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公开(公告)号:WO2018163721A1
公开(公告)日:2018-09-13
申请号:PCT/JP2018/004856
申请日:2018-02-13
Applicant: 信越半導体株式会社
IPC: B24B37/28 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/28 , H01L21/304
Abstract: 本発明は、研磨の際にウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリア母材と、保持孔の内周に沿って配置されたインサート材とを有する両面研磨装置用キャリアであって、キャリア母材は、保持孔の内周に沿って凹凸部が周期的に形成されたものであり、凹凸部における隣接する凹部の中心同士の距離が10mm以上60mm以下であり、凹凸部における凸部の面積が凹部の切り欠き部分の面積よりも大きいものであり、インサート材は、保持孔の内周に形成された凹凸部と嵌合可能である凹凸部が外周部に周期的に形成されたものであり、キャリア母材の保持孔の内周に形成された凹凸部と、インサート材の外周部に形成された凹凸部とが嵌合したものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリアである。これにより、キャリア母材の保持孔周辺部分(嵌合部分)の歪みが低減された両面研磨装置用キャリアが提供される。
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公开(公告)号:WO2018123351A1
公开(公告)日:2018-07-05
申请号:PCT/JP2017/041735
申请日:2017-11-21
Applicant: 信越半導体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/28
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/304
Abstract: 本発明は、両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれた半導体ウェーハを保持するための保持孔が一つ以上形成された両面研磨装置用キャリアであって、該キャリアの表面は、DLC膜で覆われた領域と、前記DLC膜で覆われていない領域とを有し、前記キャリアの上面と下面のそれぞれの面において、前記キャリアの外周におけるギアの歯底から内側へ、前記キャリアの一方の面の面積の30%以下の領域が前記DLC膜で覆われたものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリアである。これにより、半導体ウェーハの両面研磨の際に、ウェーハ表面不良の改善を維持しつつ、ウェーハ形状の悪化を防止することができる両面研磨装置用キャリア、及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法が提供される。
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公开(公告)号:WO2017171052A1
公开(公告)日:2017-10-05
申请号:PCT/JP2017/013739
申请日:2017-03-31
Applicant: HOYA株式会社 , ホーヤ ガラスディスク タイランド リミテッド
Inventor: プロムチャイ ジャクナリン
IPC: B24B37/28 , B24B7/17 , B24B41/06 , G11B5/84 , H01L21/304
CPC classification number: B24B7/17 , B24B37/28 , B24B41/06 , G11B5/84 , H01L21/304
Abstract: 【課題】高品質の基板を従来より高い歩留りで得ることができるキャリアおよび当該キャリアを用いた基板の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明にかかるキャリア104は、基板(例えばガラス基板102)を保持するための保持孔122を有する研磨用又は研削用のキャリアであって、キャリアの少なくとも一方の表面の少なくとも一部の領域には、ガラスを主成分とする突起136が複数存在していることを特徴とする。
Abstract translation: 发明内容本发明要解决的问题:提供一种能够获得比以前更高收率的高质量基板的载体,以及使用该载体制造基板的方法。 根据本发明的载体104是具有用于保持基板(例如,玻璃基板102)的保持孔122的研磨或研磨载体,并且至少一个载体的至少一部分表面 存在以玻璃作为主要成分的多个突起136。 p>
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公开(公告)号:WO2016199333A1
公开(公告)日:2016-12-15
申请号:PCT/JP2016/001740
申请日:2016-03-25
Applicant: 信越半導体株式会社
IPC: B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/28 , B24B49/00 , B24B53/017 , H01L21/304
Abstract: 本発明は、外周面に軸方向に形成された少なくとも1つの第1の溝を有する回転軸周りに回転可能なセンタードラムと、加工するワークを挿入して保持する保持孔を有するキャリアと、ワークを保持したキャリアを挟んだ状態で、回転軸周りに回転可能な上定盤及び下定盤と、上定盤の内周部に取り付けられ、第1の溝に挿入した先端部を第1の溝に沿って移動可能な少なくとも1つのフックを有するワークの加工装置であって、センタードラムは、さらに、外周面に軸方向に形成された少なくとも1つの第2の溝を有し、該第2の溝は、第1の溝と異なる長さを有し、上定盤がワークの加工を行う位置よりも上方となる位置で、フックを下方から支持する支持面を有するワークの加工装置である。これにより、ワークの加工を行う位置よりも上方となる位置で上定盤を停止させた際に、上定盤の研磨面に対して垂直方向の力が作用しても、上定盤を水平に維持することができる。
Abstract translation: 本发明提供一种工件加工装置,具有:能够围绕旋转轴旋转的中心鼓,在所述外周面具有沿轴向形成的至少一个第一槽; 具有保持孔的载体,待加工的工件被插入并保持在该保持孔中; 在保持工件的载体夹在上表面板和下表面板之间的状态下能够围绕旋转轴旋转的上表面板和下表面板; 以及附接到上表面板的内周部的至少一个钩,并且能够沿着第一槽移动插入第一槽的前端部。 中心鼓具有在外周面中沿轴向形成的至少一个第二凹槽。 第二槽具有与第一槽不同的长度,并且具有在上表面板高于加工工件的位置的位置处从下方支撑钩的支撑表面。 结果,当上表面板停在高于加工工件的位置的位置时,即使当垂直方向上的力作用在工件的研磨表面上时,上表面板也可以保持水平 上表面板。
