公开(公告)号：WO2014136237A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/JP2013/056296

申请日：2013-03-07

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  金田 和徳 ,  湊 忠玄 ,  川瀬 祐介

Inventor： 金田　和徳 ,  湊　忠玄 ,  川瀬　祐介

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0853 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66333

Abstract: 　本願の発明にかかるレーザアニール装置は、被加熱物をのせるステージと、第１連続レーザ光を放射する第１レーザ素子と、該第１連続レーザ光を該被加熱物へ導き、該被加熱物に第１照射領域を形成する第１光学系と、該第１連続レーザ光よりも波長の短い第２連続レーザ光を放射する第２レーザ素子と、該第２連続レーザ光を該被加熱物へ導き、該被加熱物に第２照射領域を形成する第２光学系と、該被加熱物の各部分について該第２照射領域が走査する前に該第１照射領域の少なくとも一部が走査するように、該第１照射領域と該第２照射領域を走査させるシステムコントローラと、を備えたことを特徴とする。

Abstract translation: 根据本申请的发明的激光退火装置的特征在于具有：放置被加热物的台阶; 发射第一连续激光的第一激光元件; 第一光学组件，其将第一连续激光引导到待加热物体，并且在待加热物体上形成第一照射区域; 第二激光元件，其发射比第一连续激光短的波长的第二连续激光; 第二光学组件，其将第二连续激光引导到待加热物体，并在待加热物体上形成第二照射区域; 以及系统控制器，其对于被加热物的每个部分，扫描第一照射区域和第二照射区域，以便在扫描第二照射区域之前扫描第一照射区域的至少一部分。

公开(公告)号：WO2014131491A1

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：PCT/EP2014/000357

申请日：2014-02-10

Applicant: WISCO LASERTECHNIK GMBH

Inventor： ALBER, Gerhard ,  LEIBOLD, Kai

IPC: B23K26/073 ,  B23K26/32

CPC classification number: B23K26/0732 ,  B23K2201/34 ,  B23K2203/08

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aneinanderfügen von mit einer metallischen Beschichtung, beispielsweise Al- oder AL-Si-Beschichtung versehenen Platinen oder Bändern (1, 2; 2') aus Stahl durch Laserstrahlschweißen, bei dem die Platinen oder Bänder (1, 2; 2') ohne vorheriges Entfernen der metallischen Beschichtung aus dem Schweißnahtbereich miteinander verschweißt werden. Um ohne vorheriges Entfernen der metallischen Beschichtung im Schweißnahtbereich kostengünstig qualitativ einwandfreie Schweißverbindungen herzustellen, die insbesondere für nachfolgende Warmumform- und Presshärtungsprozesse geeignet sind, wird der Laserstrahl (6) erfindungsgemäß derart fokussiert, dass er mit länglichem Fokus (6') auf den Schweißnahtbereich auftrifft, wobei sich der längliche Fokus (6') im Wesentlichen fluchtend zur Schweißnaht (11) erstreckt und eine Länge aufweist, die mindestens das 1,5-fache seiner Breite beträgt. Hierdurch kann die schmelzflüssige Phase länger aufrecht erhalten und damit die Ausgasungszeit für festigkeitsmindernde Beschichtungsbestandteile der Platinen oder Bänder (1, 2; 2'), insbesondere Aluminium erhöht werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于有金属涂层，诸如Al或Al-Si涂层提供板或条带接合（1，2; 2“）通过激光束焊接由钢制成，其中，所述板或条带（1,2; 2“）没有事先从焊接区域除去金属涂层的被焊接在一起。 廉价地获得高质量的焊缝而不会在焊接区域之前除去金属涂层的，其特别适合于随后的热成形和Presshärtungsprozesse，（6）根据本发明的激光束聚焦，使得它与细长焦点（6“）到焊接区域照射， 其中，所述细长焦点（6“）基本上与焊接（11）并具有一个长度，该长度的至少1.5倍的宽度对齐。 由此，熔融相可被保持更长的并且因此对于该板或带的涂料组分的强度降低除气（1，2; 2“），特别是铝可以增加。

