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    Laser generated high electron density source
    1.
    发明授权
    Laser generated high electron density source 失效
    激光产生高电子密度源

    公开(公告)号：US4346330A

    公开(公告)日：1982-08-24

    申请号：US140390

    申请日：1980-04-14

    申请人： Chunghsin Lee ,  Peter E. Oettinger

    发明人： Chunghsin Lee ,  Peter E. Oettinger

    IPC分类号： H01J37/075 ,  H01J3/02 ,  H01J17/52 ,  H01J35/00 ,  H01J35/06 ,  H01J37/06 ,  H03K17/52 ,  H03K17/78 ,  H01J45/00

    CPC分类号： H03K17/78 ,  H01J17/52 ,  H01J3/024 ,  H03K17/52

    摘要： Apparatus is disclosed for generating high density pulses of electrons thermionically. The apparatus includes a metallic target maintained within a low pressure cesium vapor atmosphere. A laser rapidly heats the cesiated target surface to a high temperature in a time short compared with the residence time of cesium atoms adsorbed on the target surface. This rapid surface heating in combination with the adsorbed cesium atoms emits copious quantities of electrons forming a high current density pulse.

    摘要翻译： 公开了用于产生电子的高密度电子脉冲的装置。 该装置包括保持在低压铯蒸汽气氛中的金属靶。 与吸附在目标表面上的铯原子的停留时间相比，激光在短时间内快速地将澄清的目标表面加热到高温。 这种与吸附的铯原子组合的快速表面加热发射形成高电流密度脉冲的大量电子。