公开(公告)号：WO2019085919A1

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：PCT/CN2018/112839

申请日：2018-10-31

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 张松 ,  梁志彬 ,  刘涛 ,  金炎 ,  王德进

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/762

摘要： 一种浅沟槽隔离结构的凹陷区处理方法及半导体元器件，所述方法包括：提供在衬底上形成有浅沟槽隔离结构的晶圆，且浅沟槽隔离结构上表面在与有源区交界处形成有凹陷区；在晶圆表面淀积氧化硅，且氧化硅填满凹陷区；干法刻蚀淀积的所述氧化硅，通过控制刻蚀深度使得既能露出衬底的有源区表面、又能尽量保留凹陷区内填充的氧化硅；在有源区表面热氧化生长栅氧化层。

公开(公告)号：WO2018125212A1

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：PCT/US2016/069501

申请日：2016-12-30

申请人： INTEL CORPORATION

发明人： BAYKAN, Mehmet O. ,  GULER, Leonard P. ,  JAIN, Anurag ,  FREEMAN, Gordon S. ,  BIGWOOD, Robert M.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/762 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/66

摘要： Embodiments herein describe techniques for forming multiple cut regions with orthogonal corners on multiple fins of a semiconductor device based on multiple masks formed by using sacrificial layers with embedded grating lines. A cut region with orthogonal corners on a fin may be formed based on a mask with the aid of the grating lines embedded within a sacrificial layer, where the irregular shape of the mask may land on the grating lines without affecting the cut region formed on the fin. Multiple cut regions formed by multiple masks may be accumulated on a sacrificial layer, which may act as an intermediate patterning layer. Multiple cut regions with orthogonal corners on multiple fins may be formed in a single pass based on the multiple cut regions accumulated on the intermediate patterning layer. Other embodiments may also be described and claimed.

公开(公告)号：WO2017121152A1

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：PCT/CN2016/101766

申请日：2016-10-11

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 邢建国 ,  赛加坐 ,  喻娟 ,  王凤

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/78

CPC分类号： B32B37/1284 ,  B32B3/16 ,  B32B7/12 ,  B32B38/10 ,  B32B43/006 ,  B32B2307/208 ,  B32B2327/06 ,  B32B2367/00 ,  B32B2457/20 ,  G02F1/133305 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

摘要： 提供一种显示基板及其柔性基板的贴附方法、剥离方法。该显示基板包括：载体基板（1），设置在载体基板（1）上的柔性基板（2），以及设置在载体基板（1）和柔性基板（2）之间的粘结层（3）。粘结层（3）包括在磁场的作用下粘性强度能够转变的磁粘性层（31），且粘结层（3）与柔性基板（2）接触的一侧具有磁粘性层（31）。由于该显示基板中在柔性基板一侧设置了在磁场的作用下粘性强度可以进行转变的磁粘性层，这样只需在磁场的作用下，通过磁粘性层即可实现柔性基板在制作过程中的贴附及剥离，且载体基板和粘结层可以回收利用。

公开(公告)号：WO2017045598A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/CN2016/098943

申请日：2016-09-14

申请人： 胡兵

发明人： 胡兵 ,  马亮 ,  裴晓将 ,  刘素绢

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/762 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47

摘要： 一种将半导体衬底主体（2）与其上功能层进行分离的方法，包括以下步骤：在半导体衬底（1）上表面进行离子注入，离子注入深度为0.1μm-100μm，离子注入后在半导体衬底（1）表面下产生一层离子损伤层（3）；在半导体衬底（1）上表面制备功能层；将半导体衬底（1）和其上功能层进行分离。该方法在离子注入后的衬底（1）上先进行功能层的制备，然后在离子损伤层（3）进行分离，且直接在半导体衬底（1）表面进行电子器件的制备，由于离子的注入深度决定了半导体衬底（1）的厚度，半导体衬底（1）具有与SOI薄膜相同的作用效果，且不需要键合工艺，减少了生产工艺，降低了生产成本。

公开(公告)号：WO2016200643A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：PCT/US2016/035022

申请日：2016-05-31

申请人： THE RESEARCH FOUNDATION FOR THE STATE UNIVERSITY OF NEW YORK

发明人： BAIOCCO, Christopher ,  COOLBAUGH, Douglas ,  LEAKE, Gerald

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

CPC分类号： G02B6/13 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/124 ,  G02B6/1347 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12169 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/762 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A semiconductor structure can include an active device FET region having a FET and a photonics region having a photonic device including a waveguide. A semiconductor structure can include an active device FET region having a FET and a trench isolation region having a photonic device that includes a waveguide. A method can include forming a FET at an active device FET region of a semiconductor structure. A method can include forming a photonic device at a trench isolation region of a semiconductor structure.

