公开(公告)号：WO2010061151A3

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：PCT/FR2009052328

申请日：2009-11-27

申请人： SAGEM DEFENSE SECURITE ,  CORDAT ARNAUD ,  SIK HERVE ,  DEMIGUEL STEPHANE

发明人： CORDAT ARNAUD ,  SIK HERVE ,  DEMIGUEL STEPHANE

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101

CPC分类号： H01L27/1465 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/1032 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

摘要： The invention relates to a method for producing an infrared radiation sensor, said sensor comprising an infrared photodiode array formed in a first material and a reading circuit formed in a second material, said method comprising the steps of: sticking, through molecular adhesion, a first material side surface (1) onto an optically transparent crystalline material side surface (5) having infrared radiation and a coefficient of thermal expansion similar to that of the second material, give or take 20%; thinning the body of the first material side surface so that the latter is less than 25 µm; producing infrared-sensitive photodiodes (9) onto the thus-thinned first material side surface; depositing contact ball bearings (11) onto the infrared photodiodes; and mounting the reading circuit (13) onto the first material side surface through flip chip technology.

摘要翻译： 本发明涉及一种生产红外线辐射传感器的方法，所述传感器包括形成在第一材料中的红外光电二极管阵列和形成在第二材料中的读取电路，所述方法包括以下步骤：通过分子粘附将第一 材料侧表面（1）到具有与第二材料类似的红外辐射和热膨胀系数的光学透明结晶材料侧表面（5）上，产生或占20％; 使第一材料侧表面的主体变薄使得后者小于25μm; 在这样减薄的第一材料侧表面上产生红外敏感光电二极管（9） 将接触球轴承（11）沉积到红外光电二极管上; 以及通过倒装芯片技术将读取电路（13）安装到第一材料侧表面上。

公开(公告)号：WO2011139329A2

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：PCT/US2011/000660

申请日：2011-04-11

申请人： L-3 COMMUNICATIONS CORPORATION ,  BERATAN, Howard

发明人： BERATAN, Howard

IPC分类号： H01L31/09 ,  G01J5/02

CPC分类号： H01L37/00 ,  G01J1/02 ,  G01J1/0204 ,  G01J1/04 ,  G01J1/0411 ,  G01J1/0429 ,  G01J1/0488 ,  G01J4/04 ,  G01J5/02 ,  G01J5/0215 ,  G01J5/023 ,  G01J5/024 ,  G01J5/06 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0806 ,  G01J5/0825 ,  G01J5/0862 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/065 ,  G01N21/3581 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14669 ,  H01L27/14683

摘要： A thermal absorption structure of a radiation thermal detector element may include an optically transitioning material configured such that optical conductivity of the thermal absorption structure is temperature sensitive and such that the detector element absorbs radiation less efficiently as its temperature increases, thus reducing its ultimate maximum temperature.

摘要翻译： 辐射热检测器元件的热吸收结构可以包括光学过渡材料，其被配置为使得热吸收结构的光学导电性是温度敏感的，并且使得检测器元件随着其温度升高而更低效地吸收辐射，从而降低其最终最高温度 。

公开(公告)号：WO2011122856A2

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/KR2011/002192

申请日：2011-03-30

申请人： 이화여자대학교 산학협력단 ,  박일흥 ,  이직 ,  남지우 ,  이혜영

发明人： 박일흥 ,  이직 ,  남지우 ,  이혜영

IPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/102 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15

CPC分类号： H01L27/1446 ,  H01L27/1443

摘要： p 전도성 타입의 에피택시층 및 상기 에피택시층 내부에 형성된 PN-접합층을 포함하는 다수의 마이크로 픽셀; 상기 마이크로 픽셀 주위에 배치되는 트렌치 전극; 및 상기 마이크로 픽셀 및 상기 트렌치 전극이 안착되는 동시에 외부의 광선이 입사 가능하도록 개방된 상태의 기판을 포함하는 실리콘 광증배 소자가 제공된다. 상기 PN-접합층의 종단면의 중심축은 상기 에피택시층에 수직이 되도록 형성된다.

