公开(公告)号：WO2021049235A1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：PCT/JP2020/030620

申请日：2020-08-11

Applicant: 昭和電工株式会社

Inventor： 古谷　章 ,  小島　忠昭 ,  鈴木　広志 ,  那賀　文彰

IPC: B32B15/01 ,  C23C8/02 ,  C23C8/08 ,  C23C18/18 ,  C23C18/36 ,  C23C18/42 ,  C23C18/52 ,  C23C28/00

Abstract: 本発明の課題は、半導体製造装置の構成部材に適用可能であり、耐食性、特に酸に対する耐食性に優れた金属材料を提供することにある。本発明に係る積層体は、金属基材と、前記金属基材上に形成された第１のニッケル含有めっき被膜層と、前記第１のニッケル含有めっき被膜層上に形成された金めっき被膜層と、前記金めっき被膜層上に形成された第２のニッケル含有めっき被膜層と、前記第２のニッケル含有めっき被膜層上に形成されたフッ化ニッケル被膜層とを有する。

公开(公告)号：WO2020110544A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：PCT/JP2019/041970

申请日：2019-10-25

Applicant: 株式会社UACJ ,  古河電気工業株式会社

Inventor： 村田　拓哉 ,  北脇　高太郎 ,  米光　誠 ,  畠山　英之 ,  坂本　遼 ,  太田　裕己

IPC: G11B5/73 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  C23C18/18 ,  C23C18/31 ,  C23C18/36 ,  C23F1/20 ,  G11B5/84 ,  C22F1/00

Abstract: Ｆｅ：０．１～３．０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００５～１．０００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．００５～１．０００ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなり、外周面において、最長径１０μｍ以上の孔が２００個／ｍｍ ２ 以下であることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板、これを用いた磁気ディスク用アルミニウム合金基盤及び磁気ディスク、ならびに、これらの製造方法。

公开(公告)号：WO2018107846A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/CN2017/102828

申请日：2017-09-22

Applicant: 苏州金仓合金新材料有限公司

Inventor： 孙飞 ,  赵勇 ,  埃里克斯⋅高登

IPC: C23C18/36 ,  C23C18/18 ,  B22F1/02

CPC classification number: B22F1/025 ,  C23C18/1639 ,  C23C18/1882 ,  C23C18/36

Abstract: 一种镀镍碳化硅颗粒的制备方法，其包括以下步骤：步骤一：活化碳化硅颗粒；步骤二：洗涤、过滤并烘干；步骤三：化学镀镍；步骤四：洗涤、过滤并烘干。选取一定粒径的碳化硅颗粒，通过清洗-活化处理-特定溶液镀镍的方法，将碳化硅颗粒表面进行涂层、镀镍，使碳化硅颗粒表面均匀附着镍，从而提高碳化硅与金属材料的均匀融合程度，避免出现复合材料的偏析与龟裂问题，提高复合材料的成材率。

公开(公告)号：WO2012046712A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：PCT/JP2011/072830

申请日：2011-10-04

Applicant: 東洋鋼鈑株式会社 ,  迎 展彰

Inventor： 迎　展彰

IPC: G11B5/84 ,  C23C18/36

CPC classification number: G11B5/8404 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/36 ,  G11B5/858

Abstract: 　本発明は、無電解NiPめっきにより平滑なめっき皮膜の表面を得ることができ、酸耐食性も悪化することがないハードディスク用基板の製造方法及びハードディスク用基板を得ることを課題とする。本発明のハードディスク用基板の製造方法は、無電解NiPめっき皮膜を有するハードディスク用基板の製造方法であって、平滑化作用を有する添加剤を含有する第１の無電解NiPめっき浴に基板を浸漬して該基板の表面に、該表面よりも平均表面粗さが小さい前記無電解NiPめっき皮膜の下層を形成する第１のめっき工程と、該第１のめっき工程により前記無電解NiPめっき皮膜の下層が形成された基板を、第２の無電解NiPめっき浴に浸漬して酸耐食性を有する前記無電解NiPめっき皮膜の上層を形成する第２のめっき工程と、を含む。これにより、酸耐食性を悪化させることなく、表面が平滑なめっき皮膜を得る。

