公开(公告)号：WO2017153152A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：PCT/EP2017/053643

申请日：2017-02-17

Applicant: ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： VAN BERKEL, Koos ,  KOEVOETS, Adrianus, Hendrik

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/24 ,  G02B7/18

CPC classification number: G02B5/0891 ,  G02B7/1815 ,  G03F1/24 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70891

Abstract: A reflector for EUV radiation, the reflector comprising a reflector substrate and a reflective surface, the reflector substrate having a plurality of coolant channels formed therein, the coolant channels being substantially straight, substantially parallel to each other and substantially parallel to the reflective surface and configured so that coolant flows in parallel through the coolant channels and in contact with the reflector substrate.

Abstract translation: 一种用于EUV辐射的反射器，所述反射器包括反射器基板和反射表面，所述反射器基板具有形成在其中的多个冷却剂通道，所述冷却剂通道基本上是直的，彼此基本平行，以及 基本上平行于反射表面并且被配置为使得冷却剂平行地流过冷却剂通道并且与反射器基板接触。

公开(公告)号：WO2017102256A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：PCT/EP2016/078343

申请日：2016-11-21

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH ,  HUBER, Peter

Inventor： HUBER, Peter

IPC: G03F1/24 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06

CPC classification number: G03F7/70891 ,  G03F1/24 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/065

Abstract: Die Erfindung betrifft ein reflektives optisches Element, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage oder eine Maskeninspektionsanlage. Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist das refiektive optische Element eine optische Wirkfläche, ein Substrat (405, 505), ein Reflexionsschichtsystem (410, 510) und wenigstens eine poröse Ausgasschicht (450, 550) auf, welche bei Bestrahlung der optischen Wirkfläche (400a, 500a) mit elektromagnetischer Strahlung zumindest zeitweise in der Ausgasschicht (450, 550) adsorbierte Teilchen freisetzt.

Abstract translation: 反射光学元件技术领域本发明涉及一种反射光学元件，特别是用于微光刻投影曝光设备或掩模检测系统。 宝石＆AUML;大街 澈，衬底（405，505），反射层系统（410，510）和至少一个POR＆OUML;本发明中，refiektive光学元件，光学Wirkfl＆AUML的一个方面本身Ausgasschicht（450，550），其在所述光学Wirkfl＆照射AUML 具有电磁辐射的表面（400a，500a）至少暂时释放吸气在释气层（450,550）中的颗粒。

公开(公告)号：WO2016204051A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/JP2016/067134

申请日：2016-06-08

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 小林　巧 ,  浜本　和宏 ,  淺川　竜男 ,  笑喜　勉

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/40

CPC classification number: G03F1/40 ,  G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: パターン転写の際の反射型マスクの位置ずれを防止することができる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を得る。　リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜が形成された導電膜付き基板であって、前記導電膜表面の静摩擦係数が０．２５以上であることを特徴とする導電膜付き基板である。

Abstract translation: 获得具有导电膜的基板，用于制造反射掩模的基板，可防止图案转印期间的反射掩模的位置偏移。 设置有导电膜的基板具有形成在用于光刻的掩模板的基板的主表面的一个表面上的导电膜，其中设置有导电膜的基板的特征在于，导电性的导电性的静摩擦系数 胶片表面为0.25以上。

公开(公告)号：WO2015153774A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：PCT/US2015/023899

申请日：2015-04-01

Applicant: ZYGO CORPORATION

Inventor： TRICARD, Marc

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/46 ,  G03F1/48 ,  G03F1/60 ,  G03F1/76 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067 ,  H05G2/001

Abstract: A photo-mask for use in extreme ultraviolet (EUV) lithography, in which the photo-mask has low coefficient of thermal expansion and high specific stiffness.

