公开(公告)号：WO2016208101A1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：PCT/JP2016/001528

申请日：2016-03-17

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 大葉　茂 ,  天海　史郎

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/013 ,  B24B37/07 ,  B24B49/12

CPC classification number: H01L22/26 ,  B24B37/013 ,  B24B37/07 ,  B24B37/08 ,  B24B37/205 ,  B24B49/12 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30625

Abstract: 本発明は、研磨装置に配設され、レーザー光干渉により研磨中のウェーハの厚さを測定する定寸装置であって、研磨中のウェーハにレーザー光を照射するための光源と、光源からレーザー光を照射された研磨中のウェーハからの反射光を受光する受光部と、受光部で受光した反射光から、レーザー光を照射された研磨中のウェーハの厚さの測定値を算出する算出部とを有し、算出部は、予め求めておいた、ウェーハの抵抗率とウェーハの厚さの測定誤差の値との相関関係に基づき、研磨中のウェーハの抵抗率から研磨中のウェーハの厚さの測定誤差の値を算出し、測定誤差を補正して前記研磨中のウェーハの厚さを算出できるものであることを特徴とする定寸装置である。これにより、連続研磨において、研磨する基板のロット変更が有る場合であっても、定寸精度の低下を防ぎ、高い定寸精度が得られる定寸装置が提供される。

Abstract translation: 本发明提供了一种定尺寸装置，其设置在研磨装置中，并且通过激光光学干涉测量被研磨的晶片的厚度。 尺寸调整装置的特征在于包括：用激光照射被研磨的晶片的光源; 光接收单元，其接收来自所述被照射的晶片的已经被来自所述光源的激光照射的反射光; 以及计算单元，其从受光单元接收的反射光计算已经被激光照射的被晶体的厚度的测量值。 尺寸调整装置的特征还在于，计算单元能够根据正在研磨的晶片的电阻率，根据预先确定的相关关系，在 晶片的电阻率和晶片厚度的测量误差值，并且能够校正测量误差以计算被研磨的晶片的厚度。 因此，在连续磨削期间，即使要研磨的基板的批次发生变化，也可以防止施胶精度的降低，并且可以获得高的定径精度。

公开(公告)号：WO2016125423A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：PCT/JP2016/000011

申请日：2016-01-05

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 佐々木　拓也 ,  田中　佑宜

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/24

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B37/00 ,  B24B37/08 ,  B24B37/24 ,  G01N23/223 ,  G01N2223/6116 ,  G01N2223/652 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67253

Abstract: 　本発明は、シリコンウェーハを研磨するための研磨布を立ち上げる方法であって、研磨機に発泡ウレタン樹脂製の研磨布を貼りつけ、ドレッシングを行った後、ダミー研磨を行い、次いで該ダミー研磨によって前記研磨布中に蓄積された研磨残渣の除去処理を行った後、前記研磨布中の研磨残渣量を測定し、該測定した研磨残渣量に基づいて前記ダミー研磨を行った研磨布の立ち上がりを判定する研磨布立ち上げ方法である。これにより、研磨布ライフ初期のパーティクルレベルを改善することができる研磨布の立ち上げ方法が提供される。

Abstract translation: 本发明是用于配置抛光硅片的抛光布的方法，其中在将聚氨酯泡沫抛光布附着到抛光机上并进行修整之后，执行虚拟抛光。 在进行随后的处理以除去由于虚拟抛光而积聚的抛光残渣之后，测量抛光布上的抛光残留量，并且基于所测量的抛光残余物进行虚拟抛光的抛光布的布置进行评估 抛光残渣。 由于上述原因，提供了能够提高抛光布的初期寿命时的粒子水平的抛光布布置方法。

公开(公告)号：WO2015049829A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：PCT/JP2014/004492

申请日：2014-09-02

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 佐々木　拓也

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  B24B53/007 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B37/08