Abstract translation: 本发明解决了提供一种用于制造硬盘用基板的方法的问题，其中可以通过无电镀Ni-P镀层获得具有光滑表面的镀覆层，并且耐酸腐蚀性不会劣化。 本发明还涉及提供用于硬盘的基板的问题。 本发明的硬盘用基板的制造方法，其特征在于，所述基板具有无电镀Ni-P镀覆层。 该方法包括：第一电镀步骤，用于在衬底的表面上形成具有比衬底表面更小的平均表面粗糙度的无电解Ni-P镀覆层的下层，将衬底浸入第一无电镀Ni -P镀浴，其含有施加平滑作用的添加剂; 以及第二电镀步骤，用于通过将形成有无电镀Ni-P电镀的下层的基板浸渍到第二非电解Ni-P电镀浴中，形成耐酸腐蚀的耐化学镀Ni-P镀层的上层 在第一电镀步骤中进行涂覆。 结果，获得了具有光滑表面的镀覆涂层，而不会劣化耐酸腐蚀性。

公开(公告)号：WO2007144026A1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：PCT/EP2006/063286

申请日：2006-06-16

Applicant: L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  NASU, Akinobu ,  LEE, Wen-Jin ,  CHEN, I-Chung ,  CHEN, Shyuan-Fang

Inventor： NASU, Akinobu ,  LEE, Wen-Jin ,  CHEN, I-Chung ,  CHEN, Shyuan-Fang

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/40 ,  C23C18/36 ,  H01L21/288

CPC classification number: C23C18/405 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/36 ,  H01L21/288

Abstract: A method of depositing a copper interconnection layer on a substrate such on a glass substrate for use e.g. in TFT-LCD flat panel interconnection system. The method according to the invention comprising the steps of: a) optionally cleaning the substrate, b) optionally micro-etching the substrate, c) depositing a catalyzation layer on the substrate to obtain a catalyzed substrate, d) conditioning the catalyzed substrate with a conditioning solution to obtain a conditioned catalyzed substrate, e) plating the catalyzed substrate with a NiP layer by contacting said substrate or at least a portion thereof with a wet bath mixture comprising precursors of Ni and P, f) depositing a copper catalyst layer onto the plated NiP layer, depositing a Cu layer on said copper catalyst layer.

Abstract translation: 一种在诸如玻璃基板上的衬底上沉积铜互连层的方法， 在TFT-LCD平板互连系统中。 根据本发明的方法包括以下步骤：a）任选地清洁衬底，b）任选地微蚀刻衬底，c）在衬底上沉积催化层以获得催化底物，d）用催化底物 以获得经调节的催化底物，e）通过使所述底物或其至少一部分与包含Ni和P的前体的湿浴混合物接触NiP层来镀覆催化底物，f）将铜催化剂层沉积在 镀NiP层，在所述铜催化剂层上沉积Cu层。

公开(公告)号：WO03085166A2

公开(公告)日：2003-10-16

申请号：PCT/US0310073

申请日：2003-04-02

Applicant: APPLIED MATERIALS INC

Inventor： PADHI DEENESH ,  YAHALOM JOSEPH ,  RAMANATHAN SIVAKAMI ,  MCGUIRK CHRIS R ,  GANDIKOTA SRINIVAS ,  DIXIT GIRISH

IPC: C23C18/52 ,  C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  C23C18/00

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1694 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/1882 ,  C23C18/34 ,  C23C18/42 ,  C23C18/50 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H01L28/84 ,  H01L29/665

Abstract: Methods and apparatus are provided for forming a metal or metal silicide layer by an electroless deposition technique. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including depositing an initiation layer on a substrate surface, cleaning the substrate surface, and depositing a conductive material on the initiation layer by exposing the initiation layer to an electroless solution. The method may further comprise etching the substrate surface with an acidic solution and cleaning the substrate of the acidic solution prior to depositing the initiation layer. The initiation layer may be formed by exposing the substrate surface to a noble metal electroless solution or a borane-containing solution. The conductive material may be deposited with a borane-containing reducing agent. The conductive material may be used as a passivation layer, a barrier layer, a seed layer, or for use in forming a metal silicide layer.