Abstract translation: 用于极紫外（EUV）光刻的光掩模，其中光掩模具有低热膨胀系数和高比刚度。

公开(公告)号：WO2015146140A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2015/001641

申请日：2015-03-23

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 波木井　秀充 ,  高橋　聡

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/24 ,  G03F1/84

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/84

Abstract: 　ＥＵＶマスクにおいて、位相欠陥の多層反射膜中の伝播状態を考慮した、位相欠陥周囲の吸収層パターンの最適な修正量を精度高く見積もる技術を提供する。　基板上に多層反射膜が形成されたＥＵＶマスクの位相欠陥評価方法は、基板上に欠陥検査用の基準マークを形成する工程と、基板上の欠陥検査を行い、基板上の欠陥である基板上欠陥の少なくとも位置座標を計測する工程と、基板上に多層反射膜を形成する工程と、多層反射膜上の欠陥検査を行い、多層反射膜上の欠陥である反射膜上欠陥の少なくとも位置座標を計測する工程と、多層反射膜内部の欠陥モデルを用意した欠陥モデルライブラリから参照する工程と、基板上欠陥の位置座標、反射膜上欠陥の位置座標及び多層反射膜内部の欠陥モデルに基づいて、多層反射膜内部における位相欠陥の伝播状態推定モデルを作成する工程とを含む。

Abstract translation: 提供了一种极紫外（EUV）掩模，其中可以高精度地估计围绕相缺陷的吸收层图案的最佳校正量，同时考虑到多层反射膜中的相缺陷的传播状态。 在基板上形成多层反射膜的EUV掩模中的相位缺陷评价方法包括：在基板上形成缺陷检查基准标记的工序; 对基板进行缺陷检查，并至少测量作为基板上的缺陷的基板缺陷的位置坐标的步骤; 在基板上形成多层反射膜的工序; 对多层反射膜进行缺陷检查，至少测定多层反射膜上的缺陷的反射膜缺陷的位置坐标的步骤; 关于多层反射膜的内部的缺陷模型参考已经制备的缺陷模型库的步骤; 根据基板缺陷的位置坐标，反射膜缺陷的位置坐标以及缺陷模型来制作多层反射膜内部的相位缺陷的传播状态估计模型的步骤 用于多层反射膜的内部。

公开(公告)号：WO2015141230A1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：PCT/JP2015/001543

申请日：2015-03-19

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 西山　泰史

IPC: G03F1/24 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/38 ,  G03F1/42

Abstract: 　反射型フォトマスクの製造において、パターン領域の周囲にある反射多層膜を除去して遮光枠を形成した場合であっても反射多層膜の圧縮応力に起因する転写パターンの位置ずれ量を低減し、転写される像の位置精度の向上を図ることができる反射型フォトマスクブランクを提供する。本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランク（５０２）は、基板（１０）の一方の面に、反射多層膜（２０）と吸収膜（３０）とをこの順に重ねて設け、基板（１０）の他方の面に導電膜（５０）を設けた反射型フォトマスクブランクであって、反射型フォトマスクブランク（５０２）の外周部に、フィデュシャルマーク（４２）と位置計測マーク（３４）とを設け、位置計測マーク（３４）は、遮光枠を形成した際に生じる応力開放起因による影響を補正するために利用されるものである。

Abstract translation: 提供了一种反射式光掩模坯料，其在反射光掩模的制造过程中能够减少由反射性多层膜的压缩应力引起的转印图案的位置位移，即使图案区域附近的反射多层膜 并形成遮光框架; 并提高正在传送的图像的位置精度。 该反射光掩模坯料（502）具有在基板（10）的一个表面上以所述顺序分层设置的反射性多层膜（20）和吸收膜（30），以及设置在基板 衬底（10）的另一表面。 在反射光掩模坯料（502）的外周部上设置有基准标记（42）和位置测量标记（34）。 位置测量标记（34）用于校正形成遮光框时释放的应力的影响。

公开(公告)号：WO2015137077A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：PCT/JP2015/054578

