotate support device. The vertical furnace contains a high-temperature portion and a low-temperature portion. The crucible has a seed well and a growth region. The seed well and the growth region contain a seed crystal and raw material, respectively. The crucible moves from the high-temperature portion of the furnace to the low-temperature portion of the furnace or the thermal profile moves related to a stationary crucible to proceed the crystal growth. The rotation support device supports and rotates the crucible, and the tangent velocity of the rotated crucible is no less than about 5&pgr;/3 cm/s.

摘要翻译： 旋转定向凝固晶体生长系统包括立式炉，坩埚和旋转支撑装置。 立式炉包含高温部分和低温部分。 坩埚具有种子井和生长区。 种子井和生长区分别含有晶种和原料。 坩埚从炉的高温部分移动到炉的低温部分，或者与固定坩埚相关的热分布移动以进行晶体生长。 旋转支撑装置支撑和旋转坩埚，并且旋转的坩埚的切线速度不小于约5pi / 3cm / s。

公开(公告)号：US06447603B2

公开(公告)日：2002-09-10

申请号：US09793193

申请日：2001-02-26

申请人： Katsuhiro Imai ,  Akihiko Honda ,  Minoru Imaeda

发明人： Katsuhiro Imai ,  Akihiko Honda ,  Minoru Imaeda

IPC分类号： C30B1302

CPC分类号： C30B15/08 ,  C30B15/00 ,  C30B29/30 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1016

摘要： A process is disclosed for producing an oxide single crystal, including the steps of: melting a raw material for a single crystal of an oxide inside a crucible, contacting a seed crystal with the resulting melt, growing the oxide single crystal by pulling-down the melt through an opening of the crucible in a given pulling-down axis, and fixedly holding the seed crystal and then reducing an angle of a given crystalline orientation of the seed crystal selected for growing the single crystal to the pulling-down axis.

摘要翻译： 公开了一种用于生产氧化物单晶的方法，包括以下步骤：在坩埚内熔化氧化物单晶的原料，使晶种与所得熔体接触，通过拉下氧化物单晶来生长氧化物单晶 在给定的下拉轴中熔化通过坩埚的开口，并固定地保持晶种，然后将用于将单晶生长选择的晶种的给定晶体取向的角度减小到下拉轴。