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    GRAPHENE WITH VERY HIGH CHARGE CARRIER MOBILITY AND PREPARATION THEREOF
    14.
    发明申请
    GRAPHENE WITH VERY HIGH CHARGE CARRIER MOBILITY AND PREPARATION THEREOF 审中-公开
    石墨具有非常高的承载力移动性和准备

    公开(公告)号：WO2014180919A1

    公开(公告)日：2014-11-13

    申请号：PCT/EP2014/059374

    申请日：2014-05-07

    Applicant: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. ,  GEORG-AUGUST-UNIVERSITÄT GÖTTINGEN STIFTUNG ÖFFENTLICHEN RECHTS

    Inventor： ALEC, Wodtke ,  HAK KI, Yuk

    IPC: C01B31/04

    CPC classification number: C01B31/0461 ,  B01J21/18 ,  C01B31/0453 ,  C01B32/186 ,  C01B32/188 ,  C01B32/20 ,  C09K5/14 ,  C25D3/38 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B29/02

    Abstract: The present invention relates to a graphene film, which is obtainable by a method comprising the steps of: a) providing a substrate, b) epitaxially growing a metal layer on a surface of the substrate, c) optionally increasing the thickness of the metal layer obtained in step b) by growing a metal onto the epitaxially grown metal layer, d) peeling off the metal layer obtained in step b) or optionally in step c) from the substrate and e) depositing graphene onto at least a part of that surface of the metal layer obtained in step d), which was in contact with the substrate before the peeling off conducted in step d). Such a graphene film has a very high charge carrier mobility, namely, when measured on a SiO 2 substrate, of more than 1 1000 cm 2 /V-sec, of at least 15000 cm 2 /V-sec, of at least 20000 cm 2 /V-sec, of at least 25000 cm 2 / V-sec or even of at least 30000 cm 2 /V-sec.

    Abstract translation: 本发明涉及一种石墨烯薄膜，其可通过包括以下步骤的方法获得：a）提供基材，b）在所述基材的表面上外延生长金属层，c）任选地增加所述金属层的厚度 通过在外延生长的金属层上生长金属获得步骤b）中获得的步骤b），d）从基板剥离步骤b）或任选地在步骤c）中获得的金属层，以及e）在该表面的至少一部分上沉积石墨烯 的步骤d）中获得的金属层，其在步骤d）中进行剥离之前与基板接触。 这样的石墨烯薄膜具有非常高的电荷载流子迁移率，即当在SiO 2衬底上测量时，具有至少15000cm 2 / V-sec的至少10000cm2 / V-sec的至少20000cm2 / V- 秒，至少25000cm2 / V-sec或甚至至少30000cm2 / V-sec。

    GRAPHENE COMPOSITE AND A METHOD OF MANUFACTURING A GRAPHENE COMPOSITE
    15.
    发明申请
    GRAPHENE COMPOSITE AND A METHOD OF MANUFACTURING A GRAPHENE COMPOSITE 审中-公开
    石墨复合材料和制造石墨复合材料的方法

    公开(公告)号：WO2013084160A2

    公开(公告)日：2013-06-13

    申请号：PCT/IB2012/056983

    申请日：2012-12-05

    Applicant: NOKIA CORPORATION

    Inventor： HAQUE, Samiul, Md ,  WHITE, Richard ,  BOWER, Chris

    IPC: B82B3/00

    CPC classification number: C01B31/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186

    Abstract: A method comprising: providing graphene on a growth substrate; providing a target substrate on the graphene to form a first composite comprising the target substrate and graphene; and removing at least a portion of the first composite from the growth substrate.

    Abstract translation: 一种方法，包括：在生长衬底上提供石墨烯; 在所述石墨烯上提供目标衬底以形成包含所述目标衬底和所述石墨烯的第一复合材料; 以及从所述生长衬底去除所述第一复合材料的至少一部分。

    METHODS OF NONDESTRUCTIVELY DELAMINATING GRAPHENE FROM A METAL SUBSTRATE
    16.
    发明申请
    METHODS OF NONDESTRUCTIVELY DELAMINATING GRAPHENE FROM A METAL SUBSTRATE 审中-公开
    从金属基底层析非线性分析石墨的方法

    公开(公告)号：WO2013043120A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：PCT/SG2012/000318

    申请日：2012-09-04

    Applicant: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE ,  LOH, Kian Ping ,  WANG, Yu

    Inventor： LOH, Kian Ping ,  WANG, Yu

    IPC: C01B31/02 ,  C25B1/04

    CPC classification number: C01B31/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B32/19 ,  C01B32/194 ,  C25F5/00 ,  Y02E60/366

    Abstract: Methods of delaminating a graphene film (60) from a metal substrate (50) are disclosed that substantially preserve the metal substrate. The methods include forming a support layer (80) on the graphene film and then performing an electrochemical process in an electrochemical apparatus (10). The electrochemical process creates gas bubbles (36) at the metal-film interface (64), thereby causing the delamination. The graphene film and support layer form a structure (86) that is collected by a take-up roller (120). The support layer and graphene structure are then separated to obtain the graphene film.

