Abstract:
본 발명은 스테인레스 발색 기판 및 이를 위한 스테인레스 기판의 발색 방법에 관한 것으로, 상기 발색 기판은 표면 경도가 높은 스테인레스 기재 상에 얇은 두께의 글래스층, 금속층 및 탑코팅층을 순차적으로 적층시킴으로써 스테인레스 기재의 고유 질감 및 광택을 유지하면서 표면에 다양한 색상을 높은 발색력으로 균일하게 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 표면에 구현된 색상의 변색 없이 우수한 내마모성 및 내식성을 나타내는 이점이 있다. 또한, 상기 발색 기판은 종래 발색 기판과 대비하여 박형화가 용이하므로 금속 소재가 사용되는 건축 외장재, 자동차 인테리어, 특히 모바일 제품 프레임 등의 전기전자 부품소재 분야에서 유용하게 사용될 수 있다.
Abstract:
Embodiments of the present disclosure describe methods of synthesis of amidines, amidine-metal complexes, thin metal films formed using amidine-metal complexes on semiconductor devices, and semiconductor devices and systems with thin metal films formed using amidine-metal complexes. Other embodiments may be described and/or claimed.
Abstract:
Various embodiments provide a method and apparatus for forming a three- dimensional article through successive fusion of parts of at least one layer of a powder bed provided on a work table in an additive manufacturing machine, which parts corresponds to successive cross sections of the three-dimensional article. The method comprises the steps of: applying a layer of predetermined thickness of powder particles on the work table, applying a coating on at least a portion of the powder particles, which coating is at least partially covering the powder particles, and fusing the powder particles on the work table with an electron beam.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine weichmagnetische Komponente (1) wobei die weichmagnetische Komponente (1) aus miteinander versinterten Basiskörpern (2) aus mindestens einem Eisenwerkstoff ausgebildet ist, wobei mindestens der durch versintern miteinander verbundene Teil der Oberfläche (4) der Basiskörper (2) eine Oberflächenschicht (3) aus Si oder einer Silizium-haltigen Eisenschicht aufweist und weiterhin diese Oberflächenschicht (3) mit einem Gradienten im Siliziumgehalt mit dem höchsten Siliziumgehalt in der Oberfläche (4) der Basiskörper ausgebildet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen weichmagnetischen Komponente (1), sowie deren Verwendung.
Abstract:
The present invention relates to an apparatus for forming a gas blocking layer for blocking moisture and oxygen gas which is used for an organic electronic device such as an organic light emitting device, an organic solar cell, and the like, and a method thereof, and more particularly to an apparatus for forming a gas blocking layer and a method thereof which can form a high performance gas blocking layer for satisfying characteristics of productivity improved productivity and lower manufacturing costs by forming all the gas blocking layers within a vacuum chamber with one process to maintain continuity. A process for forming an organic/inorganic mixed multilayer gas blocking layer of a stacked structure including an organic thin film and an inorganic thin film to form the high performance gas blocking layer, forming a high-density thin film through a continuous change in a size of a nano-crystal structure according to the thickness of the single inorganic thin film being variably controlled by using a neutral particle beam processing method based on sputtering methods for forming the inorganic thin film thereof, and forming the organic thin film to selectively have a buffering substrate layer formed by the Chemical Vapor Deposition (CVD) method for vaporizing liquefied materials for high molecular organic thin films.
Abstract:
Device (1) for holding pieces of goods, while treating the goods during a surface treatment process. The device (1) comprises a plurality of hangers (2), each hanger including an elongated element (3) having one end (4) arranged for the purpose of carrying goods and an opposite end that is bent and provided with a stopping member (5) having a width that is larger than the width of the elongated element (3). The device (1) also comprises a framework (6), including a plurality of rails (7) wherein each rail (7) is provided with a plurality of openings (8) adapted to receive the hangers (2). Some of the openings (8) comprise a first part arranged to receive the stopping member (5) of the hanger (2) while the hanger (2) is threaded to the rails (7) and a second part arranged to keep the bent end of the hanger (2) during the galvanization process. Further the second part of the opening is arranged below the first part of the opening seen from a gravitational point of view, in order to retain the hangers (2) in a predetermined position within the second part of the opening.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Beschichtungsanlage, enthaltend zumindest einen evakuierbaren Rezipienten, welcher zur Aufnähme eines Substrates vorgesehen ist, zumindest eine Gaszufuhreinrichtung, mittels welcher zumindest ein gasförmiger Prekursor in den Rezipienten einleitbar ist und zumindest eine Aktivierungseinrichtung, welche zumindest ein beheizbares Aktivierungselement enthält, dessen Ende an einer Befestigungsstelle an einem Halteelement befestigt ist, wobei das Aktivierungselement mit zumindest einer ersten Heizeinrichtung und zumindest einer zweiten Heizeinrichtung beheizbar ist und mit der ersten Heizeinrichtung ein über die Längserstreckung des Aktivierungselementes gleichmäßiger Energieeintrag bewirkbar ist und mit der zweiten Heizeinrichtung ein über die Längserstreckung des Aktivierungselementes variierender Energieeintrag bewirkbar ist, so dass die Temperatur des Aktivierungselementes in zumindest einem Längsabschnitt unter Einwirkung der zweiten Heizeinrichtung über 1300°C bringbar ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein korrespondierendes Beschichtungsverfahren.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Hartmetallkörpers mit einer Beschichtung oder Beschichtungslage aus zumindest überwiegend kubischem Bornitrid. Um eine gut haftende Schicht mit überwiegendem Anteil an kubischem Bornitrid und geringen Schichtspannungen zu erreichen, ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass das Verfahren folgende Schritte umfasst: a) Bereitstellen eines Hartmetallkörpers enthaltend etwa gleichmäßig verteilt Hartstoff mit Wolframcarbid und zumindest einem Carbid, Nitrid und/oder Carbonitrid eines oder mehrerer zusätzlicher Metalle ausgewählt aus den Gruppen IV B, V B und VI B des Periodensystems der Elemente sowie Eisen und/oder Nickel und/oder Cobalt als Bindemetall(e), wobei ein Hartstoffanteil mehr als 60 Gewichtsprozent beträgt, b) Behandeln des Hartmetallkörpers, um an einer mit Bornitrid zu beschichtenden Oberfläche des Hartmetallkörpers eine Zone zu erhalten, die ein Carbonitrid, Nitrid, Bornitrid, Borcarbid und/oder Borcarbonitrid der zusätzlichen Metalle als Hauptbestandteil(e) enthält, c) Aufbringen von Keimen aus Diamant und/oder kubischem Bornitrid auf die in Schritt b) erhaltene Zone, d) Abscheiden einer Bornitridschicht auf der bekeimten Zone.