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    多孔質ハニカム構造体の製造方法及び多孔質ハニカム構造体
    32.
    发明申请
    多孔質ハニカム構造体の製造方法及び多孔質ハニカム構造体 审中-公开
    生产多孔蜂窝结构和多孔蜂窝结构的方法

    公开(公告)号：WO2005102963A1

    公开(公告)日：2005-11-03

    申请号：PCT/JP2005/007605

    申请日：2005-04-21

    Applicant: 日本碍子株式会社 ,  森本 健司

    Inventor： 森本 健司

    IPC: C04B38/00

    CPC classification number: B01D39/2079 ,  B01D39/2037 ,  C04B38/0006 ,  Y10T428/24149 ,  C04B35/515

    Abstract: 　非酸化物セラミックス及び／又は金属からなる主成分材料並びに有機バインダを含有する成形原料を混練して坏土を調製し、調製された坏土を成形、乾燥してハニカム形状の成形体（ハニカム成形体）を作製し、作製されたハニカム成形体を仮焼成して仮焼体とした後に仮焼体を本焼成して多孔質のハニカム構造体を得る多孔質ハニカム構造体の製造方法であって、成形原料として、主成分材料及び有機バインダに加えて、無機層状材料を、主成分材料１００質量部に対して、０．０１～１０質量部さらに含有したものを用いる。

    Abstract translation: 一种制造多孔蜂窝结构体的方法，其中将含有由非氧化物陶瓷和/或金属和有机粘合剂构成的主要成分材料的成型原料捏合以制备主体，形成本体并干燥以制造 以蜂窝（蜂窝成形体）的形式形成的成型体，将蜂窝成形体煅烧成煅烧制品，然后烧成煅烧制品以制备多孔蜂窝结构体，其包括使用进一步包含无机层状的材料 作为上述成型原料，相对于主成分材料100质量份，除了上述主成分材料和有机粘合剂以外，还含有0.01〜10质量份的材料。

    SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT HAVING IMPROVED PARTICLE PERFORMANCE
    34.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT HAVING IMPROVED PARTICLE PERFORMANCE 审中-公开
    具有改进颗粒性能的半导体处理设备

    公开(公告)号：WO02003427A2

    公开(公告)日：2002-01-10

    申请号：PCT/US2001/020284

    申请日：2001-06-25

    IPC: C04B41/00 ,  C04B41/80 ,  C23C16/44 ,  H01L21/00

    CPC classification number: C04B41/009 ,  C04B41/0054 ,  C04B41/80 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/321 ,  C04B41/53 ,  C04B35/565 ,  C04B35/515

    Abstract: A ceramic part having a surface exposed to the interior space, the surface having been shaped and plasma conditioned to reduce particles thereon by contacting the shaped surface with a high intensity plasma. The ceramic part can be made by sintering or machining a chemically deposited material. During processing of semiconductor substrates, particle contamination can be minimized by the ceramic part as a result of the plasma conditioning treatment. The ceramic part can be made of various materials such as alumina, silicon dioxide, quartz, carbon, silicon, silicon carbide, silicon nitride, boron nitride, boron carbide, aluminum nitride or titanium carbide. The ceramic part can be various parts of a vacuum processing chamber such as a liner within a sidewall of the processing chamber, a gas distribution plate supplying the process gas to the processing chamber, a baffle plate of a showerhead assembly, a wafer passage insert, a focus ring surrounding the substrate, an edge ring surrounding an electrode, a plasma screen and/or a window.