公开(公告)号：WO2012157410A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/JP2012/060941

申请日：2012-04-24

Applicant: 株式会社ブイ・テクノロジー ,  水村 通伸 ,  畑中 誠

Inventor： 水村　通伸 ,  畑中　誠

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/0732 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691

Abstract: 複数本のシリンドリカルレンズを有するシリンドリカルレンズアレイにより、例えば８個の平板状のレーザビームを整形し、これを基板上のａ－Ｓｉ膜に照射する。そして、基板をこのレーザビームの照射領域のギャップＧで移動させて、細長い照射領域をギャップＧで基板上に形成する。このギャップＧを画素ピッチとすることにより、画素領域において、画素トランジスタの形成予定領域のみを照射領域とすることができる。これにより、ａ－Ｓｉ膜をポリシリコン膜に改質するアニーリング処理等のレーザ処理を迅速化することができ、タクトタイムの短縮が可能である。

Abstract translation: 在本发明中，例如，通过具有多个柱面透镜的柱面透镜阵列对八片平片状的激光束进行成形，并将它们照射在基板上的a-Si膜上。 此外，在这些激光束辐射的区域中，衬底移动间隙（G），并且在衬底上形成具有间隙（G）的长的窄的照射区域。 通过使该间隙（G）为像素之间的间距，在像素区域中形成的照射区域的区域只能是将形成像素晶体管的区域。 因此，可以使得将a-Si膜改性为多晶硅膜的激光处理如退火处理等变得更快，并且可以减少节拍时间。

公开(公告)号：WO2012096284A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：PCT/JP2012/050334

申请日：2012-01-11

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  齋藤 勲 ,  小池 章夫 ,  岩永 泰成 ,  小林 裕介 ,  岩崎 達弥

Inventor： 齋藤　勲 ,  小池　章夫 ,  岩永　泰成 ,  小林　裕介 ,  岩崎　達弥

IPC: C03B33/09 ,  B23K26/00 ,  B23K26/14 ,  B23K26/38

CPC classification number: C03B33/091 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/006 ,  B23K2203/172 ,  C03B33/07

Abstract: 　強化ガラス板の切断方法は、強化ガラス板１０の表面１２にレーザ光２０を照射し、強化ガラス板１０の表面１２上でレーザ光２０の照射領域２２を移動させる工程を有する。レーザ光は８００～１１００ｎｍの波長を有し、強化ガラス板１０の表面１２に入射するレーザ光２０の７０．００～９９．８％は透過する。また、レーザ光２０の照射領域２２を１．０ｍｍ／ｓｅｃ以上で移動させながら、照射領域２２における中間層１７を徐冷点以下の温度で加熱することによって、照射領域２２の後方に強化ガラス板１０を板厚方向に貫通するクラックを追従させて強化ガラス板１０を切断する。

Abstract translation: 一种用于强化玻璃板的切割方法，具有将激光（20）照射在强化玻璃板（10）的表面（12）上并将激光（20）的照射区域（22）移动到顶部的步骤 的加强玻璃板（10）的表面（12）。 激光的波长为800-1100nm，入射到强化玻璃板（10）的表面（12）上的激光（20）的透光率为70.00％-99.8％。 此外，通过将用于激光（20）的照射区域（22）中的中间层（17）加热到退火点温度最大值，同时以1.0mm / sec min移动照射区域（22），将裂纹 沿着照射区域（22）后方的板厚度方向穿透加强玻璃板（10），使其跟随照射区域（22）并切割加强玻璃板（10）。

公开(公告)号：WO2012096261A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：PCT/JP2012/050283

申请日：2012-01-10

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  齋藤 勲 ,  小池 章夫 ,  岩永 泰成 ,  小林 裕介 ,  岩崎 達弥

Inventor： 齋藤　勲 ,  小池　章夫 ,  岩永　泰成 ,  小林　裕介 ,  岩崎　達弥

IPC: C03B33/09 ,  B23K26/00 ,  B23K26/14 ,  B23K26/38

CPC classification number: C03B33/091 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/006 ,  B23K2203/172 ,  C03B33/07