摘要翻译： 半导体结构可以包括具有FET的有源器件FET区域和具有包括波导的光子器件的光子区域。 半导体结构可以包括具有FET的有源器件FET区域和具有包括波导的光子器件的沟槽隔离区域。 一种方法可以包括在半导体结构的有源器件FET区域形成FET。 一种方法可以包括在半导体结构的沟槽隔离区域形成光子器件。

公开(公告)号：WO2016021020A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：PCT/JP2014/070877

申请日：2014-08-07

申请人： ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド ,  舛岡 富士雄 ,  中村 広記

发明人： 舛岡　富士雄 ,  中村　広記

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/401 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/762 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7827

摘要： 　一本の半導体柱で形成されたインバータ回路を提供することを課題とする。　半導体基板上に形成された第３の第１導電型半導体層と、前記半導体基板上に形成された第１の柱状半導体層であって、第１導電型半導体層と第１のボディ領域、第２の第１導電型半導体層、第１の第２導電型半導体層、第２のボディ領域、第２の第２導電型半導体層、第３の第２導電型半導体層が基板側からこの順に形成された第1の柱状半導体層と、前記第１のボディ領域の周囲に形成された第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜の周囲に形成された第１のゲートと、前記第２のボディ領域の周囲に形成された第２のゲート絶縁膜と、　前記第２のゲート絶縁膜の周囲に形成された第２のゲートと、前記第２の第１導電型半導体層と前記第１の第２導電型半導体層とに接続する半導体からなる出力端子と、前記出力端子にさらに形成された前記第２の第１導電型半導体層と前記第１の第２導電型半導体層と、　前記第１のゲートと前記第２のゲートとを接続する第１のコンタクトと、を有することを特徴とする半導体装置により、上記課題を解決する。

摘要翻译： 本发明解决了提供由一个半导体柱形成的逆变器电路的问题。 该问题通过半导体器件解决，其特征在于具有：形成在半导体衬底上的第三第一导电型半导体层; 形成在半导体衬底上的第一柱状半导体层，所述第一柱状半导体层具有第一导电型半导体层和第一体区，第二第一导电型半导体层，第一第二导电型半导体层 ，第二主体区域，第二第二导电型半导体层和第三第二导电型半导体层，其从基板侧依次形成; 形成在所述第一体区周围的第一栅极绝缘膜; 围绕所述第一栅极绝缘膜形成的第一栅极; 形成在所述第二体区周围的第二栅极绝缘膜; 围绕所述第二栅极绝缘膜形成的第二栅极; 连接到第二第一导电类型半导体层和第一第二导电类型半导体层的输出端子，所述输出端子由半导体形成; 所述第二第一导电型半导体层和所述第一第二导电型半导体层也设置在所述输出端子上; 以及将第一栅极和第二栅极彼此连接的第一接触。

公开(公告)号：WO2016009473A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：PCT/JP2014/068707

申请日：2014-07-14

申请人： ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド ,  舛岡 富士雄 ,  中村 広記

发明人： 舛岡　富士雄 ,  中村　広記

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L29/42392 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

摘要： 　一本の半導体柱で形成されたインバータ回路を提供することを課題とする。半導体基板上に形成された第３の第１導電型半導体層と、前記半導体基板上に形成された第１の柱状半導体層と、前記第１の柱状半導体層に第１の第１導電型半導体層と第１のボディ領域と第２の第１導電型半導体層と第１の第２導電型半導体層と第２のボディ領域と第２の第２導電型半導体層と第３の第２導電型半導体層とが基板側からこの順に形成されるのであって、前記第１のボディ領域の周囲に形成された第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜の周囲に形成された第１のゲートと、前記第２のボディ領域の周囲に形成された第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜の周囲に形成された第２のゲートと、前記第２の第１導電型半導体層と前記第１の第２導電型半導体層とに接続する出力端子と、前記第１のゲートと前記第２のゲートとを接続する第１のコンタクトと、を有することを特徴とする半導体装置により、上記課題を解決する。

摘要翻译： 本发明解决了提供由一个半导体柱形成的逆变器电路的问题。 该问题通过半导体器件解决，该半导体器件的特征在于具有：形成在半导体衬底上的第三第一导电型半导体层; 形成在所述半导体衬底上的第一柱状半导体层，所述第一柱状半导体层从衬底侧依次形成，所述第一柱状半导体层，其中形成有第一第一导电型半导体层，第一体区，第二第一导电型半导体层， 第一第二导电型半导体层，第二体区，第二第二导电型半导体层和第三第二导电型半导体层; 形成在所述第一体区周围的第一栅极绝缘膜; 围绕所述第一栅极绝缘膜形成的第一栅极; 形成在所述第二体区周围的第二栅极绝缘膜; 围绕所述第二栅极绝缘膜形成的第二栅极; 连接到第二第一导电类型半导体层和第一第二导电类型半导体层的输出端子; 以及将第一栅极和第二栅极彼此连接的第一接触。