申请日：2015-02-19

Applicant: 芝浦メカトロニクス株式会社

Inventor： 松嶋　大輔 ,  出村　健介 ,  鈴木　将文 ,  中村　聡

IPC: G03F1/82 ,  G03F1/24 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F1/82 ,  B08B7/0035 ,  G03F1/24

Abstract: 反射型マスクに設けられたルテニウムを含むキャッピング層の光学特性の劣化を抑制することができる反射型マスクの洗浄装置、および反射型マスクの洗浄方法を提供することである。 実施形態に係る反射型マスクの洗浄装置は、反射型マスクに設けられたルテニウムを含むキャッピング層に、有機溶剤および界面活性剤の少なくともいずれかを含む第１の溶液を供給する第１の供給部と、前記キャッピング層に、還元性溶液および酸素を含まない溶液の少なくともいずれかを供給する第２の供給部と、を備えている。　また、他の実施形態に係る反射型マスクの洗浄装置は、反射型マスクに設けられたルテニウムを含むキャッピング層に、還元性ガスから生成されたプラズマ生成物を供給する第３の供給部と、前記キャッピング層に、還元性溶液および酸素を含まない溶液の少なくともいずれかを供給する第２の供給部と、を備えている。

Abstract translation: 提供：一种用于清洁反射掩模的装置，其能够抑制设置在反射掩模上并包含钌的覆盖层的光学特性的劣化; 以及清洁反射掩模的方法。 根据本发明的一个实施方案的用于清洁反射罩的设备具有：第一供应单元，其将含有有机溶剂和/或表面活性剂的第一溶液供应到设置在反光罩上的包覆层，并且包含 钌; 以及向所述封盖层供给还原溶液和/或不含氧的溶液的第二供给单元。 根据本发明另一实施例的用于清洁反射掩模的装置设置有：第三供应单元，其将由还原气体产生的等离子体产物提供给设置在反射掩模上并包含钌的覆盖层; 以及向所述封盖层供给还原溶液和/或不含氧的溶液的第二供给单元。

公开(公告)号：WO2015116758A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：PCT/US2015/013417

申请日：2015-01-29

Applicant: CORNING INCORPORATED

Inventor： ANGELL, William R, IV ,  ANNAMALAI, Sezhian ,  DURAN, Carlos Alberto ,  MAXON, John Edward

IPC: C03C3/06 ,  C03C3/062 ,  C03B19/14 ,  G03F1/24

CPC classification number: C03C3/076 ,  C03B19/09 ,  C03B19/1407 ,  C03B19/1415 ,  C03B2201/42 ,  C03B2207/50 ,  C03C3/06 ,  C03C3/062 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/10 ,  C03C2203/40 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60

Abstract: A glass article for use in Extreme Ultra Violet Lithography (EUVL) is provided. The glass article includes a silica-titania glass having a compositional gradient through the glass article, the compositional gradient being defined by the functions: [TiO 2 ] = (c + f(x,y,z)), and [SiO 2 ] = (100 - {c + f(x,y,z)} - δ(x,y,z) ) wherein [TiO 2 ] is the concentration of titania in wt.%, [SiO 2 ] is the concentration of silica in wt.%, c is the titania concentration in wt.% for a predetermined zero crossover temperature (T zc ), f(x,y,z) is a function in three-dimensional space that defines the difference in average composition of a volume element centered at the coordinates (x,y,z) with respect to c, and δ(x,y,z) is a function in three-dimensional space that defines the sum of all other components of a volume element centered at the coordinates (x,y,z).