Abstract: 　レーザ切断用の化学強化ガラス板１０は、圧縮応力が残留する表面層１３及び圧縮応力が残留する裏面層１５と、該表面層１３と該裏面層１５との間に形成され、引張応力が残留する中間層１７とを有する。表面層１３の最大残留圧縮応力及び裏面層１５の最大残留圧縮応力がそれぞれ６００ＭＰａ以上、中間層１７の内部残留引張応力が１５ＭＰａ以上である。化学強化ガラス板１０は、全ての鉄を３価の鉄の酸化物で換算したときの鉄の含有量が１００質量ｐｐｍ以上であって、２価の鉄の酸化物換算での含有量が２０～６００００質量ｐｐｍである。化学強化ガラス板１０は、中心波長帯が１０７５～１０９５ｎｍのレーザ光に対する化学強化ガラス板１０の吸収係数をα（ｃｍ －１ ）、化学強化ガラス板１０の厚さをｔ（ｃｍ）として、０．００１≦α×ｔ≦３．０の式を満たす。

Abstract translation: 一种用于激光切割的化学强化玻璃板（10），包括：具有残余压缩应力的前表面层（13）和具有残余压缩应力的后表面层（15）; 和具有残留拉伸应力并形成在前表面层（13）和后表面层（15）之间的中间层（17）。 前表面层（13）和后表面层（15）的最大残余压缩应力分别为600MPa·min，中间层（17）的内部残余拉伸强度为15MPa·min。 当所有的铁转化为二价氧化铁时，当所有的铁转化为三价氧化铁并且铁含量为20-60,000质量ppm时，化学强化玻璃板（10）的铁含量为100质量ppm。 化学强化玻璃板（10）满足公式0.001≤a×t≤3.0，其中a（cm-1）是化学强化玻璃板（10）的吸收系数，其中心波长带为1,075- 1,095nm，t（cm）是化学强化玻璃板（10）的厚度。

公开(公告)号：WO2011012503A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：PCT/EP2010/060504

申请日：2010-07-20

Applicant: CARL ZEISS LASER OPTICS GMBH ,  WANGLER, Johannes ,  LAYH, Michael ,  ZENZINGER, Markus ,  MUENZ, Holger

Inventor： WANGLER, Johannes ,  LAYH, Michael ,  ZENZINGER, Markus ,  MUENZ, Holger

IPC: G02B27/09 ,  B23K26/06 ,  B23K26/073

CPC classification number: G02B27/0927 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738

Abstract: Ein optisches System zum Erzeugen eines Lichtstrahls zur Behandlung eines in einer Substrat ebene (14) angeordneten Substrats, wobei der Lichtstrahl in einer ersten Dimension (X) senkrecht zur Ausbreitungsrichtung (Z) des Lichtstrahls eine Strahllänge (L) und in einer zweiten Dimension (Y) senkrecht zur ersten Dimension (X) und zur Lichtausbreitungsrichtung (Z) eine Strahlbreite (B) aufweist, wobei die Strahllänge (L) groß gegenüber der Strahlbreite (B) ist, weist eine erste optische Anordnung (18) auf, die eine Mehrzahl von in der ersten Dimension (X) nebeneinander angeordneten Lichtkanälen (26; 28) definiert, die den Lichtstrahl in der ersten Dimension (X) in eine Mehrzahl von Teilfeldern (30, 32, 34) aufteilen, wobei die Teilfelder (30, 32, 34) in der ersten Dimension (X) einander überlagert in die Substratebene (14) einfallen. Eine zweite optische Anordnung (20) ist in Lichtausbreitungsrichtung vor der ersten optischen Anordnung (18) angeordnet, die in der ersten Dimension (X) eine solche Ausdehnung aufweist und ein Winkelspektrum des auf die zweite optische Anordnung (18) einfallenden Lichtstrahls (42) in der ersten Dimension (X) so verbreitert, dass der Lichtleitwert der zweiten optischen Anordnung (20) in der ersten Dimension (X) 50% bis 100% des Gesamtlichtleitwerts des optischen Systems (10) in der ersten Dimension (X) beträgt, so dass näherungsweise alle Lichtkanäle (26; 28) der ersten optischen Anordnung (18) gleichmäßig mit Licht ausgeleuchtet sind.

