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    SUBSTRATE-EMITTING TRANSVERSE MAGNETIC POLARIZED LASER EMPLOYING A METAL/SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED FEEDBACK GRATING FOR SYMMETRIC-MODE OPERATION
    2.
    发明申请
    SUBSTRATE-EMITTING TRANSVERSE MAGNETIC POLARIZED LASER EMPLOYING A METAL/SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED FEEDBACK GRATING FOR SYMMETRIC-MODE OPERATION 审中-公开
    基板发射横向磁极化激光器，采用金属/半导体分布式反馈光栅进行对称模式操作

    公开(公告)号：WO2015130358A2

    公开(公告)日：2015-09-03

    申请号：PCT/US2014/067130

    申请日：2014-11-24

    申请人： WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION

    发明人： MAWST, Luke J. ,  BOTEZ, Dan ,  EARLES, Thomas L. ,  KIRCH, Jeremy D. ,  SIGLER, Christopher A.

    CPC分类号： H01S5/3401 ,  H01S5/1046 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/145

    摘要： Semiconductor lasers comprise a substrate; an active layer configured to generate transverse magnetic (TM) polarized light under an electrical bias; an upper cladding layer; a lower cladding layer; and a distributed feedback (DFB) grating defined by the interface of a layer of metal and a layer of semiconductor under the layer of metal, the interface periodically corrugated in the longitudinal direction of the laser with a periodicity of Λ DFB = mλ/(2 n eff ), wherein m > 1. The DFB grating is configured such that loss of one or more antisymmetric longitudinal modes of the laser structure via absorption to the DFB grating is sufficiently maximized so as to produce lasing of a symmetric longitudinal mode of the laser with laser emission characterized by a single-lobe beam along each direction defined by the grating diffraction orders corresponding to emission away from the plane of the grating.

    摘要翻译： 半导体激光器包括衬底; 有源层，被配置为在电偏压下产生横向磁（TM）偏振光; 上包层; 下包层; 以及由金属层和半导体层在金属层之间的界面定义的分布式反馈（DFB）光栅，界面沿激光器的纵向方向周期性地波纹，周期为ΛDFB=mλ/（2n eff ），其中m> 1。DFB光栅被配置为使得激光器结构经由吸收到DFB光栅的一个或多个反对称纵向模的损耗被充分地最大化，以便产生具有激光的激光器的对称纵向模式的激光 其特征在于沿着由对应于离开光栅平面的发射的光栅衍射级限定的每个方向的单瓣光束。

    OBTAINING NARROW LINE-WIDTH, FULL C-BAND TUNABILITY MIRROR FOR MONOLITHIC OR HYBRID INTEGRATED LASERS
    3.
    发明申请
    OBTAINING NARROW LINE-WIDTH, FULL C-BAND TUNABILITY MIRROR FOR MONOLITHIC OR HYBRID INTEGRATED LASERS 审中-公开
    获得窄带宽度，单层或混合集成激光的全C带柔性镜

    公开(公告)号：WO2015035939A1

    公开(公告)日：2015-03-19

    申请号：PCT/CN2014/086404

    申请日：2014-09-12

    申请人： HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.

    发明人： CHEN, Hongmin ,  LEI, Hongbing ,  SHEN, Xiao A

    IPC分类号： H01S3/00

    CPC分类号： H01S3/10069 ,  H01S3/1055 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/026 ,  H01S5/142 ,  H01S5/34306

    摘要： An apparatus comprising an optical medium, a power splitter coupled to the optical medium, a first delay line coupled to the power splitter such that the power splitter is positioned between the first delay line and the optical medium, a first comb reflector coupled to the first delay line such that the first delay line is positioned between the first comb reflector and the power splitter, and a second comb reflector coupled to the power splitter but not the first comb reflector and not the first delay line. A method comprising receiving an optical signal, splitting the optical signal into a first split optical signal and a second split optical signal, delaying the first split optical signal, tuning the delayed first split optical signal, tuning the second split optical signal, and delaying the tuned second split optical signal.

