中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

107 records (took 0.019 seconds)

    半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
    2.
    发明申请
    半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 审中-公开
    半导体发光器件和用于制造半导体发光器件的方法

    公开(公告)号：WO2018020793A1

    公开(公告)日：2018-02-01

    申请号：PCT/JP2017/018846

    申请日：2017-05-19

    Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

    Inventor： 門脇　康弘

    IPC: H01S5/343

    CPC classification number: H01S5/343

    Abstract: この半導体発光素子は、対向する第１面と第２面との間に、第１面の側から順に、化合物半導体から構成された基板と、基板上に結晶成長されると共に発光領域を含む半導体層とを有する積層構造体と、積層構造体の第２面に隣接する第１の端部のうちの少なくとも一部に形成された第１の凹部と、積層構造体の厚み方向に沿って延在する第２の端部に形成された第２の凹部とを備える。

    Abstract translation: 在该半导体发光元件中，由化合物半导体构成的基板，由化合物半导体构成的基板，晶体生长 并且，具有发光区域的半导体层，在与层叠结构体的第二面相邻的第一端部的至少一部分形成的第一凹部，以及层叠体 并且第二凹部形成在沿着本体的厚度方向延伸的第二端部中。

    半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び溶接用レーザ光源システム
    3.
    发明申请
    半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び溶接用レーザ光源システム 审中-公开
    半导体激光装置，半导体激光模块和用于焊接的激光光源系统

    公开(公告)号：WO2018003335A1

    公开(公告)日：2018-01-04

    申请号：PCT/JP2017/018441

    申请日：2017-05-17

    Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

    Inventor： 池戸　教夫 ,  中谷　東吾 ,  岡口　貴大 ,  横山　毅 ,  藪下　智仁 ,  高山　徹

    IPC: H01S5/16 ,  B23K26/21

    CPC classification number: H01S5/16 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/21 ,  B23K26/703 ,  B23K37/003 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/162 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/343

    Abstract: 第１導電側半導体層（１００）と、活性層（３００）と、第２導電側半導体層（２００）とが順に積層された積層構造体を備え、横モード多モード発振する半導体レーザ装置（１）であって、積層構造体は、前端面（１ａ）と、後端面（１ｂ）と、前端面（１ａ）と後端面（１ｂ）とを共振器反射ミラーとした光導波路とを備え、第２導電側半導体層（２００）は、活性層（３００）に近い側から順に第１半導体層（２１０）と第２半導体層（２２０）とを有し、光導波路への電流注入領域の幅は、第２半導体層（２２０）により画定され、電流注入領域の共振器長方向の端部は、前端面（１ａ）及び後端面（１ｂ）よりも内側に位置し、電流注入領域は、幅が変化する幅変化領域を有し、幅変化領域の前端面（１ａ）側の幅をＳ１とし、幅変化領域の後端面側（１ｂ）の幅をＳ２としたとき、Ｓ１＞Ｓ２である。

    Abstract translation: 包括依次包括第一导电侧半导体层（100），有源层（300）和第二导电侧半导体层（200）的堆叠结构， 1。一种半导体激光装置，其特征在于，所述层叠结构具有前端面，后端面，前端面以及后端面， 并且，第二导电侧半导体层（200）从更靠近有源层（300）的一侧按顺序具有第一半导体层（210）和第二半导体层（220），并且光波导 由第二半导体层（220）限定，电流注入区域在共振器长度方向上的端部位于前端面（1a）和后端面（1b）内侧， ，电流注入区域具有宽度变化区域，宽度变化区域中宽度变化区域的前端面（1a）侧的宽度是S 当向和宽度变化区域（1b）和S2，这是S1> S2的后端面侧的宽度。

    一种压应变量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器
    5.
    发明申请
    一种压应变量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 审中-公开

    公开(公告)号：WO2017088672A1

    公开(公告)日：2017-06-01

    申请号：PCT/CN2016/105481

    申请日：2016-11-11

    Applicant: 深圳瑞波光电子有限公司

    Inventor： 仇伯仓 ,  胡海

    IPC: H01S5/343

    CPC classification number: H01S5/343

    Abstract: 一种压应变量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器。该压应变量子阱半导体激光外延结构包括有源层（41）以及分别位于有源层（41）的相对两侧且与有源层（41）堆叠排列的第一包层（42）和第二包层（43）。有源层（41）包括沿有源层（41）与第一包层（42）和第二包层（43）的堆叠方向设置的第一波导层（411）、量子阱（412）以及第二波导层（413）。量子阱（412）采用四元的InGaAlP材料。通过改变量子阱（412）所用的材料，能够使压应变量子阱（412）的厚度可以在很大范围内变化，从而得到更低的阈值电流、更高的外量子效率以及更好的温度特性。

    光半導体デバイス
    6.
    发明申请
    光半導体デバイス 审中-公开
    光学半导体器件

    公开(公告)号：WO2016103835A1

    公开(公告)日：2016-06-30

    申请号：PCT/JP2015/078087

    申请日：2015-10-02

    Applicant: ソニー株式会社

    Inventor： 倉本　大 ,  風田川　統之 ,  濱口　達史 ,  泉　将一郎

    IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/183 ,  H01S5/22

    CPC classification number: H01S5/34333 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/183 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S2304/04