Abstract translation: 用于在衬底中产生用于治疗的平面的光束的光学系统（14）布置在所述衬底上，其中在第一维度（X）垂直于所述光束，光束长度（L）的传播方向（Z）的光束和在第二维度（Y ）垂直（于第一维度X）和（与光传输方向Z）的波束宽度（B），其中，所述射流长度（L）大相比，波束宽度（B），具有包括多个第一光学组件（18） 在第一维（X）相邻地布置光通道（26; 28）中所定义，该光束在第一维分裂（X）成多个子场的（30，32，34），由此所述部分的面板（30，32，34 ）在彼此叠加的第一维度（X）发生在基片平面（14）。 第二光学组件（20）在第一维度中的第一光学装置（18）（X）的前被布置在光传播方向具有这样的延伸和入射在第二光学装置（18）的光束（42）的角光谱 所以加宽在第一维（X），即在第一维的第二光学组件（20）（X）的50％至在第一维（X）的光学系统（10）的Gesamtlichtleitwerts的100％的光电导值，从而使 大致所有的光道（26; 28）的第一光学组件（18）的均匀光照射。

公开(公告)号：WO2009115785A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/GB2009/000709

申请日：2009-03-18

Applicant: M-SOLV LTD. ,  RUMSBY, Philip, Thomas

Inventor： RUMSBY, Philip, Thomas

IPC: B23K26/073 ,  B23K26/08 ,  B23K26/06

CPC classification number: B23K26/0732 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0823 ,  B41C1/05

Abstract: A method for exposing the surface of a drum to patterned illumination from a pulsed laser source at a suitable energy density in order to cause ablation of the surface to form a dense, regular array of 3-D microstructures, comprising the steps of: locating a mask containing a line of different features on a fixed pitch relative to a target area; projecting a uniform line shaped laser beam through the mask in order to project an image made up of a multiplicity of the features on the mask onto the target area; de- magnifying the image carried by the beam between the mask and the target area; locating the surface of the drum for ablation in the target area; rotating the drum continuously so the surface moves in a first direction perpendicular to the axis of rotation of the drum and also simultaneously moving the projected beam with respect to the drum in a second direction parallel to the axis of rotation of the drum; tilting the projected array of microstructures to correspond to the helical path followed by the laser beam on the drum surface; and controlling the firing of the pulsed laser in relation to the exact angular position of the drum in the target area. Apparatus for carrying out the method is also described.

Abstract translation: 一种用于以适当的能量密度将鼓的表面暴露于来自脉冲激光源的图案化照明的方法，以便引起表面的烧蚀以形成致密的，规则的3-D微结构阵列，其包括以下步骤： 掩模，其在相对于目标区域的固定间距上包含不同特征的线; 将均匀的线状激光束投影通过掩模，以将由掩模上的多个特征构成的图像投影到目标区域上; 在光罩和目标区域之间放大由光束承载的图像; 将滚筒的表面定位在目标区域中以消融; 使滚筒连续旋转，使得表面沿着垂直于滚筒轴线的第一方向移动，并且在平行于滚筒的旋转轴线的第二方向上同时相对于滚筒同时移动投影束; 将投影的微结构阵列倾斜以对应于鼓表面上的激光束之后的螺旋路径; 并且相对于目标区域中的滚筒的确切角度位置控制脉冲激光器的点火。 还描述了用于执行该方法的装置。

公开(公告)号：WO2008021659A3

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：PCT/US2007074087

申请日：2007-07-23

Applicant: TCZ PTE LTD ,  TURK BRANDON A ,  BURFEINDT BERND ,  KNOWLES DAVID S

Inventor： TURK BRANDON A ,  BURFEINDT BERND ,  KNOWLES DAVID S

IPC: C30B35/00

CPC classification number: C30B13/24 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  C30B29/06 ,  G03F7/70383 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691

Abstract: In a thin beam directional Crystallization System configured to anneal a silicon layer on a glass substrate uses a special laser beam profile with an intensity peak at one edge. The system entirely melts a spatially controlled portion of a silicon layer causing lateral crystal growth. By advancing the substrate or laser a certain step size and subjecting the silicon layer to successive "shots" from the laser, the entire silicon layer is crystallized. The lateral crystal growth creates a protrusion in the center of the melt area that must be re-melted. Accordingly the step size must allow for sufficient overlap between successive shots. i. e., melt zones, to ensure protrusion melting. This requires the step size to be less than half the beam width. The special laser profile used in accordance with the systems and methods described herein can increase the step size and thereby increase throughput and reduce costs.