    Abstract translation: 具有暴露于内部空间的表面的陶瓷部件，所述表面已经被成形并且被等离子体调节以通过使成形表面与高强度等离子体接触而在其上减少颗粒。 陶瓷部件可以通过烧结或加工化学沉积材料制成。 在半导体基板的加工过程中，由于等离子体调理处理，陶瓷部件可以使颗粒污染最小化。 陶瓷部件可以由各种材料制成，例如氧化铝，二氧化硅，石英，碳，硅，碳化硅，氮化硅，氮化硼，碳化硼，氮化铝或碳化钛。 陶瓷部分可以是真空处理室的各个部分，例如处理室的侧壁内的衬垫，将处理气体供应到处理室的气体分配板，喷头组件的挡板，晶片通道插入件， 围绕基板的聚焦环，围绕电极的边缘环，等离子体屏幕和/或窗口。

    SURFACE TREATMENT OF 312 TERNARY CERAMIC MATERIALS AND PRODUCTS THEREOF
    35.
    发明申请
    SURFACE TREATMENT OF 312 TERNARY CERAMIC MATERIALS AND PRODUCTS THEREOF 审中-公开
    312陶瓷材料及其制品的表面处理

    公开(公告)号：WO98030340A1

    公开(公告)日：1998-07-16

    申请号：PCT/US1998/000297

    申请日：1998-01-09

    IPC: C04B41/80 ,  C04B41/45 ,  C04B41/81 ,  B05D3/02 ,  B05D3/04 ,  B23B9/00 ,  B23B9/04 ,  B23B19/00

    CPC classification number: C04B41/009 ,  C04B41/4556 ,  C04B41/81 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/5053 ,  C04B41/4519 ,  C04B35/515 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/5061 ,  C04B41/5068 ,  C04B41/5071 ,  C04B35/58 ,  C04B35/56

    Abstract: A ceramic material is surface treated by contacting the surface of a 312 ternary ceramic material with a surface-modifying compound selected from carburization agents, silicidation agents, nitridation agents and boronization agents, at an elevated temperature of at least about 600 DEG C for a period of time sufficient to provide a surface reaction layer of at least about one micron in thickness in the surface-treated material, preferably having a surface hardness in excess of about 6 GPa. A product made by the method of this invention is also disclosed having a surface hardness in excess of about 6 GPa, preferably at least about 10 GPa.

    Abstract translation: 陶瓷材料通过将312三元陶瓷材料的表面与选自渗碳剂，硅化剂，氮化剂和硼化剂的表面改性化合物的表面在至少约600℃的高温下接触一段时间进行表面处理一段时间 足以在表面处理的材料中提供至少约一微米厚的表面反应层，优选具有超过约6GPa的表面硬度。 还公开了通过本发明的方法制造的产品，其具有超过约6GPa，优选至少约10GPa的表面硬度。

    MONOLITHIC CERAMIC TRUSS STRUCTURE
    37.
    发明申请
    MONOLITHIC CERAMIC TRUSS STRUCTURE 审中-公开
    单晶陶瓷TRUSS结构

    公开(公告)号：WO1993009068A1

    公开(公告)日：1993-05-13

    申请号：PCT/US1992009235

    申请日：1992-10-24

    Applicant: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION

    Inventor： UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION ,  ARNOLD, Joe, F.

    IPC: C04B35/00

    CPC classification number: G02B7/183 ,  C04B35/515

    Abstract: An open truss structure includes a plurality of ceramic truss members integrally cast in the form of a three-dimensional, lightweight, monolithic truss. The truss structure may be an integral part of a ceramic mirror substrate that supports a precision mirror surface. A dissolvable core used to form the truss with a slip casting method can be made by forming a plurality of internal passages in a suitably-shaped piece of a nonporous material. The nonporous material becomes the dissolvable core and the internal passages form the integral truss members when filled with a liquid-containing ceramic slip. The nonporous material used to make the dissolvable core is capable of dissolving at a temperature below the freezing point of the liquid in the ceramic slip.

    Abstract translation: 开放的桁架结构包括以三维轻质的整体式桁架的形式整体铸造的多个陶瓷桁架构件。 桁架结构可以是支撑精密镜面的陶瓷镜面基板的组成部分。 可以通过在适当形状的无孔材料片中形成多个内部通道来制造用于通过滑移浇铸法形成桁架的可溶解芯。 无孔材料成为可溶解的芯，当填充含液体的陶瓷滑移时，内部通道形成整体的桁架构件。 用于制造可溶解芯的无孔材料能够在低于陶瓷滑移液中的凝固点的温度下溶解。

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