Abstract: 　本発明は、ウェーハを研磨するための研磨布の表面に洗浄液を供給することによって前記研磨布を洗浄する研磨布の洗浄方法であって、前記洗浄液として水酸化ナトリウム水溶液又は水酸化カリウム水溶液を前記研磨布の表面に供給しながら、前記研磨布を８時間以上洗浄することを特徴とする研磨布の洗浄方法である。これにより、研磨布を効果的に洗浄することで研磨布の使用時間の増加に伴う研磨後のウェーハの表面のキズの発生を抑制し、研磨布をより長時間使用することが可能となる研磨布の洗浄方法及びウェーハの研磨方法が提供される。

Abstract translation: 一种方法，其包括将清洁流体供应到用于抛光晶片的研磨布的表面，从而清洁研磨布，其特征在于，在将所述研磨布清洁8小时以上的同时，将氢氧化钠或氢氧化钾水溶液作为清洗液 流体到研磨布的表面。 因此，提供了一种研磨布清洁方法，其可以有效地清洁研磨布，从而最小化在抛光晶片的表面上发生的微细纹，并且与研磨布的操作时间的增加相关联 可能使用磨料更长时间; 和晶片抛光方法。

公开(公告)号：WO2014050496A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/JP2013/074050

申请日：2013-09-06

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 中江　葉月

IPC: G11B5/84 ,  C03C19/00 ,  G11B5/73 ,  G11B5/82

CPC classification number: G11B5/8404 ,  B24B37/08

Abstract: 　この情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板前駆体の径をｒ１とし、ガラス基板前駆体のうちガラス基板前駆体の中心から０．７５ｒ１に位置する部分を比較部分とすると、内径領域は、ガラス基板前駆体の中心から０．２５ｒ１までの領域であり、第１研削工程の研削によって、同一主表面上において、内径領域が位置する部分は、比較部分が位置する部分よりも、ガラス前駆体の厚さ方向に１μｍ以上１０μｍ以下離れている。

Abstract translation: 在该信息记录介质用玻璃基板的制造方法中，如果将玻璃基板前体的半径定义为玻璃基板前体的半径，将比较部分定义为距离中心的0.75r1的玻璃基板前体的截面， 玻璃基板前体，则距离玻璃基板前体的中心高达0.25r1的区域是内半径区域，并且在相同的主表面上，内半径区域所在的部分与 比较部分在第一研磨步骤中通过研磨在玻璃前体的厚度方向上位于1μm至10μm的范围内。

公开(公告)号：WO2013015750A8

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：PCT/TH2011000029

申请日：2011-07-25

Applicant: HOYA GLASS DISK THAILAND LTD ,  HOYA CORP ,  DEEPLUB SUPAGAN

Inventor： DEEPLUB SUPAGAN

IPC: G11B5/84 ,  B24B1/00 ,  B24B37/00 ,  C03C19/00

CPC classification number: G11B5/8404 ,  B24B37/015 ,  B24B37/042 ,  B24B37/08 ,  B24B49/14 ,  C03C19/00

Abstract: The present invention provides a method of manufacturing glass substrates for information recording medium comprising steps of polishing of several glass substrates polished at a time using sun-and-planet gear type polishing machine; selectively determining at least two different annular zones of the polishing plate and controlling the temperature variation of the determined annular zones of the polishing machine so as to suppress and control thickness variation of glass substrates. Thickness variation can be suppressed and controlled when temperature gap on different zones of polishing plate is low. It is also the object of the present invention that the temperature variation of at least two different annular zones of polishing plate of the polishing machine is determined to be not over 2 °C. By such a method according to this invention, the surface of glass substrates on different annular zones of polishing plate can be polished so as to have low thickness variations.

