Abstract:
L'invention concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant un premier circuit intégré (6) qui comprend: un support, ayant première et deuxième faces opposées; ainsi que des groupes (G 1 , G 2 , G 3 ) d'ensembles de diodes électroluminescentes reposant sur la première face. Le circuit intégré (6) comprend, en outre: dans le support, des premiers éléments (52) d'isolation électrique latérale de portions du support autour de chaque ensemble; et, sur la deuxième face, pour chaque groupe, au moins un premier plot conducteur (46 1 , 46 2 , 46 3 ) relié à la première borne du groupe et un deuxième plot conducteur (48 1 , 48 2 , 48 3 ) relié à la deuxième borne du groupe. Le dispositif comprend un deuxième circuit intégré (7) comprenant: troisième et quatrième faces opposées; et des troisièmes plots conducteurs (70) sur la troisième face reliés électriquement aux premiers et deuxièmes plots conducteurs, le premier circuit intégré étant fixé sur la troisième face du deuxième circuit intégré.
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques comprenant les étapes successives suivantes : • prévoir un substrat (10) comportant une première face; • former, sur la première face, des ensembles de diodes électroluminescentes comprenant des éléments semiconducteurs filaires, coniques ou tronconiques; • recouvrir la totalité de la première face d'une couche (40) encapsulant les diodes électroluminescentes; • former un élément conducteur (56) isolé du substrat et traversant le substrat depuis la deuxième face jusqu'à au moins la première face; • réduire l'épaisseur du substrat; et • découper la structure obtenue pour séparer chaque ensemble de diodes électroluminescentes.
Abstract:
L'invention a pour objet une diode électroluminescente (100) comprenant une première région (1) par exemple de type P formée dans une première couche (10) et formant, selon une direction normale à un plan basal, un empilement avec une deuxième région (2) comprenant au moins un puit quantique formée dans une deuxième couche (20), et comprenant une troisième région (3) par exemple de type N s'étendant selon la direction normale au plan, en bordure et au contact des première et deuxième régions (1, 2), au travers des première et deuxième couches (10, 20). L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente (100) dans lequel la troisième région (3) est formée par implantation dans et au travers des première et deuxième couches (10, 20).
Abstract:
L'invention concerne un circuit optoélectronique (30) destiné à recevoir une tension variable (V ALIM ) contenant une alternance de phases croissantes et décroissantes. Le circuit optoélectronique comprend une alternance d'éléments résistifs (Ri) et d'ensembles (Di) de diodes électroluminescentes montés en série, chaque ensemble comprenant deux bornes, chaque élément résistif étant interposé entre deux ensembles successifs. Le circuit optoélectronique comprend, pour chaque ensemble parmi une pluralité desdits ensembles, un transistor (Ti) à effet de champ à grille métal-oxyde à appauvrissement dont le drain et la source sont couplés aux bornes dudit ensemble et dont la grille est couplée à l'une des bornes de l'ensemble suivant, un élément résistif supplementaire (R'i) étant, pour au moins ceratains des transistors, couplé entre le drain ou la source du transistor et l'une des bornes dudit ensemble.
Abstract:
La présente description concerne un procédé de protection des dispositifs optoélectroniques (Pix) contre les décharges électrostatiques, chaque dispositif optoélectronique comprenant un circuit optoélectronique comprenant au moins un composant optoélectronique parmi une diode électroluminescente ou une photodiode. Le procédé comprend la formation d'une première plaque, comprenant plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique, la fixation de la première plaque à un support (46), la séparation des dispositifs optoélectroniques les uns des autres, et le retrait du support de plusieurs dispositifs optoélectroniques parmi lesdits dispositifs optoélectroniques par un système de préhension, dans lequel le système de préhension comprend au moins un système de protection des dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques.