    Abstract translation: 公开了从金属基板（50）分离石墨烯膜（60）的方法，其基本上保持金属基板。 所述方法包括在石墨烯膜上形成支撑层（80），然后在电化学装置（10）中进行电化学处理。 电化学过程在金属 - 膜界面（64）处产生气泡（36），从而引起分层。 石墨烯膜和支撑层形成由卷取辊（120）收集的结构（86）。 然后分离支撑层和石墨烯结构以获得石墨烯膜。

    GRAPHENE DEFECT ALTERATION
    17.
    发明申请
    GRAPHENE DEFECT ALTERATION 审中-公开
    石墨缺陷修正

    公开(公告)号：WO2013039506A1

    公开(公告)日：2013-03-21

    申请号：PCT/US2011/051870

    申请日：2011-09-16

    Applicant: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC ,  MILLER, Seth Adrian

    Inventor： MILLER, Seth Adrian

    IPC: C01B31/04 ,  B32B5/00 ,  B82B3/00

    CPC classification number: C01B31/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C23C16/00

    Abstract: Technologies are generally described for a method and system configured effective to alter a defect area in a layer on a substrate including graphene. An example method may include receiving and heating the layer to produce a heated layer and exposing the heated layer to a first gas to produce a first exposed layer, where the first gas may include an amine. The method may further include exposing the first exposed layer to a first inert gas to produce a second exposed layer and exposing the second exposed layer to a second gas to produce a third exposed layer where the second gas may include an alane or a borane. Exposure of the second exposed layer to the second gas may at least partially alter the defect area.

    Abstract translation: 一般描述了一种方法和系统的技术，该方法和系统被配置为有效地改变包括石墨烯在内的衬底上的层中的缺陷区域。 示例性方法可以包括接收和加热层以产生加热层并将加热层暴露于第一气体以产生第一暴露层，其中第一气体可以包括胺。 该方法还可以包括将第一暴露层暴露于第一惰性气体以产生第二暴露层，并将第二暴露层暴露于第二气体以产生第三暴露层，其中第二气体可包括丙烷或硼烷。 第二暴露层暴露于第二气体可以至少部分地改变缺陷区域。

    グラフェン製造用銅箔、及びグラフェンの製造方法
    18.
    发明申请
    グラフェン製造用銅箔、及びグラフェンの製造方法 审中-公开
    用于制造石墨和石墨制造方法的铜箔

    公开(公告)号：WO2012165548A1

    公开(公告)日：2012-12-06

    申请号：PCT/JP2012/064077

    申请日：2012-05-31

    Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 ,  千葉 喜寛 ,  山路 達也

    Inventor： 千葉　喜寛 ,  山路　達也

    IPC: C01B31/02

    CPC classification number: C01B31/0453 ,  B01J23/72 ,  B01J27/04 ,  B01J37/0009 ,  B01J37/0081 ,  B01J37/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22F1/08 ,  Y10T428/12431

    Abstract: 【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。 【解決手段】水素を２０体積％以上含有し残部アルゴンの雰囲気中で１０００℃で１時間加熱前の走査電子顕微鏡による表面の元素分析を行って測定される直径が０．５μｍ以上の酸化物及び硫化物の合計個数が１５個/ｍｍ ２ 以下であるグラフェン製造用銅箔である。

    Abstract translation: [问题]提供以下：用于制造石墨烯的铜箔，由此可以廉价地生产大块石墨烯; 以及使用所述铜箔的石墨烯制造方法。 [解决方案]用于制造石墨烯的铜箔。 在1000℃下在含有至少20体积％氢气的气氛中加热1小时，否则由氩气组成，所述铜箔每平方毫米总共不超过15个氧化物和硫化物，其直径为 使用扫描电子显微镜通过表面元素分析测量为0.5μm以上。

    CRYSTALLINE SURFACE STRUCTURES AND METHODS FOR THEIR FABRICATION
    20.
    发明申请
    CRYSTALLINE SURFACE STRUCTURES AND METHODS FOR THEIR FABRICATION 审中-公开
    晶体表面结构及其制造方法

    公开(公告)号：WO2010058083A1

    公开(公告)日：2010-05-27

    申请号：PCT/FI2009/050939

    申请日：2009-11-19

    Applicant: CANATU OY ,  BROWN, David P. ,  VON PFALER, Jan

    Inventor： BROWN, David P. ,  VON PFALER, Jan

    IPC: B82B3/00 ,  C23C8/00 ,  C01B31/02

    CPC classification number: C23C8/22 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0453 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/02 ,  C01B2204/04 ,  C01B2204/06 ,  C23C8/00 ,  C23C8/02 ,  C23C8/08 ,  C23C8/40 ,  C23C8/80 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02658

    Abstract: A method for fabricating crystalline surface structures (4) on a template (1). The method comprises the steps of providing a template (1) into a reaction environment, wherein one or more elements (3) required for the formation of the crystalline surface structure (4) are contained within the template (1); heating the template (1) inside the reaction environment to increase the mobility of the element (3) within the template (1), and to increase the surface diffusion length of the element (3) on the template-environment interface; and activating the template (1) by altering the conditions within the reaction environment, to make the mobile element (3) slowly migrate towards the template-environment interface and to make the element (3) organize on the surface of the template (1) as a crystalline structure (4).

    Abstract translation: 一种用于在模板（1）上制造结晶表面结构（4）的方法。 该方法包括以下步骤：将模板（1）提供到反应环境中，其中形成晶体表面结构（4）所需的一个或多个元素（3）包含在模板（1）内; 在反应环境内加热模板（1）以增加模板（1）内的元件（3）的迁移率，并增加元件（3）在模板 - 环境界面上的表面扩散长度; 以及通过改变反应环境中的条件来激活模板（1），使得移动元件（3）缓慢地向模板 - 环境界面迁移并且使元件（3）组织在模板（1）的表面上， 作为结晶结构（4）。

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