Abstract translation: 本发明提供一种制造用于信息记录介质的玻璃基板的方法，包括以下步骤：使用太阳与行星齿轮式抛光机一次抛光几个玻璃基板; 选择性地确定抛光板的至少两个不同的环形区域并控制抛光机的确定的环形区域的温度变化，以便抑制和控制玻璃基板的厚度变化。 当抛光板的不同区域的温度差低时，可以抑制和控制厚度变化。 本发明的另一个目的是将抛光机的抛光板的至少两个不同环形区域的温度变化确定为不超过2℃。 通过根据本发明的这种方法，抛光板的不同环形区域上的玻璃基板的表面可被抛光以具有低的厚度变化。

公开(公告)号：WO2013100154A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/JP2012/084234

申请日：2012-12-28

Applicant: HOYA株式会社 ,  中川 裕樹 ,  飯泉 京介 ,  岩間 健太 ,  吉丸 剛太郎

Inventor： 中川　裕樹 ,  飯泉　京介 ,  岩間　健太 ,  吉丸　剛太郎

IPC: G11B5/84 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04

CPC classification number: G11B5/8404 ,  B24B37/044 ,  B24B37/08

Abstract: 　ジルコニア砥粒を遊離砥粒の研磨材として用いて研磨を行って磁気ディスク用ガラス基板を製造するとき、ヘッドクラッシュ障害やサーマルアスペリティ障害等の不具合を起こし難い磁気ディスク用ガラス基板を製造することができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法が提供される。この方法は、一対の主表面と当該一対の主表面に直交する側壁面とを備えた磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、ディスク形状のガラス素板をキャリアに保持させて、当該ガラス素板の主表面を研磨パッドで挟み、ガラス素板と研磨パッドとの間に、ジルコニア粒子を研磨砥粒として有する研磨液を供給して、研磨パッドとガラス素板を相対的に移動させることで、ガラス素板の主表面を研磨する研磨工程と、前記研磨工程の後で、前記ガラス素板の側壁面又は主表面が研磨される際に、当該ガラス素板の側壁面と、ガラス基板の側壁面と対向するキャリアの端面とが擦れることでガラス素板の側壁面に付着したジルコニア粒子を、物理的に除去する除去工程と、を含む。

Abstract translation: 提供一种磁盘玻璃基板的制造方法，其中使用氧化锆磨粒作为松散研磨抛光材料进行研磨，并且能够制造磁盘玻璃基板，其中发生诸如头部碰撞的故障 故障或热不均匀故障是不太可能的。 该方法是用于制造具有垂直于该主表面的一对主表面和侧壁表面的磁盘玻璃基板的方法，包括以下步骤：抛光步骤，其中盘形玻璃 坯料保持在载体中，玻璃坯料的主表面被抛光垫夹在中间，在玻璃坯料和抛光垫之间提供具有作为研磨磨粒的氧化锆颗粒的抛光液，玻璃坯料的主表面 通过相对移动抛光垫和玻璃坯料来抛光; 以及去除步骤，其中在抛光步骤之后，当玻璃坯料的侧壁表面或主表面被抛光时，玻璃坯料的侧壁表面和载体的面向玻璃基板的侧壁表面的端面 彼此刮擦，结果，粘附到玻璃坯料的侧壁表面的氧化锆颗粒被物理去除。

公开(公告)号：WO2013024565A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/JP2012/004571

申请日：2012-07-18

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  市川 雅志

Inventor： 市川　雅志

IPC: B24B49/03 ,  B24B1/00 ,  B24B7/20 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B7/228 ,  B24B9/065 ,  B24B49/03 ,  H01L21/02013 ,  H01L22/12

Abstract: 　本発明は、外周が面取りされたウェーハの表裏両面を加工して所定量除去する加工プロセスにおいて、加工後の前記ウェーハの取代を評価する取代の評価方法であって、加工前後の前記ウェーハの表裏面それぞれの面取り幅の変化量に基づいて前記ウェーハの表裏面それぞれの取代を算出して評価することを特徴とする取代の評価方法である。これにより、ウェーハの表裏両面を同時に加工して所定量除去する加工プロセスにおいて、製品となるウェーハを用いて表裏両面の取代をそれぞれ別々に短時間で簡便に評価でき、それによって表裏取代がそれぞれ調整されたウェーハの製造を可能にする取代の評価方法が提供される。

