公开(公告)号：WO2009112428A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：PCT/EP2009/052627

申请日：2009-03-05

Applicant: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) ,  INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE ,  TRASSY, Christian ,  DELANNOY, Yves

Inventor： TRASSY, Christian ,  DELANNOY, Yves

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: La présente invention porte sur un procédé de purification de silicium par exposition de silicium liquide (3) à un plasma (20), dans lequel le silicium (3) s'écoule de manière continue dans un canal (4) de telle sorte que sa surface libre soit exposée au plasma (20). L'invention porte également sur un dispositif permettant de mettre en œuvre ledit procédé.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过将液态硅（3）暴露于等离子体（20）来纯化硅的方法，其中硅（3）连续流入通道（4），使其自由表面暴露于等离子体（20） ）。 本发明还涉及一种用于实现所述方法的装置。

公开(公告)号：WO2009036686A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：PCT/CN2008/072312

申请日：2008-09-10

Applicant: 李绍光

Inventor： 李绍光

IPC: C30B28/06 ,  C01B33/037 ,  C01B33/039

CPC classification number: H01L31/182 ,  C01B33/021 ,  C01B33/037 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: A method of manufacturing polycrystalline silicon for solar cell by means of combining silicon monoxide dismutation reaction, sour-dipping separation and vacuum smelting, comprising the following six steps of (1) using chemical purity industrial silicon and high-purity silica to produce silicon monoxide; (2) producing high-purity silicon by means of silicon monoxide dismutation; (3) removing the impurities of B and P in silicon by dipping into strong nitric acid; (4) smelting by vacuum electron beam furnace to further purify high-purity silicon, and then cut away the part of cast ingot rich in impurity; (5) smelting in plasma furnace by introduction of nitrogen gas or nitrogen gas combined with hydrogen gas to further remove remaining B, P and other impurities, and then oriented solidifying; (6)lathing the outer skin of cast ingot and the part rich in impurity thereon to finally obtain high-purity silicon used for solar cell with purity up to more than 6N.The method may abandon the technical solution of Siemens method, avoid environmental pollution and enhance the safety degree of production and as well be beneficial to put into practice broadly in our country.

公开(公告)号：WO2009033255A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：PCT/CA2008/000492

申请日：2008-03-13

Applicant: SILICIUM BÉCANCOUR INC. ,  LEBLANC, Dominic ,  BOISVERT, René

Inventor： LEBLANC, Dominic ,  BOISVERT, René

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037 ,  C30B11/006 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06

Abstract: A process for purifying low-purity metallurgical grade silicon, containing at least one contaminant and obtaining a higher-purity solid polycrystalline silicon is provided. The process includes containing a melt of low-purity metallurgical grade silicon in a mould having insulated bottom and side walls, and an open top; solidifying the melt by unidirectional solidification from the open top towards the bottom wall while electromagnetically stirring the melt; controlling a rate of the unidirectional solidification; stopping the unidirectional solidification when the melt has partially solidified to produce an ingot having an exterior shell including the higher-purity solid polycrystalline silicon and a center including an impurity-enriched liquid silicon; and creating an opening in the exterior shell of the ingot to outflow the impurity-enriched liquid silicon and leave the exterior shell which has the higher-purity solid polycrystalline silicon.

Abstract translation: 提供了一种纯化含有至少一种污染物并获得更高纯度固体多晶硅的低纯度冶金级硅的方法。 该方法包括在具有绝缘的底部和侧壁以及敞开的顶部的模具中包含低纯度冶金级硅的熔体; 通过从开口顶部朝向底壁的单向凝固来固化熔体，同时电磁搅拌熔体; 控制单向凝固的速率; 当熔体已经部分固化以产生具有包括高纯度固体多晶硅的外壳的晶锭和包含富含杂质的液态硅的中心时，停止单向凝固; 并且在锭的外壳中形成开口以流出富含杂质的液体硅并离开具有较高纯度固体多晶硅的外壳。

