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    WAVEGUIDE HETEROSTRUCTURE FOR DISPERSION COMPENSATION IN SEMICONDUCTOR LASER
    1.
    发明申请
    WAVEGUIDE HETEROSTRUCTURE FOR DISPERSION COMPENSATION IN SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019068554A1

    公开(公告)日：2019-04-11

    申请号：PCT/EP2018/076281

    申请日：2018-09-27

    Applicant: ETH ZURICH

    Inventor： FAIST, Jérôme ,  BIDAUX, Yves ,  KAPSALIDIS, Filippos

    IPC: H01S5/026

    CPC classification number: H01S5/3211 ,  H01S5/0035 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/3412

    Abstract: A waveguide heterostructure (0) for a semiconductor laser with an active part (I), comprising an active region layer (3) depending of the type of semiconductor used, surrounded in direction of a growth axis (G) by at least an active part bottom cladding (30) and an active part top cladding (31), wherein the active part (I) is sandwiched between an electrode layer (1) and a substrate (2), usable for dispersion compensation in a semiconductor laser frequency comb setup, should be optimized in order to lower the group velocity dispersion in a broad spectral range. This is reached by introducing a passive part (II), comprising at least a intercladding layer (40) and a passive top cladding (41) surrounding a passive core layer (4) inserted into the sandwich between substrate (2) and electrode layer (1) in direction of a growth axis (G) on top or below the active part (I), wherein the intercladding layer (40), passive part top cladding (41) and passive core layer (4) are semiconductors and the refractive indices of active region layer (3, (n(3)) and passive core layer (4, (n(4)) are greater than refractive indices of intercladding layer (40, n(40)) and passive part top cladding (41, n(41)).

    BROADBAND TRAVELLING WAVE SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER
    4.
    发明申请
    BROADBAND TRAVELLING WAVE SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER 审中-公开
    宽带移动波导半导体光放大器

    公开(公告)号：WO2010146050A1

    公开(公告)日：2010-12-23

    申请号：PCT/EP2010/058387

    申请日：2010-06-15

    Applicant: DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET - DTU ,  YVIND, Kresten

    Inventor： YVIND, Kresten

    IPC: H01S5/50 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/227

    CPC classification number: H01S5/50 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/227 ,  H01S2301/02

    Abstract: Broadband travelling wave semiconductor optical amplifier (100, 200, 300, 400, 800) for amplification of light, wherein the amplifier (100, 200, 300, 400, 800) comprises a waveguide region (101, 201, 301, 401, 801) for providing confinement of the light in transverse directions and adapted for propagation of the light in at least a first mode along a longitudinal axis (102, 202, 302) of the amplifier (100, 200, 300, 400, 800) in a propagation direction (103, 203, 303), and wherein the waveguide region (101, 201, 301, 401, 801) comprises a gain region (104, 204, 304, 404, 804) for amplifying the light and an outer region (105, 205, 305, 405, 805), the waveguide region (101, 201, 301, 401, 801) having a width (106, 206, 306) and a height, and the gain region (104, 204, 304, 404, 804) having a width (107, 207, 307) and a height, wherein the width (106, 206, 306) of the waveguide region (101, 201, 301, 401, 801) increases along the longitudinal axis (102, 202, 302), and wherein the ratio between the width (106, 206, 306) of the waveguide region (101, 201, 301, 401, 801) and the width (107, 207, 307) of the gain region (104, 204, 304, 404, 804) increases along the longitudinal axis (102, 202, 302).

    Abstract translation: 用于放大光的宽带行波半导体光放大器（100,200,300,400,800），其中所述放大器（100,200,300,400,800）包括波导区域（101,201,301,401,801 ），用于在横向方向上提供光的限制，并且适于沿着放大器（100,200,300,400,800）的纵向轴线（102,202,302）以至少第一模式传播光， 传播方向（103,203,303），并且其中波导区域（101,201,301,401,801）包括用于放大光的外部区域（104,204,304,804） 具有宽度（106,206,306）和高度的波导区域（101,201,301,401,801），并且增益区域（104,204,304,801）具有宽度（106,206,306） 所述波导区域（101,201,301,401,801）的宽度（106,206,306）具有宽度（107,207,307）和高度，其中所述波导区域（101,201,301,401,801）的宽度（106,206,306）沿着所述纵向轴线（102 ，202,302），并且其中所述比例b 在波导区域（101,201,301,401,801）的宽度（106,206,306）和增益区域（104,204,304,404,804）的宽度（107,207,307）之间， 沿着纵向轴线（102,202,302）增加。

