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公开(公告)号：WO2002078144A1
公开(公告)日：2002-10-03
申请号：PCT/JP2002/002739
申请日：2002-03-22
发明人： 高橋 幸司
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02458 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/182 , H01S5/1003 , H01S5/2231 , H01S5/32366 , H01S5/343 , H01S5/34306 , H01S5/34346 , H01S2304/00
摘要： A semiconductor laser device (100), characterized in that it has, as its well layer, a III-V compound semiconductor layer (106) comprising nitrogen, antimony and one or more V Group elements except nitrogen and antimony as the V Group components thereof; and a method for crystal growth for forming the III-V compound semiconductor layer, characterized in that it comprises a step comprising supplying a plurality of materials including indium simultaneously and a step comprising supplying a plurality of materials including antimony and excluding indium simultaneously, and the two steps are repeatedly carried out.
摘要翻译： 一种半导体激光装置（100），其特征在于，作为其阱层，具有除了氮和锑之外的包含氮，锑和一种或多种V族元素的III-V族化合物半导体层（106）作为其V族组分 ; 以及用于形成III-V族化合物半导体层的晶体生长方法，其特征在于，其包括同时提供多种包括铟的材料的步骤，以及包括同时供给多种包括锑和不含铟的材料的步骤，以及 反复进行两个步骤。
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公开(公告)号：WO2004073125A1
公开(公告)日：2004-08-26
申请号：PCT/JP2004/001037
申请日：2004-02-03
IPC分类号： H01S5/227
摘要： この発明の半導体レーザ素子（１００）は、或る形状の断面をもって一方向に延びる高屈折率部（１０４）と、この高屈折率部（１０４）の周りを囲む低屈折率部（１０２，１０５）とを有する共振器を備える。高屈折率部（１０４）の断面の寸法（Ｄ，Ｗ）は、共振器が出射するレーザ光の近視野像の面積が極小となるような値またはその値の近傍に設定されている。これにより、既存の化合物半導体材料を用いつつ青色半導体レーザ素子よりも小さな光スポットを得ることができる。また、近接記録方式に用いられる金属アパーチャを備えた半導体レーザ素子よりも実用上十分な光出力で微小な光スポット（近視野像）を得ることができる。また、この発明の半導体レーザ素子は簡単に構成される。
摘要翻译： 半导体激光装置（100）包括具有高折射率部分（104）的谐振器，所述高折射率部分（104）在一个方向上延伸并具有一定形状的横截面和围绕高折射率部分（104,104）的低折射率部分（102,105） ）。 将高折射率折射率部分（104）的横截面的尺寸（D，W）设定为使得从谐振器发射的激光束的近场图案的面积最小等等 价值。 因此，在使用现有的化合物半导体材料的同时，产生的光点小于蓝色半导体激光装置的光点。 因此，与具有用于接近记录的金属孔的半导体激光装置相比，可以产生具有实际足够的光功率的小光斑（近场图案）。 本发明的半导体激光装置简单地制造。
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