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公开(公告)号:WO2007015459A1
公开(公告)日:2007-02-08
申请号:PCT/JP2006/315143
申请日:2006-07-31
CPC classification number: C12Q1/6886 , C12Q2600/112 , C12Q2600/158
Abstract: 大腸癌のリンパ節転移の有無を予測するための方法及び当該方法に利用できる遺伝子セットを提供する。下記(1)~(4)の工程を含む、大腸癌リンパ節転移の有無を予測するための遺伝子セットの選択方法:(1)組織病理学的判定によりリンパ節転移の有無が明らかにされた患者の大腸癌原発巣組織における遺伝子発現情報を、教師あり学習解析方法を少なくとも一つ含む、4以上の解析方法で解析することにより、リンパ節転移の有無を正分類率75%以上で分類できる遺伝子群をそれぞれの解析方法において選定する工程、(2)(1)で用いたそれぞれの解析方法で選定された遺伝子群から、何れの解析方法でも共通して選定された共通遺伝子を選択する工程、(3)前記遺伝子発現情報を解析することにより、任意の2以上の遺伝子の組合せの中から、リンパ節転移の有無の分類を指示し、交互作用を示す遺伝子の組合わせを選択する工程、及び(4)前記共通遺伝子及び前記遺伝子の組合わせを説明変数として、リンパ節転移の有無を応答としたロジスティック回帰モデルにおける変数選択を行う工程;該選択方法により選択される、大腸癌リンパ節転移の有無を予測するための遺伝子セット;及び該遺伝子セットを用いることを特徴とする大腸癌リンパ節転移の有無を予測するための方法。
Abstract translation: 公开了一种预测结肠直肠癌淋巴结转移的存在或不存在的方法。 还公开了可用于该方法的一组基因。 一种选择用于预测结肠直肠癌淋巴结转移存在或不存在的一组基因的方法,所述方法包括以下步骤(1)至(4):(1)分析基因表达的信息 通过至少一种涉及至少一种监督学习分析方法的至少四种分析方法,通过组织病理学测试确定已经确定具有结肠直肠癌淋巴结转移的患者的结肠直肠癌的原发性病变,从而选择一组用于 确定每种分析方法的正确分类率为75%以上的淋巴结转移的存在或不存在; (2)在步骤(1)的所有分析方法中选择选自基因群的共同基因; (3)分析上述基因表达信息,将两种或多种基因的任意组合分配淋巴结转移的存在或不存在,然后从组合中选择显示相互作用的基因组合; (4)在逻辑回归模型中进行变量选择,使用共同基因和基因组合作为解释变量给出有关淋巴结转移存在或不存在的答案; 通过该方法选择的一组用于预测结肠直肠癌淋巴结转移的存在或不存在的基因; 以及通过使用该组基因来预测结肠直肠癌淋巴结转移的存在或不存在的方法。
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公开(公告)号:WO2004035594A1
公开(公告)日:2004-04-29
申请号:PCT/JP2003/012501
申请日:2003-09-30
IPC: C07F9/30
CPC classification number: C07F9/657172 , A61K31/662 , C07F9/301 , C07F9/3211 , C07F9/3217 , C07F9/4816 , C07F9/653 , Y02P20/55
Abstract: A compound represented by the general formula (1), a salt thereof, or a hydrate or solvate of either. These are intermediates for efficiently producing a phosphinic acid derivative which is a potent carboxypeptidase B inhibitor. (1) [In the formula, R and R may be the same or different and each independently represents hydrogen or an easily removable protective group; R represents hydrogen or an easily removable protective group; R represents hydrogen or an easily removable protective group; and m is an integer of 1 to 8.]
Abstract translation: 由通式(1)表示的化合物,其盐或其水合物或溶剂化物。 这些是有效产生作为有效的羧肽酶B抑制剂的次膦酸衍生物的中间体。 (1)[式中,R 1和R 2可以相同或不同,各自独立地表示氢或易除去的保护基; R 3表示氢或易除去的保护基; R 4表示氢或易于除去的保护基; m为1〜8的整数。]
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公开(公告)号:WO2012029474A1
公开(公告)日:2012-03-08
申请号:PCT/JP2011/067399
申请日:2011-07-29
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 原 謙一 , 早川 崇
IPC: H01L21/302 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32135 , H01L21/32139 , H01L21/76852 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 表面にマスク材(102)が形成された銅膜(101)に、マスク材(102)をマスクに用いて酸素イオン(6)を照射し、銅膜(101)内に、銅膜(101)の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅(103)を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅(103)をエッチングする工程と、を具備する。
Abstract translation: 该蚀刻方法包括使用氧离子(6)照射铜膜(101)的步骤,使用掩模材料(102)作为掩模使具有形成有掩模材料(102)的表面的铜膜(101) 以及形成相对于铜膜(101)的整个厚度方向在铜膜(101)内各向异性地氧化的氧化铜(103),以及蚀刻各向异性氧化的氧化铜(103)的工序。
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公开(公告)号:WO2007029650A1
公开(公告)日:2007-03-15
申请号:PCT/JP2006/317466
申请日:2006-09-04
IPC: C07D413/06 , C07D498/04
CPC classification number: C07D413/06
Abstract: Disclosed is a low-cost method for producing a 1ß-methylcarboxylic acid (A) which is an important intermediate for providing a 1ß-methylcarbapenem derivative at low cost. Also disclosed is such an intermediate. By compounds represented by the general formulae (I), (II) and (III) below and a method for producing a 1ß-methylcarboxylic acid (A) wherein such compounds are used, a 1ß-methylcarboxylic acid (A) as an important intermediate of a 1ß-methylcarbapenem derivative can be synthesized from a low-cost, natural L-threonine.