Abstract translation: 提供了用于极光紫外光刻（EUVL）的玻璃制品。 玻璃制品包括通过玻璃制品具有组成梯度的二氧化硅 - 二氧化钛玻璃，组成梯度由以下功能定义：[TiO 2] =（c + f（x，y，z））和[SiO 2] =（ 100 - {c + f（x，y，z）} - δ（x，y，z））其中[TiO 2]是二氧化钛的重量百分比浓度，[SiO2]是二氧化硅的重量百分比 ，c是对于预定的零交叉温度（Tzc），二氧化钛浓度以重量％计，f（x，y，z）是三维空间中的函数，其定义以中心为中心的体积元素的平均组成的差异 坐标（x，y，z）相对于c，δ（x，y，z）是三维空间中的函数，其定义以坐标（x，y）为中心的体元素的所有其他分量的和 ，Z）。

公开(公告)号：WO2015012151A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：PCT/JP2014/068762

申请日：2014-07-15

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 尾上　貴弘 ,  小坂井　弘文

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  G03F1/76 ,  G03F7/2004

Abstract: 　本発明は、高反射率が得られ、且つ洗浄耐性に優れた反射型マスクを与える多層反射膜付き基板を提供することを目的とする。　本発明は、基板と、該基板上に形成された、高屈折率材料としてのＳｉを含む層と低屈折率材料を含む層とが周期的に複数積層されてなる多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された、前記多層反射膜を保護するＲｕ系保護膜とを有し、前記多層反射膜の基板と反対側の表面層は前記Ｓｉを含む層であり、さらに、前記多層反射膜と前記Ｒｕ系保護膜との間に、ＳｉのＲｕ系保護膜への移行を妨げるブロック層を有し、前記Ｓｉの少なくとも一部が前記ブロック層に拡散されている、多層反射膜付き基板である。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种涂覆有多层反射膜的基底，该涂覆的基底具有高反射率，并且具有优异的耐清洁性的反射罩。 涂覆有多层反射膜的该基板包括基板，通过周期性地叠加包含作为高折射率材料的Si的层和包含低折射率材料的层以及基于Ru的基板，形成在基板上的多层反射膜 形成在多层反射膜上并保护多层反射膜的保护膜，与衬底相反的多层反射膜的表面层是含有Si的层之一。 所述被覆基板还包括插入在所述多层反射膜和所述Ru基保护层之间的阻挡层，所述阻挡层防止所述Si迁移到所述Ru基保护膜，所述Si中的至少一些已被扩散到所述阻挡层 层。

公开(公告)号：WO2014164894A1

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：PCT/US2014/023721

申请日：2014-03-11

Applicant: DINO TECHNOLOGY ACQUISITION LLC

Inventor： PANG, Linyong

IPC: G06F17/50 ,  G06F1/00 ,  G03F1/84

CPC classification number: G03F1/70 ,  G03F1/24 ,  G03F1/84 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/10056 ,  G06T2207/30148

Abstract: A technique for inspecting, qualifying and repairing photo-masks for use at extreme ultra-violet ( EUV ) wavelengths is described. In this technique, multiple images of a substrate and/or a blank that includes multiple layers deposited on the substrate are measured and compared to identify first potential defects. Using information associated with the first potential defects, such as locations of the first potential defects, another image of the EUV photo-mask that includes a mask pattern defined in an absorption layer, which is deposited on top of the multiple layers, is measured. Based on the other image and the first potential defects, second potential defects in the EUV photo-mask are identified. Next, a qualification condition of the EUV photo-mask is determined based on the first potential defects and the second potential defects.

Abstract translation: 描述了用于检查，限定和修复在极紫外（EUV）波长下使用的光掩模的技术。 在该技术中，测量包括沉积在基板上的多个层的衬底和/或坯料的多个图像并进行比较以识别第一潜在缺陷。 使用与第一潜在缺陷相关联的信息，例如第一潜在缺陷的位置，测量包含沉积在多层顶部上的在吸收层中限定的掩模图案的EUV光掩模的另一图像。 基于其他图像和第一潜在缺陷，识别出EUV光掩模中的第二潜在缺陷。 接下来，基于第一潜在缺陷和第二潜在缺陷来确定EUV光掩模的限定条件。