公开(公告)号：WO2012028518A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/064587

申请日：2011-08-24

申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  MORICEAU, Hubert ,  ARGOUD, Maxime ,  MORALES, Christophe ,  ZUSSY, Marc

发明人： MORICEAU, Hubert ,  ARGOUD, Maxime ,  MORALES, Christophe ,  ZUSSY, Marc

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224

摘要： Pour obtenir un film en un premier matériau sur un support en polymère : on colle une première plaque sur une seconde plaque (2), l'une au moins de ces plaques comportant au moins une couche du premier matériau située à proximité de l'interface, on creuse dans la première plaque au moins une cavité (4) dont le fond (5), parallèle à l'interface entre les première et seconde plaques, définit dans la première plaque une zone de fond, on forme une couche de polymère (8) dans cette cavité sur une épaisseur contrôlée à partir de son fond, on élimine la seconde plaque sur au moins la majeure partie de son épaisseur, en sorte de libérer, sous la couche de polymère, un film comportant ladite couche du premier matériau.

摘要翻译： 为了获得在聚合物基板上由第一材料制成的薄膜：第一薄片粘合到第二薄片（2）上，这些薄片中的至少一个具有至少一层第一材料位于界面附近; 在第一片材中切割出至少一个空腔（4），所述腔体的底部（5）平行于第一和第二片材之间的界面限定了第一片材中的底部区域; 在该空腔中从其底部开始以受控的厚度形成聚合物层（8） 在其至少大部分厚度上除去第二片，以便在聚合物层下方释放包含第一材料层的膜。

公开(公告)号：WO2011160950A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：PCT/EP2011/059440

申请日：2011-06-08

申请人： SOITEC ,  BRUEL, Michel

发明人： BRUEL, Michel

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/76254

摘要： The present invention relates to a method for preparing a substrate (1) with the purpose of detaching a layer, called the detachment layer, from said substrate by irradiation of the substrate with a light flux (F) for heating a buried region of the substrate and bringing about decomposition of the material of that region to detach said detachment layer, characterized by the fact that it comprises the steps consisting of: a) fabricating an intermediate substrate including a first layer (2), called the buried layer, and a second layer (4), called the covering layer, covering all or part of the first layer (2), - the covering layer (4) being substantially transparent to said light flux (F), - the buried layer (2), formed by implantation of particles into the substrate, absorbing said flux (F) for its part, b) selectively and adiabatically irradiating a region, called the treated region, of the buried layer (2) until at least partial decomposition of the material constituting it ensues.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制备衬底（1）的方法，其目的是通过用用于加热衬底的掩埋区域的光通量（F）将衬底照射从所述衬底分离出所谓的剥离层， 并导致该区域的材料分解以分离所述分离层，其特征在于，其包括以下步骤：a）制造包括称为掩埋层的第一层（2）的中间衬底，以及第二层 称为覆盖层的覆盖层（4）覆盖第一层（2）的全部或部分， - 对所述光通量（F）基本透明的覆盖层（4）， - 掩埋层（2），由 将颗粒注入衬底中，吸收所述焊剂（F）部分，b）选择性地和绝热地辐射掩埋层（2）的称为处理区域的区域，直到构成材料的材料至少部分分解为止。

公开(公告)号：WO2010094371A2

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：PCT/EP2010/000090

申请日：2010-01-11

申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  LETERTRE, Fabrice ,  FAURE, Bruce ,  GUENARD, Pascal

发明人： LETERTRE, Fabrice ,  FAURE, Bruce ,  GUENARD, Pascal

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  C30B29/38

CPC分类号： H01L21/02664 ,  C30B29/403 ,  C30B33/02 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76254

摘要： The present invention relates a method for the formation of an at least partially relaxed strained material layer, the method comprising the steps of providing a seed substrate; patterning the seed substrate; growing a strained material layer on the patterned seed substrate; transferring the strained material layer from the patterned seed substrate to an intermediate substrate; and at least partially relaxing the strained material layer by a heat treatment.

摘要翻译： 本发明涉及形成至少部分松弛的应变材料层的方法，该方法包括以下步骤：提供种子基底; 图案化种子基底; 在图案化种子基底上生长应变材料层; 将所述应变材料层从所述图案化种子基底转移到中间基底; 并通过热处理至少部分地松弛应变材料层。