摘要翻译： 公开了一种硅光电倍增管，其包括：多个微像素，其包括形成在外延层内的p导电型外延层和PN结层; 布置在微像素周围的沟槽电极; 以及同时使微像素和沟槽电极固定在其上的允许外部光入射的基板。 所述PN结层的纵截面的中心轴形成为与外延层垂直。

公开(公告)号：WO2011094558A2

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/US2011/022948

申请日：2011-01-28

申请人： HOWARD UNIVERSITY ,  BATES, Clayton W., Jr.

发明人： BATES, Clayton W., Jr.

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/09

CPC分类号： H01L31/035209 ,  H01J1/34 ,  H01J31/49 ,  H01L31/108

摘要： An infrared external photoemissive detector can have an n-p heterojunction comprising an n-type semiconductor layer and a p-layer; the n-layer semiconductor comprising doped silicon embedded with nanoparticles forming Schottky barriers; and the p-layer is a p-type diamond film. The nanoparticles can be about 20 - 30 atomic percentage metal particles (such as silver) having an average particle size of about 5 - 10 nm. The p-layer can have a surface layer that has a negative electron affinity. The n-layer can be in the range of about 3 µm to 10 µm thick, and preferably about 3 µm thick. The doped silicon can be doped with elements selected from the list consisting of phosphorus and antimony.

摘要翻译： 红外外部发光检测器可以具有包括n型半导体层和p层的n-p异质结; 所述n层半导体包括掺杂有形成肖特基势垒的纳米颗粒的掺杂硅; p层是p型金刚石膜。 纳米颗粒可以是平均粒度约5-10nm的约20-30原子百分比的金属颗粒（例如银）。 p层可以具有具有负电子亲和力的表面层。 n层可以在约3μm至10μm厚的范围内，优选约3μm厚。 掺杂的硅可掺杂有选自磷和锑的元素。

公开(公告)号：WO2011002143A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：PCT/KR2010/001664

申请日：2010-03-18

申请人： 한국화학연구원 ,  석상일 ,  임상혁 ,  장정아

发明人： 석상일 ,  임상혁 ,  장정아

IPC分类号： H01L31/09

CPC分类号： H01L31/035218 ,  H01L31/03845 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01L51/4226 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 본 발명은 신규한 구조를 갖는 근적외선 감지 소자에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 근적외선 감지 소자는 근적외선을 흡수하여 광감응 나노입자에서 전자-정공 쌍이 생성되며, 상기 광감응 나노입자에서 생성된 전자는 상기 광감응 나노입자와 접하는 반도체층과 광감응 나노입자간 전도대(conduction band) 최소 에너지 레벨(energy level) 차에 의해 상기 반도체층의 전도대로 자발적으로 이동하며, 상기 광감응 나노입자에서 생성된 정공은 상기 광감응 나노입자와 접하는 정공 전도층과 광감응 나노입자간 가전자대(valance band) 최대 에너지 레벨(energy level) 차에 의해 상기 정공 전도층의 가전자대로 자발적으로 이동하며, 상기 반도체층과 상기 정공 전도층 사이에 구비되며, 전도대(conduction band) 최소 에너지 레벨(energy level)이 상기 반도체층의 전도대(conduction band) 최소 에너지 레벨(energy level)보다 큰 반도체 물질을 포함하여 구성된 재결합방지층에 의해 상기 반도체층의 전도대로 이동한 전자 및 상기 정공 전도층의 가전자대로 이동한 정공의 재결합이 억제되는 특징이 있다.

摘要翻译： 本发明涉及具有新颖结构的近红外感测装置，特别是当根据本发明的近红外线感测装置吸收近红外线时，在感光纳米颗粒中形成电子 - 空穴对，形成电子 由于半导体层和光敏纳米颗粒之间的导带最小能级差异，光敏纳米颗粒自主地移动到与光敏纳米颗粒相邻的半导体层的导带，所以在光敏纳米颗粒中形成的孔自主移动到价带 由于空穴传输层和光敏纳米颗粒之间的价带最大能级差异而与光敏纳米颗粒相邻的空穴传输层，以及设置在半导体层和空穴传输层之间的复合防止层，其形成为包括 半导体材料 l具有高于半导体层的导带最小能级的导带最小能级，防止移动到半导体层的导带的电子与移动到孔的价带的孔重新组合 运输层