Abstract translation: 在被配置为退火玻璃基板上的硅层的薄光束定向结晶系统中，使用在一个边缘具有强度峰值的特殊激光束分布。 该系统完全熔化硅层的空间受控部分，导致横向晶体生长。 通过使衬底或激光器前进一定的步长并使硅层从激光器连续“射击”，整个硅层被结晶。 横向晶体生长在熔融区域的中心产生必须再熔化的突起。 因此，步距必须允许连续镜头之间的充分重叠。 一世。 即熔化区，以确保突出熔化。 这需要步长小于波束宽度的一半。 根据本文所述的系统和方法使用的特殊激光轮廓可以增加步长，从而增加产量并降低成本。

公开(公告)号：WO2007034887A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：PCT/JP2006/318767

申请日：2006-09-21

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  住友電工ハードメタル株式会社 ,  布施 敬司

Inventor： 布施 敬司

IPC: G02B27/09 ,  B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  G02B13/00

CPC classification number: G02B27/0955 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/21 ,  B23K26/38 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/006 ,  B23K2201/18 ,  B23K2201/36 ,  B23K2203/04 ,  B23K2203/50 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0052 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0944

Abstract: 　レーザビーム２を所定の断面強度分布に整形しかつ集光するビーム整形光学系３と、このビーム整形光学系３によって整形かつ集光された整形ビーム４を結像させる結像光学系６とを備えたレーザ光学装置において、前記結像光学系６を、ビーム整形光学系３の焦点面７の手前に配置された負の焦点距離を有する対物レンズ系８と、この対物レンズ系８の後方に配置された結像レンズ系９とから構成する。

Abstract translation: 一种激光光学装置，包括用于将激光束（2）成形为特定的截面强度分布并使其冷凝的光束整形光学系统（3），以及成像光学系统（6），用于成像和缩小成形光束 通过光束整形光学系统（3），其中成像光学系统（6）包括设置在光束整形光学系统（3）的焦平面（7）前面的物镜系统（8），并且具有负焦距 以及设置在物镜系统（8）后面的成像透镜系统（9）。

公开(公告)号：WO2007032322A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：PCT/JP2006/318006

申请日：2006-09-12

Applicant: 石川島播磨重工業株式会社 ,  川上 隆介 ,  西田 健一郎 ,  河口 紀仁 ,  正木 みゆき ,  芳之内 淳

Inventor： 川上 隆介 ,  西田 健一郎 ,  河口 紀仁 ,  正木 みゆき ,  芳之内 淳

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/0613 ,  B23K26/0732 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296

Abstract: 　基板の表面に形成された半導体膜にレーザビームを照射することにより行うレーザアニール方法であって、進行方向と垂直な断面が矩形であり、電場が矩形の長辺方向を向く直線偏光の矩形レーザビーム、又は、長軸が長辺方向を向く楕円偏光の矩形レーザビームを生成する段階と、前記矩形レーザビームを基板の表面に入射させる段階と、前記矩形レーザビームの波長を、定在波方向の所望の結晶粒寸法程度の長さに設定する段階と、を含む。

Abstract translation: 一种激光退火方法，其通过用激光束照射形成在基板的表面上的半导体膜进行，并且包括以下步骤：产生具有与前进方向垂直的矩形截面的线偏振矩形激光束，其电 指向矩形的长边方向的一个或多个椭圆偏振矩形激光束，其长轴指向长边方向，允许矩形激光束进入基板的表面的步骤，并且步骤 将矩形激光束的波长设定为在静止波方向上约为晶粒的期望尺寸的长度。