公开(公告)号：WO2008078043A3

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：PCT/FR2007052490

申请日：2007-12-12

Applicant: EFD INDUCTION SA ,  DEL GOBBO JEAN-PIERRE ,  RIVAT PASCAL

Inventor： DEL GOBBO JEAN-PIERRE ,  RIVAT PASCAL

IPC: B01J6/00 ,  C01B33/037 ,  C30B11/00 ,  C30B35/00

CPC classification number: H01L31/182 ,  C01B33/037 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to an equipment (10) for producing blocks of a semiconducting material, comprising at least one housing (12) containing a neutral gas atmosphere, said housing including a fusion system (27, 32, 40) adapted for melting the semiconducting material in a crucible (24); a purification system (50) for removing the impurity of the molten semiconducting material in the crucible; a thermal transfer system (32) for cooling the base of the crucible and a heating system (40) for heating the free surface (63) of the molten semi-conducting material purified in the crucible in order to enhance the solidification of the semiconducting material; and a displacement system (18) for displacing the crucible (24) containing the molten and purified semiconducting material up to a heating system and/or a system for displacing the heating system up to the crucible containing the molten and purified semiconducting material.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于生产半导体材料块的设备（10），其包括至少一个包含中性气体气氛的壳体（12），所述壳体包括适于熔化半导体材料的熔融系统（27,32,40） 在坩埚（24）中; 净化系统（50），用于去除坩埚中的熔融半导体材料的杂质; 用于冷却坩埚底部的热转印系统（32）和用于加热在坩埚中纯化的熔融半导体材料的自由表面（63）的加热系统（40），以增强半导体材料的固化 ; 以及用于将包含熔融和纯化的半导体材料的坩埚（24）移位到加热系统和/或用于将加热系统移动到包含熔融和纯化的半导体材料的坩埚的系统的位移系统（18）。

公开(公告)号：WO2008110012A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：PCT/CA2008/000499

申请日：2008-03-13

Applicant: 6N SILICON INC. ,  NICHOL, Scott

Inventor： NICHOL, Scott

IPC: C01B33/037 ,  C22C21/02 ,  C22C29/18 ,  C22C3/00

CPC classification number: C22C21/02 ,  C01B33/037 ,  C22B21/06 ,  C22B21/064 ,  C22C3/00

Abstract: Embodiments of the present invention relate to a process for purifying silicon by removing one or both of phosphorus and boron.

Abstract translation: 本发明的实施方案涉及通过除去磷和硼中的一种或两种来纯化硅的方法。

公开(公告)号：WO2008035799A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：PCT/JP2007/068698

申请日：2007-09-26

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  山田 素行 ,  畑山 和久

Inventor： 山田 素行 ,  畑山 和久

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 　金属珪素を精製し、太陽電池用珪素を製造する際に、不純物として含まれる硼素の含有量を低減することのできる珪素の精製方法を提供する。溶融した珪素と溶融塩が共存した混合物を準備し、前記混合物に塩素原子を含むガスを導入し、塩素原子を含むガスと共に水蒸気を導入することを特徴とする珪素の精製方法を提供する。塩素原子を含むガスが塩素ガス又は四塩化珪素であることが好ましく、溶融塩としては少なくとも二酸化珪素と酸化カルシウムの混合物よりなるであることが好ましく、また、フッ化カルシウムを含んでもよい。

Abstract translation: 公开了一种用于纯化硅的方法，其可以在金属硅的净化中降低硼的含量（作为杂质含有），以产生适用于太阳能电池的硅。 具体公开了一种硅纯化方法，包括以下步骤：提供熔融硅和共熔在其中的熔融盐的混合物，将含有氯原子的气体引入混合物中，并将水蒸气与气体一起引入 含有氯原子。 含氯原子的气体优选为氯气或四氯化硅。 熔融盐优选至少是二氧化硅和氧化钙的混合物，并且可以含有氟化钙。

公开(公告)号：WO2006100114A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：PCT/EP2006/002937

申请日：2006-03-24

Applicant: UMICORE ,  ROBERT, Eric ,  ZIJLEMA, Tjakko

Inventor： ROBERT, Eric ,  ZIJLEMA, Tjakko

IPC: C01B33/033 ,  C01B33/037 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C01B33/033 ,  C01B33/037 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to the manufacture of high purity silicon as a base material for the production of e.g. crystalline silicon solar cells. SiCU is converted to Si metal by contacting gaseous SiCU with liquid Zn, thereby obtaining a Si-bearing alloy and Zn-chloride, which is separated. The Si-bearing alloy is then purified at a temperature above the boiling point of Zn. This process does not require complicated technologies and preserves the high purity of the SiCU towards the end product, as the only reactant is Zn, which can be obtained in very high purity grades and continuously recycled.