公开(公告)号：WO2010064693A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：PCT/JP2009/070353

申请日：2009-12-03

申请人： 国立大学法人東北大学 ,  石井 慶造 ,  菊池 洋平

发明人： 石井　慶造 ,  菊池　洋平

IPC分类号： G01T1/24 ,  G01T1/161 ,  H01L27/14 ,  H01L31/09

CPC分类号： H01L31/02024 ,  G01T1/00 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/108

摘要： 　放射線の位置を２次元で検出するための半導体２次元位置検出器１は、半導体基板（２）と、半導体基板（２）の表面（２Ａ）にＸ方向に所定の間隔を置いて並置した、Ｙ方向と平行な第１～第ｎ（ｎは２以上の整数）のストライプ電極（３）と、半導体基板（２）の裏面（２Ｂ）に形成した電極（１５）とを有するショットキーダイオードからなり、各ストライプ電極（３）の両端部同士を抵抗（４，５）を介してそれぞれ順次接続するとともに、両端に配置した第１及び第ｎのストライプ電極（３）の各両端部より、半導体基板（２）に入射した放射線（１６）からの信号出力信号Ｖ １ ～Ｖ ４ を取り出す。

摘要翻译： 用于二维检测辐射位置的二维半导体位置检测器（1）包括设置有半导体衬底（2）的肖特基二极管，第一至第n（n为至少2个的整数）条形电极（3） ），其被布置在所述半导体衬底（2）的前表面（2A）上，以预定间隔在X方向上并列并且在Y方向上平行;以及电极（15），形成在后面 （2）的表面（2B），其中条形电极（3）通过电阻（4,5）在相对端顺序连接，并且从进入半导体衬底的辐射（16）输出信号V1至V4 2）从布置在两个最外侧的第一和第n条形电极（3）的相对端提取。

公开(公告)号：WO2010025973A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：PCT/EP2009/058364

申请日：2009-07-02

申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  HERRMANN, Ingo ,  HERRMANN, Daniel ,  FREUND, Frank ,  FEYH, Ando ,  ECKARDT, Martin

发明人： HERRMANN, Ingo ,  HERRMANN, Daniel ,  FREUND, Frank ,  FEYH, Ando ,  ECKARDT, Martin

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/09

CPC分类号： H01L27/14669 ,  G01J5/02 ,  G01J5/0225 ,  G01J5/024 ,  G01J5/06 ,  G01J5/20 ,  H01L31/09

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein mikrostrukturiertes, eine elektrische Eigenschaft in ihrem Wert temperaturabhängig veränderndes Referenzelement (1) für Sensoren, welches mit einem Substrat (2) thermisch gekoppelt ist, aber gegenüber diesem Substrat (2) elektrisch isoliert ist. Zwischen dem auf der Unterseite einer Membran (3) angeordneten Referenzelement (3) und dem Substrat (2) befindet sich eine umlaufende Kaverne (4). Die Erfindung betrifft weiterhin eine Sensoranordnung, umfassend ein erfindungsgemäßes Referenzelement (1) sowie ein mikrostrukturiertes Sensorelement mit einer ihren Wert temperaturabhängig verändernden elektrischen Eigenschaft. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Betrieb eines Temperatursensors.

摘要翻译： 本发明涉及一种微结构，电特性在其依赖于温度的变化的参考元件（1），其具有基片（2）热耦合的传感器值，但相对于该衬底（2）是电绝缘的。 在膜的下侧（3）之间设置基准部件（3）和所述基板（2）有一个圆周空腔（4）。 本发明还涉及一种传感器组件，其包括所公开的参考元件（1）和与它们相关的温度变化的电特性的值的微结构化的传感器元件。 此外，本发明涉及一种用于操作的温度传感器的方法。

公开(公告)号：WO2009134629A3

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：PCT/US2009040927

申请日：2009-04-17

申请人： REDLEN TECHNOLOGIES ,  LU PINGHE ,  CHEN HENRY ,  BINDLEY GLENN

发明人： LU PINGHE ,  CHEN HENRY ,  BINDLEY GLENN

IPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L31/115

CPC分类号： H01L31/115 ,  G01T1/00 ,  G01T1/24 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/1469 ,  H05K3/323 ,  Y10S977/762 ,  Y10T156/10