Abstract translation: 本发明是一种用于评价在加工过程中从经处理的晶片中的原料去除的库存去除评估方法，其中通过加工在外周边已被倒角的晶片的前表面和后表面来去除预定量的材料， 库存清除评估方法的特征在于，评估包括基于晶片的正面和背面上的各个倒角的宽度的​​变化量，分别计算晶片的正面和背面的切屑去除量 并加工后。 因此，提供了一种除屑评估方法，其中在同时加工晶片的前表面和后表面以去除预定量的材料的加工过程中，分别在前表面和后表面之间的原料去除可以 使用晶片最终产品在短时间内容易地独立地评估，使得可以生产分别调整前后库存去除的晶片。

公开(公告)号：WO2012027942A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/CN2010/080589

申请日：2010-12-31

Applicant: 兰州瑞德实业集团有限公司

Inventor： 金万斌 ,  梁春

IPC: B24B7/17

CPC classification number: B24B7/17 ,  B24B37/08

公开(公告)号：WO2011138304A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：PCT/EP2011/057006

申请日：2011-05-03

Applicant: SILTRONIC AG ,  SCHWANDNER, Jürgen ,  PIETSCH, Georg ,  KOPPERT, Roland

Inventor： SCHWANDNER, Jürgen ,  PIETSCH, Georg ,  KOPPERT, Roland

IPC: B24B7/17 ,  B24B7/22 ,  B24B37/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: B24B7/17 ,  B24B7/228 ,  B24B37/042 ,  B24B37/08 ,  B24B37/245 ,  B24B37/28 ,  H01L21/02013

Abstract: Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen wenigstens einer Halbleiterscheibe, wobei die eine oder mehrere Halbleiterscheiben frei beweglich in einer Aussparung einer Führungsplatte liegen, die in einem Spannring befestigt ist, wobei die eine oder mehrere Halbleiterscheiben auf einer epizyklischen Bahn bewegt und zwischen zwei rotierenden Arbeitsscheiben Material abtragend bearbeitet werden, wobei jede Arbeitsscheibe eine Arbeitsschicht umfasst, die gebundenes Schleifmittel enthält, und die Führungsplatte während der Bearbeitung ohne Berührung der Arbeitsschichten geführt wird.

Abstract translation: 本发明对于至少一个半导体晶片的同时双面研磨方法，其中所述一个或多个半导体晶片在一导板，其在一夹紧环固定的凹部可自由移动的，一种方法，其中所述一个或移动多个半导体晶片上的周转轮系和两个之间 旋转工作盘材料进行处理散热功能，其中，每个工作盘包括工作层含有粘结的磨料，并且导向板不接触工作层在加工过程中被引导。

公开(公告)号：WO2011083667A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：PCT/JP2010/072602

申请日：2010-12-16

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  目崎 義雄 ,  山崎 哲弥 ,  西浦 隆幸

Inventor： 目崎　義雄 ,  山崎　哲弥 ,  西浦　隆幸

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04

CPC classification number: H01L21/02013 ,  B24B37/08 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26

Abstract: 化合物半導体ウェハの欠け、割れ不良を低減できる研磨加工方法提供する。本発明の化合物半導体ウェハの加工方法は、化合物半導体ウェハの両面をラッピング加工する方法であって、上定盤と下定盤の間に前記半導体ウェハを配置してラッピング加工する工程を含み、前記上定盤の前記ウェハ側の面に軟質材が貼り付けられている。本発明の加工装置は、上定盤と下定盤を含み、前記上定盤と下定盤の間に半導体ウェハを配置してその両面をラッピング加工するための加工装置であって、前記上定盤の前記ウェハ側の面に軟質材が貼り付けられている。

Abstract translation: 公开了一种可以减少化合物半导体晶片的碎裂和断裂故障的抛光方法。 用于研磨化合物半导体晶片的方法，即用于研磨复合半导体晶片的两个表面的方法，包括通过将半导体晶片设置在上压板和下压板之间来研磨半导体晶片的步骤，以及软材料 粘附在晶片侧的上压板表面上。 处理装置包括上压板和下压板，并且通过使半导体晶片设置在上压板和下压板之间而将半导体晶片的两个面交叉，并且处理装置具有粘附在上压板表面上的软材料 在晶片侧。