Abstract translation: 本发明涉及制造高纯度硅作为生产例如氧化硅的基础材料。 晶体硅太阳能电池。 通过使气态SiCU与液态Zn接触将SiCU转化为Si金属，从而得到分离的含Si的合金和Zn-氯化物。 然后在高于Zn沸点的温度下纯化含Si的合金。 该方法不需要复杂的技术，并且保留了SiCU对最终产物的高纯度，因为唯一的反应物是Zn，其可以以非常高的纯度等级获得并且连续再循环。

公开(公告)号：WO2006093089A1

公开(公告)日：2006-09-08

申请号：PCT/JP2006/303607

申请日：2006-02-27

Applicant: 京セラ株式会社 ,  新楽 浩一郎 ,  後藤 繁

Inventor： 新楽 浩一郎 ,  後藤 繁

IPC: H01L31/028 ,  C01B33/037

CPC classification number: H01L31/182 ,  C01B33/02 ,  C30B11/00 ,  C30B29/06 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/04 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 　多結晶シリコン基板中の不純物濃度に関して、ＳＩＭＳで分析したボロン濃度を［Ｂ］、ＦＴＩＲで分析した置換位置炭素濃度を［Ｃｓ］としたとき、基板端部１ｃｍ幅領域を除いた領域で、 　［Ｂ］≧　１Ｅ１６[atoms/cm 3 ]　かつ 　［Ｃｓ］≦　２Ｅ１７[atoms/cm 3 ] を満たす多結晶シリコン基板。Ｖｏｃ向上幅が従来よりも大きくなり、なおかつＪｓｃが大きく向上する。これによって、高効率な多結晶シリコン太陽電池が得られる。

Abstract translation: 公开了其中含有的杂质浓度满足以下关系的多晶硅衬底：[B] = 1E16 [原子/ cm 3]，[Cs] = 2E17 [原子/ cm 3 当[B]是通过SIMS测定的硼浓度和[Cs]是由FTIR测定的替代碳浓度时，在基板的1cm宽边缘部分之外的区域中。 该多晶硅衬底的Voc改进比常规的更大，而在Jsc中得到极大改善。 这样的多晶硅基板能够获得高效率的多晶硅太阳能电池。

公开(公告)号：WO2005105670A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：PCT/FR2005/050258

申请日：2005-04-19

Applicant: EFD INDUCTION SA ,  RIVAT, Pascal ,  DEL GOBBO, Jean-Pierre

Inventor： RIVAT, Pascal ,  DEL GOBBO, Jean-Pierre

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037 ,  C30B11/00 ,  C30B11/001 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: L'invention concerne une installation (10) de fabrication de blocs d'un matériau semiconducteur, comprenant au moins une première enceinte (12, 14) contenant une atmosphère d'au moins un gaz neutre et comprenant un système de fusion (42) adapté à faire fondre le matériau semiconducteur, un système de purification (46) adapté à éliminer des impuretés du matériau semiconducteur fondu, et un système de déplacement (20) d'un creuset de cristallisation (32) contenant du matériau semiconducteur fondu et purifié; et au moins une seconde enceinte (14) reliée à la première enceinte par une ouverture, une porte mobile (18) étant adaptée à fermer hermétiquement ladite ouverture, le système de déplacement étant adapté à déplacer le creuset de cristallisation dans la seconde enceinte avant que le matériau semiconducteur fondu et purifié ne commence à se solidifier, la seconde enceinte contenant un système de refroidissement adapté à favoriser la solidification du matériau semiconducteur fondu et purifié.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于生产半导体材料块的装置（10），其包括：至少一个第一室（12,14），其包含具有至少一种惰性气体的气氛并且包括融合系统（42），所述融合系统 适于熔化半导体材料，适于从熔融半导体材料中去除杂质的净化系统（46）和用于移动含有纯化的熔融半导体材料的结晶坩埚（32）的系统（20）; 和至少一个通过开口连接到第一腔室的第二腔室（14），适于密封所述开口的活动部件（18）。 上述移动系统（20）被设计成在纯化的熔融半导体材料开始凝固之前将结晶坩埚移动到第二腔室中，所述第二腔室包含促进材料凝固的冷却系统。

公开(公告)号：WO2005085134A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：PCT/JP2005/004016

申请日：2005-03-02

Applicant: 新日本製鐵株式会社 ,  近藤 次郎 ,  岡澤 健介

Inventor： 近藤 次郎 ,  岡澤 健介

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 本発明は、金属シリコンから簡単な方法で安価に極めて効率よくホウ素を除去する方法を提供するものであり、不純物としてホウ素を含有する金属シリコンを融点以上2200℃以下に加熱して溶融状態とした後、二酸化珪素を主成分とする固体とアルカリ金属の炭酸塩又はアルカリ金属の炭酸塩の水和物の一方又は両方を主成分とする固体を該溶融シリコンに添加することで、スラグを形成すると共に、シリコン中のホウ素を除去する。

Abstract translation: 公开了以低成本非常有效地从金属硅中除去硼的简单方法。 将含硼杂质的金属硅加热至不低于熔点且不大于2200℃的温度，使金属硅处于熔融状态，主要由二氧化硅和其他固体形成的固体物质主要 由熔融硅中加入碱金属碳酸盐和碱金属碳酸盐水合物中的一种或两者构成，从而形成渣，同时从硅中除去硼。