Abstract translation: 公开了一种生产1β-甲基羧酸(A)的低成本方法,其是以低成本提供1β-甲基碳青霉烯衍生物的重要中间体。 还公开了这样的中间体。 通过下述通式(I),(II)和(III)表示的化合物和使用这种化合物的1β-甲基羧酸(A)的制备方法,作为重要中间体的1β-甲基羧酸(A) 的1β-甲基碳青霉烯衍生物可以由低成本的天然L-苏氨酸合成。
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公开(公告)号:WO2006022334A1
公开(公告)日:2006-03-02
申请号:PCT/JP2005/015444
申请日:2005-08-25
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 定免 美保 , 原 謙一
IPC: C23C18/16 , C23C18/28 , C23C18/36 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C18/1651 , C23C18/38 , C23C18/54 , H01L21/288 , H01L21/76849 , H01L21/76874 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本発明は、絶縁膜をエッチングして凹部を形成する工程と、前記凹部に銅を埋め込んで銅配線を形成する工程と、カルボキシル基を有する有機酸の溶液にパラジウムを溶かしてなる置換めっき液を用いて、前記凹部に埋め込まれた銅の表面をパラジウム置換めっきする工程と、パラジウム置換めっきされた銅の表面に、無電解めっき液を用いて密着層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法,其特征在于它包括蚀刻绝缘膜,形成凹部的步骤,用铜填充凹部的步骤,以形成铜布线;对 通过使用通过将钯溶解在具有羧基的有机酸的溶液中制备的置换镀液,将上述凹部填充到具有钯的置换镀覆的铜,以及在具有羧基的表面上形成附着层的步骤 通过使用无电解镀液将铜层置换为钯。
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公开(公告)号:WO2006022133A1
公开(公告)日:2006-03-02
申请号:PCT/JP2005/014445
申请日:2005-08-05
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 原 謙一 , 定免 美保
IPC: C23C18/31 , H01L21/288
CPC classification number: C23C18/1628 , C23C18/1619 , H01L21/288 , H01L21/76846 , H01L21/76849
Abstract: 基板保持部に保持された基板の表面に対向するように温調用流体の通流室をなす上部温調体を設け、この中に無電解めっき液の供給路を引き回して温調用流体と無電解めっき液との間で熱交換させ、その下面側から無電解めっき液を吐出して上部温調体と基板との間に満たすようにする。また基板の裏面側に下部温調体を設けてこの中に温調用流体を通流させ、ここで裏面側用流体例えば純水と熱交換して当該純水を温調し、この純水により基板の裏面と下部温調体との間を満たすようにする。したがって、半導体装置を製造するためのプロセスの一つである、例えば層間絶縁膜に埋め込まれた配線材料の表面に対して行われる無電解めっき処理において、無電解めっき膜を予定している膜厚でかつ高い面内均一性及び面間均一性で形成することができる。
Abstract translation: 提供用于温度控制流体的循环室的上部温度控制器与保持在基板保持部分上的基板的表面相对设置。 在上部温度控制器中,将用于化学镀溶液的供给通道拉出以实现温度控制流体和化学镀溶液之间的热交换。 化学镀溶液从上部温度控制器的底侧排出,以填充上部温度控制器和基板之间的间隙。 此外,在基板的背面设置有较低的温度控制器,并且在其中循环温度控制流体。 在较低的温度控制器中,进行与背面的流体例如纯水的热交换。 因此,实现纯水的温度控制,并且衬底背面和下部温度控制器之间的间隙充满纯水。 因此,在半导体装置的制造方法的一部分中,例如,对嵌入在层间绝缘膜中的布线材料的表面进行化学镀处理,可以以预期的膜厚形成化学镀膜, 平面同质性和平面内同质性。
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