Abstract translation: 提供了通过无电沉积技术形成金属或金属硅化物层的方法和装置。 在一个方面，提供了一种用于处理衬底的方法，包括在衬底表面上沉积起始层，清洁衬底表面，以及通过将引发层暴露于无电镀溶液而在引发层上沉积导电材料。 该方法可以进一步包括用酸性溶液蚀刻衬底表面并在沉积起始层之前清洁酸性溶液的衬底。 起始层可以通过将基材表面暴露于贵金属化学电解溶液或含硼烷溶液来形成。 导电材料可以用含硼烷的还原剂沉积。 导电材料可以用作钝化层，阻挡层，种子层，或用于形成金属硅化物层。

公开(公告)号：WO1998021381A1

公开(公告)日：1998-05-22

申请号：PCT/US1997020781

申请日：1997-11-13

Applicant: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH ,  MARTYAK, Nicholas, Michael ,  McCASKIE, John, Edward

Inventor： ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH

IPC: C23C18/36

CPC classification number: C23C18/1617 ,  C23C18/36

Abstract: Orthophosphite ions produced by oxidation of hypophosphite in an electroless nickel plating bath can be removed by precipitation with an alkali metal or alkaline earth metal cation such as calcium. In order to avoid the precipitation of calcium sulfate and the generation of large amounts of particulates in the bath, nickel sulfate can be replaced by a nickel salt of an alkylsulfonic acid or hypophosphorous acid, whose anion forms a soluble salt with an alkali metal or alkaline earth metal cation.

Abstract translation: 通过在无电镀镍浴中氧化次磷酸产生的亚磷酸根离子可以通过用碱金属或碱土金属阳离子如钙沉淀来除去。 为了避免硫酸钙沉淀和在浴中产生大量的微粒，硫酸镍可以用烷基磺酸或次磷酸的镍盐代替，其阴离子与碱金属或碱形成可溶性盐 地球金属阳离子。

公开(公告)号：WO2022254923A1

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：PCT/JP2022/015275

申请日：2022-03-29

Applicant: 東洋鋼鈑株式会社

Inventor： 佐々木　真利江 ,  瀧本　彩香 ,  嶋田　和正 ,  吉田　隆広

IPC: C23C18/36 ,  G11B5/65 ,  G11B5/82 ,  G11B5/84

Abstract: ＮｉＰ膜の耐食性を損なうことなく、基板の外周端におけるＮｉＰ膜の膜厚分布を小さくすることができる無電解めっきのための溶液、それを用いたＮｉＰ被覆基板の製造方法、及びそれにより製造することができるＮｉＰ被覆基板を提供する。　ＮｉＰ膜の無電解めっきのための溶液は、ニッケルイオン、次亜リン酸イオン、錯化剤、及びインジウムイオンを含有し、前記インジウムイオンの濃度が０．１８～１．８ｐｐｍである。ＮｉＰ被覆基板の製造方法は、前記溶液によりＮｉＰ膜を形成することを含む。ＮｉＰ被覆基板は、基板と、前記基板上に形成されたＮｉＰ膜と、を有し、前記ＮｉＰ膜はインジウムを７０～６２０ｐｐｍの濃度で含有する。

公开(公告)号：WO2022185791A1

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：PCT/JP2022/002769

申请日：2022-01-26

Applicant: 株式会社ＪＣＵ

Inventor： 若田　康輔 ,  横山　千香子

IPC: C23C18/36 ,  H05K3/18

Abstract: 水溶性ニッケル塩、還元剤、フェノールスルホン酸ならびにフェノールスルホン酸塩およびこれらの水和物からなる群から選ばれる１種または２種以上を含有することを特徴とする無電解ニッケルめっき浴およびこれに更に合金化金属塩を含有する無電解ニッケル合金めっき浴により、規制対象物質であるアンモニア等の窒素化合物を実質的に含有させずに、めっき皮膜の良好な生成とめっき浴の良好な連続使用を達成できるものとなる。

公开(公告)号：WO2022054657A1

公开(公告)日：2022-03-17

申请号：PCT/JP2021/032088

申请日：2021-09-01

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 斉藤　順一 ,  水白　雅章

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/52 ,  H05K3/34

Abstract: 配線基板（１）は、基板（１０）の少なくとも一方の主面（１０ａ）にＣｕまたはＡｇを主成分とする電極（２０）が配置された配線基板（１）であって、上記電極（２０）は上記基板（１０）から突出しており、上記電極（２０）の表面は、結晶質Ｎｉを主成分とする第１のＮｉ膜（３０）に覆われており、上記第１のＮｉ膜（３０）の表面は、非晶質Ｎｉを主成分とする第２のＮｉ膜（４０）に覆われており、上記第１のＮｉ膜（３０）は、上記電極（２０）の側面（２０ｂ）が上記基板（１０）と接する第１の隅部（Ｃ１）を覆っている。