    摘要翻译： 一种装置，包括光学介质，耦合到所述光学介质的功率分配器，耦合到所述功率分配器的第一延迟线，使得所述功率分配器位于所述第一延迟线和所述光学介质之间;第一梳状反射器， 延迟线，使得第一延迟线位于第一梳状反射器和功率分配器之间，以及第二梳状反射器，其耦合到功率分配器而不是第一梳状反射器而不是第一延迟线。 一种方法，包括接收光信号，将光信号分为第一分裂光信号和第二分光信号，延迟第一分裂光信号，调谐延迟的第一分裂光信号，调谐第二分光信号，并延迟 调谐第二分裂光信号。

    半導体素子およびその製造方法
    4.
    发明申请
    半導体素子およびその製造方法 审中-公开
    半导体元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2014175128A1

    公开(公告)日：2014-10-30

    申请号：PCT/JP2014/060775

    申请日：2014-04-16

    申请人： 住友電気工業株式会社

    发明人： 柴田　馨 ,  秋田　勝史 ,  藤井　慧 ,  石塚　貴司

    IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

    CPC分类号： H01L31/035236 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14652 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3422 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/173

    摘要： 近赤外～赤外域において量子効率または感度が高い半導体素子等を提供する。基板と、基板の上に位置し、ａ層とｂ層とを１対として複数対の多重量子井戸構造と、基板と多重量子井戸構造との間に位置する結晶調整層とを備え、結晶調整層が、基板と同じ材料で構成され該基板に接する第１調整層と、多重量子井戸構造のａ層またはｂ層と同じ材料で構成され、多重量子井戸構造に接する第２調整層とを含む。

    摘要翻译： 提供了在近红外到红外区域具有高量子效率或灵敏度的半导体元件等。 半导体元件包括：基板; 位于衬底上的多对多量子阱结构，每一对包括层a和层b; 以及位于基板和多量子阱结构之间的晶体调整层。 晶体调整层包括由与基板相同的材料构成并与基板保持接触的第一调整层，以及由与多量子阱结构中的a层或b层相同的材料构成的第二调整层 并与多量子阱结构保持接触。

    VARIABLE BANDGAP MODULATOR FOR MODULATED LASER SYSTEM
    5.
    发明申请
    VARIABLE BANDGAP MODULATOR FOR MODULATED LASER SYSTEM 审中-公开
    用于调制激光系统的变幅带调制器

    公开(公告)号：WO2014127502A1

    公开(公告)日：2014-08-28

    申请号：PCT/CN2013/071659

    申请日：2013-02-19

    申请人： SOURCE PHOTONICS (CHENGDU) CO., LTD. ,  HEIMBUCH, Mark ,  MARGALIT, Near

    发明人： HEIMBUCH, Mark ,  MARGALIT, Near

    IPC分类号： H01S3/0941

    CPC分类号： H01S5/343 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0155 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/06213 ,  H01S5/06251 ,  H01S5/068 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/106 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/347

    摘要： A modulated laser system generally includes a light emission region, a modulation region having a plurality of semiconductive layers, at least one of which includes a quantum well layer having a variable energy bandgap, and an isolation region separating the light emission region and the modulation region. The laser may be an electro-absorption modulated laser, the light emission region may include a distributed feedback laser, and the modulation region may include an electro-absorption modulator. The laser may be manufactured by forming a lower semiconductive buffer layer on a substrate, an active layer including one or more quantum well layers having the variable energy bandgap on or above the lower semiconductive buffer layer, an upper semiconductive buffer layer on or above the active layer, a contact layer on or above the upper semiconductive buffer layer, and an isolation region separating the light emission region and the modulation region.