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公开(公告)号:WO2016021094A1
公开(公告)日:2016-02-11
申请号:PCT/JP2015/002461
申请日:2015-05-15
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: B24B37/28 , B24B49/16 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/28 , B24B49/16 , H01L21/304
Abstract: ワークの研磨量の制御をより高精度に行うことができるワークの研磨方法を提供する。本発明のワークの研磨方法は、ワーク(20)を、上定盤(50a)及び下定盤(50b)で挟み、キャリアプレート(30)の回転ごとに上定盤(50a)及び下定盤(50b)の中心とワーク(20)の中心との距離が周期的に変化するとともに、ワーク(20)の表裏面を同時に研磨するワークの研磨方法であって、トルクを測定し、前記距離の周期的な変化に起因するトルク成分の振幅に基づいて、ワーク(20)の研磨量を制御し、キャリアプレート(30)には保持孔(40)以外の部分に開口部(H)が設けられ、キャリアプレート(30)の開口率が55%以下であることを特徴とする。
Abstract translation: 提供了一种用于研磨工件的方法,由此能够以更高的精度来控制工件的抛光量。 在这种抛光工件的方法中,工件(20)保持在上表面板(50a)和下表面板(50b)之间,工件的中心与上表面的中心之间的距离 板(50a)和下表面板(50b)随着承载板(30)的每次旋转而周期性地变化,并且工件(20)的前表面和后表面被同时抛光,并且用于抛光工件的方法是 其特征在于,测量转矩,基于由所述距离的周期性变化引起的转矩分量的幅度来控制所述工件(20)的研磨量,在所述载体中设置有开口(H) 板(30)在不包括保持孔(40)的部分中,载板(30)的开口面积比为55%以下。
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公开(公告)号:WO2015002152A1
公开(公告)日:2015-01-08
申请号:PCT/JP2014/067448
申请日:2014-06-30
Applicant: HOYA株式会社
Inventor: 玉置 将徳
CPC classification number: G11B5/8404 , B24B37/28
Abstract: 本発明は、加工中の傷等の発生を低減でき、耐久性の良好な磁気ディスク用基板の加工に用いられるキャリアを提供する。 本発明のキャリアは、定盤の加工面を円板状の基板の主表面に押圧し、定盤の加工面と前記基板とを相対的に移動させて当該基板の主表面を加工する際に当該基板を水平に保持するためのキャリアである。当該キャリアはガラス繊維と樹脂材料を含む複合材料を用いて形成され、上記円板状の基板を保持する保持穴を備え、該保持穴の内周壁面は、キャリアの面内方向に延伸したガラス繊維が存在していない複数の凹部を有し、該複数の凹部は樹脂が充填されている。
Abstract translation: 本发明提供一种载体,其用于加工具有良好耐久性的磁盘用基板,能够减少加工过程中的划痕等的发生。 根据本发明的载体是当研磨板的处理表面被压靠在基板的主表面上时将盘形基板保持在水平位置的载体,并且通过相对移动来处理基板的主表面 基板和研磨板的加工面。 该载体使用包含玻璃纤维和树脂材料的复合材料形成,并且设置有用于保持盘形基板的保持孔。 保持孔的内周壁面设置有多个凹部,其中在载体的面内方向上不存在拉伸的玻璃纤维,并且多个凹部填充有树脂。
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公开(公告)号:WO2013080453A1
公开(公告)日:2013-06-06
申请号:PCT/JP2012/007165
申请日:2012-11-08
Applicant: 信越半導体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/28
Abstract: 本発明は、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に上下定盤の間に挟まれるウェーハを保持する保持孔が形成されたキャリア母体と、該キャリア母体の保持孔の内周に沿って配置され、保持されるウェーハの面取り部と接して該面取り部を保護する内周面がテーパ状に形成されたリング状の樹脂リングとを具備し、樹脂リングのテーパ状の内周面と上下主面との角度θ(°)が、76°≦θ≦89°又は91°≦θ≦104°を満たし、かつ、樹脂リングの厚さがキャリア母体の厚さより厚いことで樹脂リングとキャリア母体との間に段差を有するものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリアである。これにより、周縁に面取り部を有するウェーハの両面研磨において、平坦度の悪化を十分に抑制しつつ、ウェーハの周縁部の変形を抑制できる。
Abstract translation: 本发明是用于双面抛光装置的载体,载体设置在上和下表面板之间,在其上贴有研磨布。 载体配备有:载体,其在被抛光时形成有夹持在上下板之间的晶片的保持孔; 以及环状树脂环,其沿着所述承载体中的所述保持孔的内周设置,所述环状内周面形成为锥形,并与所述晶片的倒角接触,所述倒角保持为保护所述 倒角。 载体的特征在于,树脂环的锥形内圆周表面与主上表面和下表面的角度θ(°)满足76°<= 89°或91°<=θ<= 104°, 并且由于树脂环比载体主体厚,树脂环和载体之间存在一个台阶。 在边缘上具有倒角的晶片的双面抛光中,由此可以在限制晶片边缘的变形的同时充分地限制平坦度的劣化。
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38.METHOD AND APPARATUS FOR A WAFER CARRIER HAVING AN INSERT 审中-公开
Title translation: 用于具有插入件的波导载体的方法和装置公开(公告)号:WO02013237A2
公开(公告)日:2002-02-14
申请号:PCT/US2001/021767
申请日:2001-07-10
