公开(公告)号：WO2015096249A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/CN2014/071013

申请日：2014-01-21

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 李蒙 ,  王金杰

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/44 ,  G03F7/20 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/134336 ,  G03F1/00

Abstract: 一种掩膜板（10），对其曝光的方法以及包括该掩膜板（10）的液晶面板。在该掩膜板（10）上设置有多个图案区，多个画素区按照其尺寸从掩膜板（10）的中心到边缘成梯度变换的方式而设置。对该掩膜板（10）曝光的方法包括以下步骤：水平地设置曝光罩（20），并检测其形变度；在掩膜板（10）上设置多个图案区，并且多个图案区根据曝光罩（20）的形变度以从掩膜板（10）的中心到边缘成梯度变换的方式而设置；完成掩膜板（10）曝光。该掩膜板（10）能够补偿由于曝光罩（20）弯曲变形对掩膜板（10）的曝光面积的影响。

公开(公告)号：WO2013189724A3

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/EP2013061370

申请日：2013-06-03

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： HINNEN PAUL ,  WANG SHU-JIN ,  LEEWIS CHRISTIAN ,  PAO KUO-FENG

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/44

CPC classification number: G03F7/70641 ,  G03F1/42 ,  G03F1/44 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70683

Abstract: A method of determining focus of a lithographic apparatus has the following steps. Using the lithographic process to produce first and second structures on the substrate, the first structure has features which have a profile that has an asymmetry that depends on the focus and an exposure perturbation, such as dose or aberration. The second structure has features which have a profile that is differently sensitive to focus than the first structure and which is differently sensitive to exposure perturbation than the first structure. Scatterometer signals are used to determine a focus value used to produce the first structure. This may be done using the second scatterometer signal, and/or recorded exposure perturbation settings used in the lithographic process, to select a calibration curve for use in determining the focus value using the first scatterometer signal or by using a model with parameters related to the first and second scatterometer signals.

Abstract translation: 确定光刻设备的焦点的方法具有以下步骤。 使用光刻工艺在衬底上产生第一和第二结构，第一结构具有特征，其具有取决于焦点和曝光扰动（例如剂量或像差）的不对称性的轮廓。 第二结构具有这样的特征，其具有与第一结构不同的焦点敏感性，并且与第一结构不同的曝光扰动敏感度。 散射仪信号用于确定用于产生第一结构的聚焦值。 这可以使用第二散射仪信号和/或在光刻处理中使用的记录的曝光扰动设置来完成，以选择用于使用第一散射仪信号确定聚焦值的校准曲线，或者通过使用具有与 第一和第二散射仪信号。

公开(公告)号：WO2013123260A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：PCT/US2013/026224

申请日：2013-02-14

Applicant: KLA-TENCOR CORPORATION

Inventor： HESS, Carl ,  SHI, Rui-fang ,  VAVUL, Thomas

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/44

CPC classification number: G01N21/95 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/95676 ,  G03F1/84 ,  G03F7/7065

Abstract: Disclosed are methods and apparatus for inspecting a photolithographic reticle. A plurality of patch areas of a reticle is defined. Prior to using a reticle in any photolithography process, an optical reticle inspection tool is used during a first inspection to obtain, for each of a plurality of sets of one or more patch areas, a reference average of multiple reference intensity values corresponding to light measured from a plurality of sub-areas of each patch area of the reticle. After using the reticle in a plurality of photolithography processes, the optical reticle inspection tool is used during a second inspection to obtain, for each of the sets of one or more patch areas, an average of multiple test intensity values corresponding to light measured from the plurality of sub-areas of each patch area of the reticle. A same setup recipe for the optical reticle inspection tool is used for both the first and second inspections. A difference intensity map is generated, and such map comprises a plurality of map values that each corresponds to a difference between each average of the test intensity values and average of the reference intensity values for each of the sets of one or more patches. The difference intensity map indicates whether the reticle has degraded over time more than a predefined level.

Abstract translation: 公开了用于检查光刻掩模版的方法和装置。 定义了掩模版的多个贴片区域。 在任何光刻工艺中使用掩模版之前，在第一次检查期间使用光学掩模版检查工具，以针对多个一组或多个贴片区域中的每一组获得对应于所测量的光的多个参考光强值的参考平均值 从掩模版的每个贴片区域的多个子区域。 在多个光刻工艺中使用掩模版之后，在第二次检查期间使用光学掩模版检查工具，以针对每个一个或多个贴片区域中的每一个获得对应于从所述贴片区域测量的光的多个测试强度值的平均值 标线片的每个贴片区域的多个子区域。 光掩模检查工具的相同设置配方用于第一次和第二次检查。 生成差分强度图，并且这样的图包括多个映射值，每个映射值对应于测试强度值的每个平均值与每个一个或多个补丁的集合中的参考强度值的平均值之间的差值。 差分强度图表示在超过预定义水平的时间内光罩是否已经劣化。

公开(公告)号：WO2013118716A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：PCT/JP2013/052599

申请日：2013-02-05

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 笑喜　勉 ,  浜本　和宏

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24 ,  G03F1/44

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/44 ,  G03F1/84

Abstract: 　本発明は、欠陥の座標管理を高精度で行うための基準マークを形成した多層反射膜付き基板を提供する。　本発明では、基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板における上記多層反射膜に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されている。この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成される。前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線描画機又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有する。

Abstract translation: 本发明提供一种具有多层反射膜的基板，其上形成有用于以高度准确的方式管理缺陷坐标的参考标记。 在本发明中，在形成该多层反射膜的基板中的EUV反射多层反射膜上形成表示缺陷信息中的缺陷位置的基准的基准标记。 参考标记包括用于确定缺陷位置的参考点的主标记和围绕主标记布置的辅助标记。 主标记具有点对称形状，并且在缺陷检查光的扫描方向上具有200nm至10μm的宽度的部分或电子束光刻机。