Abstract:
La présente description concerne un procédé de protection des dispositifs optoélectroniques (Pix) contre les décharges électrostatiques. Chaque dispositif optoélectronique comprend un circuit électronique (10) comprenant au moins un composant électronique et un circuit optoélectronique (30) fixé au circuit électronique et comprenant au moins un composant optoélectronique (DEL) parmi une diode électroluminescente ou une photodiode. Le procédé comprend la formation de première et deuxième plaques (42, 44), l'une de la première ou deuxième plaque comprenant plusieurs exemplaires du circuit électronique et l'autre de la première ou deuxième plaque comprenant plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique, la fixation de la première plaque à un support (46), la fixation de la deuxième plaque à la première plaque, et la séparation des dispositifs électroniques les uns des autres, dans lequel la première plaque et/ou la deuxième plaque comprend au moins un système de protection (52) des dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques.
Abstract:
L'invention concerne un procédé de commande d'un dispositif optoélectronique comprenant des pixels d'affichage agencés en rangées et en colonnes. Le dispositif optoélectronique comprend en outre des premières électrodes connectées chacune aux pixels d'affichage d'au moins une rangée, des deuxièmes électrodes connectées chacune aux pixels d'affichage d'au moins une colonne, et un circuit de commande des premières et deuxièmes électrodes. Le procédé comprend, dans une première phase, l'activation des pixels d'affichage connectés à l'une des premières électrodes et à l'une des deuxièmes électrodes par les étapes suivantes réalisées simultanément: amener l'une des premières électrodes à un premier potentiel, les autres premières électrodes étant maintenues à un deuxième potentiel inférieur au premier potentiel; et amener l'une des deuxièmes électrodes à un troisième potentiel inférieur au deuxième potentiel, les autres deuxièmes électrodes étant maintenues à un quatrième potentiel supérieur au troisième potentiel et inférieur au deuxième potentiel.
Abstract:
L'invention concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant: un support (12); au moins une première couche conductrice électriquement (18) recouvrant le support; des circuits de pixel d'affichage (Pix) comprenant des première et deuxième faces opposées (22, 23), fixés à la première couche conductrice électriquement, chaque circuit de pixel d'affichage comprenant un circuit électronique (20) comprenant la première face et une troisième face (24) opposée à la première face, la première face étant fixée à la première couche conductrice électriquement, et au moins un circuit optoélectronique (26) fixé à la troisième face et comprenant au moins une diode électroluminescente, au moins l'une des électrodes de la diode électroluminescente étant connectée au circuit électronique par la troisième face; au moins une deuxième couche conductrice électriquement (34) recouvrant les circuits de pixel d'affichage et reliée électriquement aux circuits électroniques des circuits de pixel d'affichage du côté de la deuxième face.
Abstract:
L'invention concerne un circuit optoélectronique comprenant des circuits électroniques élémentaires (40) distincts reliés entre eux, chaque circuit électronique élémentaire (40) comprenant au moins une diode électroluminescente (D) et au moins une puce de circuit intégré comprenant un circuit (46) de commande de la diode électroluminescente adapté à activer ou à désactiver la diode électroluminescente.
Abstract:
L'invention concerne un dispositif optoélectronique (40) comprenant un substrat (42) comprenant des première et deuxième faces opposées (44, 46), des éléments (48) d'isolation électrique latérale s 'étendant de la première face (46) à la deuxième face (44) et délimitant dans le support des premières portions semiconductrices ou conductrices (50) isolées électriquement les unes des autres. Le dispositif optoélectronique comprend, en outre, pour chaque première portion, un premier plot conducteur (52) sur la deuxième face au contact de la première portion et un ensemble (D) de diodes électroluminescentes reposant sur la première face et reliées électriquement à la première portion, le dispositif optoélectronique comprenant, en outre, une couche d'électrode (66) conductrice et au moins partiellement transparente recouvrant toutes les diodes électroluminescentes, une couche d' encapsulâtion (70) isolante et au moins partiellement transparente recouvrant la couche d'électrode et au moins un deuxième plot conducteur (52) relié électriquement à la couche d' électrode.