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR ELEMENT
    5.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR ELEMENT 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2007118440A3

    公开(公告)日：2008-03-20

    申请号：PCT/DE2007000473

    申请日：2007-03-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LUTGEN STEPHAN ,  BRICK PETER ,  ALBRECHT TONY

    Inventor： LUTGEN STEPHAN ,  BRICK PETER ,  ALBRECHT TONY

    IPC: H01S5/183 ,  H01S3/04 ,  H01S3/108 ,  H01S5/024 ,  H01S5/14

    CPC classification number: H01S5/18388 ,  H01S3/108 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/141 ,  H01S5/227 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4031

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor element which comprises a semiconductor base (1) having a surface-emitting vertical emitter zone (2) comprising a vertical emitter layer (3), at least one pump source (4) adapted to optically pump the vertical emitter layer (3), and a radiation exit surface (26) through which the electromagnetic radiation (31) produced in the vertical emitter layer exits the semiconductor base (1), the pump source (4) and the vertical emitter layer (3) being interspaced in the vertical direction.

    Abstract translation: 它是一种光电子半导体器件，包括：半导体主体（1），包括：表面发射被设置用于光学泵浦所述垂直发射层（3）垂直发射极区域（2）包括：（a垂直发射层（3），至少一个泵源（4），和一个辐射通道面积 26）通过）（半导体本体1）在垂直发射层的电磁辐射（31所产生的热量叶指示，其中，所述泵浦源（4）和在垂直方向上的垂直发射层（3）间隔开。

    LINEAR OPTICAL AMPLIFIER USING COUPLED WAVEGUIDE INDUCED FEEDBACK
    6.
    发明申请
    LINEAR OPTICAL AMPLIFIER USING COUPLED WAVEGUIDE INDUCED FEEDBACK 审中-公开
    线性光学放大器采用耦合波导感应反馈

    公开(公告)号：WO2006004994A2

    公开(公告)日：2006-01-12

    申请号：PCT/US2005023459

    申请日：2005-06-30

    Applicant: FINISAR CORP ,  RATOWSKY RICHARD P ,  VERMA ASHISH K ,  FRANCIS DANIEL A

    Inventor： RATOWSKY RICHARD P ,  VERMA ASHISH K ,  FRANCIS DANIEL A

    IPC: H01S3/00

    CPC classification number: H01S5/50 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34366 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/173 ,  H01S2301/18

    Abstract: Systems and methods for extending a linear range of a semiconductor optical amplifier (SOA). A feedback layer is included in an SOA. The optical mode of the SOA is distributed between the feedback layer and the active region. As output optical power increases, the mode confinement of the active region increases and the mode is drawn from the feedback layer into the active region. The increase in the mode confinement offsets a loss of material gain such that the linear range of the SOA is extended. In one embodiment, the modal gain increases an higher output optical powers.

    Abstract translation: 用于扩展半导体光放大器（SOA）的线性范围的系统和方法。 SOA中包含一个反馈层。 SOA的光学模式分布在反馈层和有源区域之间。 随着输出光功率的增加，有源区域的模式限制增加并且模式从反馈层进入有源区域。 模式限制的增加抵消了材料增益的损失，从而扩展了SOA的线性范围。 在一个实施例中，模式增益提高了较高的输出光功率。

    半導体光素子及びその製造方法
    7.
    发明申请
    半導体光素子及びその製造方法 审中-公开
    半导体光学元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2005117217A1

    公开(公告)日：2005-12-08

    申请号：PCT/JP2005/009656

    申请日：2005-05-26

    Applicant: 日本電信電話株式会社 ,  伊賀 龍三 ,  近藤 康洋

    Inventor： 伊賀 龍三 ,  近藤 康洋

    IPC: H01S5/227

    CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/227 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3434

    Abstract: 　ｐ型基板上のローメサ埋め込み素子構造で、高い素子特性を持たせ、製造歩留まりとｒｕｎ－ｔｏ－ｒｕｎの再現性を向上させるため、素子のコンタクト層の成長前、すなわちオーバークラッド層の成長後の断面形状を、コンタクト層の結晶性に問題を与えない程度に平坦化する。ｐ型半導体基板1上に、少なくともｐ型のクラッド層２、活性層４及びｎ型クラッド層６からなるストライプ状の積層体があり、積層体の両側が電流ブロック層８で埋め込まれ、電流ブロック層８と積層体の上にｎ型オーバークラッド層９及びｎ型コンタクト層１０が配置されている。ｎ型オーバークラッド層９は、電流ブロック層８と積層体の上面の凹凸を平坦化する半導体結晶である。