    摘要翻译： 调制激光系统通常包括发光区域，具有多个半导体层的调制区域，其中至少一个包括具有可变能带隙的量子阱层，以及分离发光区域和调制区域的隔离区域 。 激光器可以是电吸收调制激光器，发光区域可以包括分布式反馈激光器，并且调制区域可以包括电吸收调制器。 可以通过在衬底上形成下半导体缓冲层来制造激光器，活性层包括在下半导体缓冲层上或上方具有可变能带隙的一个或多个量子阱层，活性层上或上方的上半导电缓冲层 层，上半导体缓冲层上或上方的接触层，以及分离发光区域和调制区域的隔离区域。

    半導体光素子、集積型半導体光素子および半導体光素子モジュール
    6.
    发明申请
    半導体光素子、集積型半導体光素子および半導体光素子モジュール 审中-公开
    半导体光学元件，集成半导体光学元件和半导体光学元件模块

    公开(公告)号：WO2013115179A1

    公开(公告)日：2013-08-08

    申请号：PCT/JP2013/051892

    申请日：2013-01-29

    申请人： 古河電気工業株式会社 ,  清田 和明

    发明人： 清田　和明

    IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/227 ,  H01S5/50

    CPC分类号： H01S5/1014 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/227 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/4012

    摘要： 　半導体基板上に形成された光導波路を備える半導体光素子であって、前記光導波路は、入力された光を単一モードで導波する単一モード導波部と、前記光の導波方向に対して前記単一モード導波部の後段側に配置された曲げ部と、前記導波方向に対して前記曲げ部の後段側に配置され、前記導波方向に向かって導波路幅が広くなるように形成されており、前記光の入射側では前記光を単一モードで導波し、前記光の出射側では前記光を多モードで導波し得る導波路幅を有するフレア部と、を備える半導体光素子。

    摘要翻译： 该半导体光学元件设置有形成在半导体衬底上的光波导。 光波导设置有：单模波导部，用于以单一模式引导输入的光; 相对于光的波导方向位于单模波导部分的后半部分中的弯曲部分; 并且相对于波导方向位于弯曲部分的后半部分中的扩口部分以这样的方式形成，使得波导宽度在波导方向上变宽，在单一模式下将光引导到其上 光入射，并且具有使得光能够在光出射的一侧以多种模式被引导的波导宽度。

    MICRORESONATOR SYSTEM AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
    10.
    发明申请
    MICRORESONATOR SYSTEM AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
    微波炉系统及其制造方法

    公开(公告)号：WO2009017769A2

    公开(公告)日：2009-02-05

    申请号：PCT/US2008/009224

    申请日：2008-07-30

    申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. ,  TAN, Michael ,  WANG, Shih-Yuan ,  STEWART, Duncan ,  FATTAL, David

    发明人： TAN, Michael ,  WANG, Shih-Yuan ,  STEWART, Duncan ,  FATTAL, David

    IPC分类号： H01S3/08 ,  H01S3/109

    CPC分类号： H01S5/1075 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12007 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/222 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34306

    摘要： Various embodiments of the present invention are related to microresonator systems that can be used as a laser, a modulator, and a photodetector and to methods for fabricating the microresonator systems. In one embodiment, a microresonator system (100) comprises a substrate (106) having a top surface layer (104), at least one waveguide (114,116) embedded within the substrate (106), and a microdisk (102) having a top layer (118), an intermediate layer (122), a bottom layer (120), current isolation region (128), and a peripheral annular region (124,126). The bottom layer (120) of the microdisk (102) is in electrical communication with the top surface layer (104) of the substrate (106) and is positioned so that at least a portion of the peripheral annular region (124,126) is located above the at least one waveguide (114,116). The current isolation region (128) is configured to occupy at least a portion of a central region of the microdisk and has a relatively lower refractive index and relatively larger bandgap than the peripheral annular region.

    摘要翻译： 本发明的各种实施方案涉及可用作激光的微谐振器系统，调制器和光电检测器以及用于制造微谐振器系统的方法。 在一个实施例中，微谐振器系统（100）包括具有顶表面层（104），嵌入衬底（106）内的至少一个波导（114,116）的衬底（106）和具有顶层 （118），中间层（122），底层（120），电流隔离区域（128）和外围环形区域（124,126）。 微盘（102）的底层（120）与衬底（106）的顶表面层（104）电连通并且被定位成使周边环形区域（124,126）的至少一部分位于 所述至少一个波导（114,116）。 电流隔离区128被配置为占据微盘的中心区域的至少一部分，并且具有比周边环形区域相对更低的折射率和相对较大的带隙。