公开(公告)号：US06420199B1

公开(公告)日：2002-07-16

申请号：US09923711

申请日：2001-08-06

申请人： Carrie Carter Coman ,  R. Scott Kern ,  Fred A. Kish, Jr. ,  Michael R Krames ,  Arto V. Nurmikko ,  Yoon-Kyu Song

发明人： Carrie Carter Coman ,  R. Scott Kern ,  Fred A. Kish, Jr. ,  Michael R Krames ,  Arto V. Nurmikko ,  Yoon-Kyu Song

IPC分类号： H05L2120

CPC分类号： H01L33/105 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/465 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/34333 ,  Y10S438/977

摘要： Light emitting devices having a vertical optical path, e.g. a vertical cavity surface emitting laser or a resonant cavity light emitting or detecting device, having high quality mirrors may be achieved using wafer bonding or metallic soldering techniques. The light emitting region interposes one or two reflector stacks containing dielectric distributed Bragg reflectors (DBRs). The dielectric DBRs may be deposited or attached to the light emitting device. A host substrate of GaP, GaAs, InP, or Si is attached to one of the dielectric DBRs. Electrical contacts are added to the light emitting device.

摘要翻译： 具有垂直光路的发光器件，例如 可以使用晶片接合或金属焊接技术来实现具有高质量反射镜的垂直腔表面发射激光器或谐振腔发光或检测装置。 发光区域包含一个或两个包含介质分布布拉格反射器（DBR）的反射器堆叠。 电介质DBR可以沉积或附着到发光器件。 GaP，GaAs，InP或Si的主衬底连接到电介质DBR之一。 电触点被添加到发光器件中。