    Abstract translation: p型衬底上的低台面嵌入元件结构具有高元件特性，并且在生长元件接触层之前的横截面形状即提高制造产量和运行再现性，即在生长过后 包覆层被平坦化到接触层的结晶度不受影响的程度。 在p型半导体衬底（1）上，提供由至少p型覆盖层（2），有源层（4）和n型覆盖层（6）组成的条形叠层体。 层叠体的两面嵌入电流阻挡层（8）中，在电流阻挡层（8）和层叠体上，n型上覆层（9）和n型接触层（10）为 安排。 n型上覆层（9）是使当前阻挡层（8）和层叠体的顶面的凹凸变平的半导体结晶。

    BURIED HETEROSTRUCTURE DEVICE FABRICATED BY SINGLE STEP MOCVD
    8.
    发明申请
    BURIED HETEROSTRUCTURE DEVICE FABRICATED BY SINGLE STEP MOCVD 审中-公开
    通过单步MOCVD制成的BURIED异构结构器件

    公开(公告)号：WO2005083480A1

    公开(公告)日：2005-09-09

    申请号：PCT/US2005/005838

    申请日：2005-02-24

    Applicant: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.

    Inventor： BOUR, David, P. ,  CORZINE, Scott, W.

    IPC: G02B6/10

    CPC classification number: B82Y20/00 ,  G02B6/131 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34366 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

    Abstract: The device is an optoelectronic device or transparent waveguide device that comprises a growth surface (122), a growth mask (132), an optical waveguide core mesa (140) and a cladding layer (160). The growth mask is located on the growth surface and defines an elongate growth window (134). The optical waveguide core mesa is located in the growth window and has a trapezoidal cross-sectional shape. The cladding layer covers the optical waveguide core mesa and extends over at least part of the growth mask. Such devices are fabricated by providing a wafer (110) comprising a growth surface (122), growing an optical waveguide core mesa (140) on the growth surface by micro-selective area growth at a first growth temperature and covering the optical waveguide core mesa with cladding material (160) at a second growth temperature, lower than the first growth temperature.

    Abstract translation: 该装置是包括生长表面（122），生长掩模（132），光波导芯台面（140）和包覆层（160）的光电器件或透明波导器件。 生长掩模位于生长表面上并限定细长的生长窗（134）。 光波导核心台面位于生长窗口中，具有梯形横截面形状。 包覆层覆盖光波导芯体台面并在生长掩模的至少一部分上延伸。 通过提供包括生长表面（122）的晶片（110）来制造这样的器件，通过在第一生长温度下的微选择性区域生长在生长表面上生长光波导核心台面（140），并覆盖光波导芯体台面 在第二生长温度下，包覆材料（160）低于第一生长温度。

    光増幅装置
    10.
    发明申请
    光増幅装置 审中-公开
    光放大器

    公开(公告)号：WO2003096501A1

    公开(公告)日：2003-11-20

    申请号：PCT/JP2003/005675

    申请日：2003-05-07

    Applicant: 富士通株式会社 ,  森戸 健

    Inventor： 森戸 健

    IPC: H01S5/50

    CPC classification number: H01S5/50 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/227 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/5063 ,  H01S5/5072

    Abstract: ｎ型ＩｎＰ基板１０上に設けられ、制御光を出力するＤＦＢレーザ２２と、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に設けられ、２つの入力ポートと２つの出力ポートとを有する３ｄＢ光カップラー１４、１６と、３ｄＢ光カップラー１４の出力ポートと３ｄＢ光カップラー１６の入力ポートとを光学的に接続する光導波路２４ａ、２４ｂとを有する対称マッハツェンダ干渉器１２と、光導波路２４ａ、２４ｂのそれぞれに設けられたＳＯＡ２４ａ、２４ｂとを有する。

    Abstract translation: 一种光放大器包括布置在用于输出控制光的n型InP衬底（10）上的DFB激光器（22），布置在n型InP衬底（10）上的3dB光耦合器（14,16），并具有两个输入端口和两个 输出端口，具有用于将3dB光耦合器（14）的输出端口光耦合到3dB光耦合器（16）的输入端口的光波导（24a，24b）的马赫 - 策德尔干涉仪（12），以及SOA（24a ，24b），分别布置在光波导（24a，24b）上。

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