    Abstract: 光半導体デバイスは、ｎ型化合物半導体層２１、活性層２３及びｐ型化合物半導体層２２がこの順に積層された積層構造体２０を有し、活性層２３はトンネルバリア層３３を有する多重量子井戸構造を備えており、ｐ型化合物半導体層２２に隣接した井戸層３１ 2 の組成揺らぎは他の井戸層３１ 1 の組成揺らぎよりも大きく、また、ｐ型化合物半導体層２２に隣接した井戸層３１ 2 のバンドギャップエネルギーは他の井戸層３１ 1 のバンドギャップエネルギーよりも小さく、また、ｐ型化合物半導体層２２に隣接した井戸層３１ 2 の厚さは他の井戸層３１ 1 の厚さよりも厚い。

    Abstract translation: 光学半导体器件具有层叠结构20，其中按所述顺序层叠n型化合物半导体层21，有源层23和p型化合物半导体层22，活性层23设置有多量子 具有隧道势垒层33的阱结构，与p型化合物半导体层22相邻的阱层312的组成的波动大于另一阱层311的组成的波动，阱层的带隙能量 312与p型化合物半导体层22相邻的距离小于另一阱层311的带隙能量，并且与p型化合物半导体层22相邻的阱层312的厚度大于另一阱层311的厚度。 阱层311。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    7.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2014173590A1

    公开(公告)日：2014-10-30

    申请号：PCT/EP2014/055528

    申请日：2014-03-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PLÖSSL, Andreas

    IPC: H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  B23K26/00 ,  B23K26/40 ,  H01L33/32

    CPC classification number: H01L33/007 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/16 ,  B23K2203/172 ,  B23K2203/50 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0033 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/343

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (10) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägerverbunds (11), der ein Saphirwafer ist, B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf den Trägerverbund (11), und C) Zerteilen des Trägerverbunds (11) und der Halbleiterschichtenfolge (2) zu den einzelnen Halbleiterchips (10). Der Schritt C) umfasst hierbei: D) Erzeugen je einer Vielzahl von selektiv ätzbaren Materialveränderungen in dem Trägerverbund (11) in Trennbereichen(s)durch eine fokussierte, gepulste Laserstrahlung (L), wobei die Laserstrahlung (L) eine Wellenlänge aufweist, bei der der Trägerverbund (11) transparent ist, und E) nasschemisches Ätzen der Materialveränderungen, sodass der Trägerverbund (11) zu einzelnen Trägern (1) für die Halbleiterchips (2) alleine durch das nasschemisches Ätzen oder in Kombination mit einem weiteren Materialabtrageverfahren vereinzelt wird.

    Abstract translation: 在至少一个实施例中，光电子半导体芯片（10）的制造方法被布置并包括以下步骤：A）提供载体组件（11），这是一种蓝宝石晶片，B）施加的半导体层序列（2）（在载体组件11）， 和C）将所述承载组件（11）和半导体层序列（2）连接到各个半导体芯片（10）。 在这种情况下，步骤c）包括：D）由聚焦的脉冲激光辐射（L）产生相应的多个在承载组件可选择性蚀刻的材料的变化（11）（在分离区域S），所述激光辐射（L）具有在该波长 搬运器坯件（11）是透明的，以及e）的材料的变化湿化学蚀刻，从而使搬运架（11），以用于将半导体芯片（2）单独的载体（1）仅由湿化学蚀刻或与另一Materialabtrageverfahren组合分开。

    量子井戸構造を有する半導体光素子およびその製造方法
    10.
    发明申请
    量子井戸構造を有する半導体光素子およびその製造方法 审中-公开
    具有量子阱结构的半导体光学器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2004051759A1

    公开(公告)日：2004-06-17

    申请号：PCT/JP2003/015415

    申请日：2003-12-02

    Applicant: 日本電気株式会社 ,  木村 明隆

    Inventor： 木村 明隆

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

    Abstract: A quantum well active layer is doped with oxygen. TMG, TMI, O2, and NH3 are supplied over an n-type GaN light guide layer (405) at flow rates of 10 sccm, 30 sccm, 20 sccm, and 10 slm, respectively, and an n-type In0.02Ga0.98N barrier layer (550) of 10 nm thickness is formed. The flow rate of TMI is increased to 50 sccm, and an undoped In0.2Ga0.8N well layer (553) of 3 nm thickness is formed. This step is repeated three cycles. Thereafter, an n-type In0.02Ga0.98N barrier layer (550) is formed. Over the thus formed multiple quantum well structure active layer (420), TMG, TMA, (EtCp)2Mg as impurities, and NH3 are supplied at flow rates of 15 sccm, 5 sccm, 5 sccm, and 10 slm, and a p-type Al0.2Ga0.8N cap layer (407) of 20 nm thickness is formed.

    Abstract translation: 量子阱活性层掺杂氧。 TMG，TMI，O2和NH3分别以10sccm，30sccm，20sccm和10slm的流速分别提供在n型GaN光导层（405）和n型In0.02Ga0上。 形成10nm厚度的98N阻挡层（550）。 TMI的流量增加到50sccm，形成3nm厚的未掺杂In0.2Ga0.8N阱层（553）。 该步骤重复三个周期。 此后，形成n型In 0.02 Ga 0.98 N阻挡层（550）。 在如此形成的多量子阱结构有源层（420）上，以15sccm，5sccm，5sccm和10slm的流速供给TMG，TMA，（EtCp）2Mg和NH 3作为杂质， 形成20nm厚的Al0.2Ga0.8N盖层（407）。

Patent Agency Ranking