IPC: B24B37/28 , H01L21/687 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/68721 , B24B37/28 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T29/4973
Abstract: A method for repairing a wafer carrier after plural processing operations during which the carrier holds a plurality of semiconductor wafers in a processing apparatus which removes wafer material by at least one of abrading and chemical reaction. The wafer carrier has holes for receiving respective ones of the wafers and removable annular inserts for each hole. Each insert is receivable in a respective one of the holes for engaging a peripheral edge of one of the wafers. The thickness of the insert is reduced during the successive processing operations. The method includes removing at least one of the inserts from the wafer carrier and installing at least one new insert in the wafer carrier having a thickness substantially greater than a minimum thickness to extend the useful life of the wafer carrier and to improve the flatness and parallelism of surfaces of wafers processed using the wafer carrier.
Abstract translation: 一种用于在多个处理操作之后修复晶片载体的方法,其中载体在通过研磨和化学反应中的至少一种去除晶片材料的处理设备中保持多个半导体晶片。 晶片载体具有用于接收相应的晶片的孔和用于每个孔的可移除的环形插入件。 每个插入件可接收在相应的一个孔中,用于接合一个晶片的周边边缘。 在连续的处理操作期间,刀片的厚度减小。 该方法包括从晶片载体中去除至少一个插入物,并且在晶片载体中安装至少一个新的插入物,其厚度基本上大于最小厚度,以延长晶片载体的使用寿命并改善平坦度和平行度 使用晶片载体处理的晶片的表面。
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公开(公告)号:WO01082354A1
公开(公告)日:2001-11-01
申请号:PCT/JP2001/003509
申请日:2001-04-23
IPC: B24B37/04 , B24B37/08 , B24B37/24 , B24B37/28 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/042 , B24B37/24 , B24B37/28
Abstract: A method of manufacturing a semiconductor wafer, comprising the step of differentiating the glossiness of a front surface from that of a rear surface of the wafer by using an abrasive cloth with a semiconductor wafer sink rate different in polishing from that of the other abrasive cloth for one of a polishing cloth (14) on an upper surface plate (12) and a polishing cloth (15) on a lower surface plate (13) so as to simultaneously polish both the front and rear surfaces of the semiconductor wafer (W), or differentiating by differentiating the rotating speed of the upper surface plate from that of the lower surface plate.
Abstract translation: 一种半导体晶片的制造方法,其特征在于,通过使用具有与其它研磨布不同的半导体晶片沉降速率的研磨布,将前表面的光泽度与晶片的后表面的光泽度区分开的步骤, 在上表面板(12)上的抛光布(14)和下表面板(13)上的抛光布(15)之一,以同时抛光半导体晶片(W)的前表面和后表面, 或通过区分上表面板的转速与下表面板的转速来区分。
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公开(公告)号:WO2021192477A1
公开(公告)日:2021-09-30
申请号:PCT/JP2020/049078
申请日:2020-12-28
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: B24B37/013 , B24B37/08 , B24B37/28 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本発明の両面研磨装置は、上定盤又は下定盤は、該上定盤又は該下定盤の上面から下面まで貫通した1つ以上の貫通孔を有し、ワークの両面研磨中に、前記ワークの厚さを前記1つ以上の貫通孔からリアルタイムで計測可能な、1つ以上のワーク厚さ計測器をさらに備え、前記上定盤又は前記下定盤の、前記貫通孔により区画される内周面に、金属製の筒状部材が設けられ、前記上定盤に設けられた前記筒状部材の下部に設けられた下側窓材、及び、前記上定盤に設けられた前記貫通孔の上側を覆うように設けられた上側窓材、又は、前記下定盤に設けられた前記筒状部材の上部に設けられた上側窓材、及び、前記下定盤に設けられた前記貫通孔の下側を覆うように設けられた下側窓材をさらに備えている。
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