摘要： A device includes (a) radiation detector including a semiconductor substrate having opposing front and rear surfaces, a cathode electrode located on the front surface of said semiconductor substrate, and a plurality of anode electrodes on the rear surface of said semiconductor substrate, (b) a printed circuit board, and (c) an electrically conductive polymeric film disposed between circuit board and the anode electrodes. The polymeric film contains electrically conductive wires. The film bonds and electrically connects the printed circuit board and anode electrodes.

摘要翻译： （a）包括具有相对的前表面和后表面的半导体衬底的放射线检测器，位于所述半导体衬底的前表面上的阴极电极和在所述半导体衬底的后表面上的多个阳极电极，（b） 印刷电路板，以及（c）设置在电路板和阳极之间的导电聚合物膜。 聚合物膜包含导电线。 膜结合并电连接印刷电路板和阳极电极。

公开(公告)号：WO2009120568A3

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/US2009/037621

申请日：2009-03-19

申请人： NANOLAMBDA, INC. ,  CHOI, Byung ,  SONG, Min, Kyu ,  LEE, Byounghee

发明人： CHOI, Byung ,  SONG, Min, Kyu ,  LEE, Byounghee

IPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/10 ,  H01L31/101

摘要： A visible wavelength range proximity sensor includes a visible light emitter with a peak wavelength in a visible wavelength range, and a plasmonic ambient light sensor, where a proximity sensing mode and an ambient light sensing mode are time multiplexed.

公开(公告)号：WO2009031693A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：PCT/JP2008/066269

申请日：2008-09-03

申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA ,  ENDO, Tadao ,  KAMESHIMA, Toshio ,  YAGI, Tomoyuki ,  TAKENAKA, Katsuro ,  YOKOYAMA, Keigo

发明人： ENDO, Tadao ,  KAMESHIMA, Toshio ,  YAGI, Tomoyuki ,  TAKENAKA, Katsuro ,  YOKOYAMA, Keigo

IPC分类号： G01T1/24 ,  A61B6/00 ,  G01T1/00 ,  G01T1/20 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/09 ,  H04N5/32

CPC分类号： H01L27/14661 ,  H04N5/32 ,  H04N5/343 ,  H04N5/357 ,  H04N5/37213 ,  H04N5/374

摘要： First drive wirings electrically connected to output switching elements TT11 to TT63 in a plurality of n-th row pixels 111 and second drive wirings electrically connected to initializing switch elements TR11 to TR63 in a plurality of pixels 111 along a predetermined row are connected to a first drive circuit unit 121 arranged on a first side of a glass substrate 10. Third drive wirings electrically connected to output switching elements in a plurality of n+1-th row pixels 111 and fourth drive wirings electrically connected to initializing switch element in a plurality of pixels 111 along another row different from a predetermined row are connected to a second drive circuit unit 122 arranged along a second side in opposition to the first side of the glass substrate 10 sandwiching the converting unit 110 between the first and second sides. Thereby, the drive circuit unit can be electrically and simply implemented and freedom of selection of an output operation mode can be secured so that a high quality image subjected to reduction of shading influence can be realized and obtained.

摘要翻译： 电连接到多个第n行像素111中的输出开关元件TT11至TT63的第一驱动布线和沿着预定行电连接到多个像素111中的初始化开关元件TR11至TR63的第二驱动布线连接到第一 驱动电路单元121布置在玻璃基板10的第一侧上。电连接到多个第n + 1行像素111中的输出开关元件的第三驱动布线和与多个开关元件初始化开关元件电连接的第四驱动布线 沿着与预定行不同的另一行的像素111连接到第二驱动电路单元122，第二驱动电路单元122沿着与在第一和第二侧之间夹持转换单元110的玻璃基板10的第一侧相对布置。 由此，可以电气且简单地实现驱动电路单元，并且可以确保输出操作模式的选择的自由度，从而可以实现并获得经受降低遮蔽影响的高质量图像。