Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Laserauftragsschweißen, wobei ein Zusatzwerkstoff, insbesondere ein pulverförmiger Zusatzwerkstoff, auf wenigstens einen Bereich einer Oberfläche eines Werkstücks (3) aufgebracht wird. Der Zusatzwerkstoff wird wenigstens teilweise mittels eines Laserstrahls aufgeschmolzen und/oder ein Bereich der Werkstückoberfläche mittels eines Laserstrahls aufgeschmolzen derart, dass sich nach dem Erstarren ein stoffschlüssiger Materialauftrag des Zusatzwerkstoffs auf der Werkstückoberfläche ergibt. Der Laserstrahl wird auf die Werkstückoberfläche mittels einer Laserbearbeitungseinrichtung (1) gerichtet. Die Laserbearbeitungseinrichtung (1) weist eine Laserdüse (7) auf, die einen Arbeitsbereich (21) definiert, innerhalb dessen der Laserstrahl auf die Werkstückoberfläche auftrifft. Die Auftreffstelle des Laserstrahls auf der Werkstückoberfläche wird durch eine Abtastbewegung verändert, bei welcher sich die Laserdüse (7) und die Werkstückoberfläche relativ zueinander bewegen. Der Abtastbewegung wird eine Zusatzbewegung überlagert, durch welche die Auftreffstelle des Laserstrahls auf der Werkstückoberfläche innerhalb des Arbeitsbereiches (21) der Laserdüse (7) verändert wird.
Abstract:
A picosecond laser beam shaping assembly is disclosed for shaping a picosecond laser beam for use in patterning (e.g., scribing) semiconductor devices. The assembly comprises a pulsed fibre laser source of picosecond laser pulses, a harmonic conversion element for converting laser pulses at a first laser wavelength having a first spectral bandwidth to laser pulses at a second laser wavelength having a second spectral bandwidth, and a beam shaping apparatus for shaping the laser beam at the second laser wavelength, the beam shaping apparatus having a spectral bandwidth that substantially corresponds to the second spectral bandwidth so as to produce a laser beam having a substantially rectangular cross-sectional profile.
Abstract:
The present invention relates to a laser welding system comprising a source (1) for a laser beam, a collimator (2) which is adapted to collimate the laser beam, and a focusing means (3) which is adapted to focus the collimated laser beam onto a concentrated point on a workpiece (4) to be welded. In order to allow for a homogeneous welding region, an optical element (5) is arranged between the collimator (2) and the focusing means (3), the optical element being adapted to spread a power distribution of the laser beam along a first direction running at an angle to an axis of the collimated laser beam. According to an alternative solution, the optical element (5) is arranged between the source (1) for the laser beam and the collimator (2).
Abstract:
In a thin beam directional Crystallization System configured anneal a silicon layer on a glass substrate uses a special laser beam profile with an intensity peak at one edge. The system is configured to entirely melt a spatially controlled portion of a silicon layer causing lateral crystal growth. By advancing the substrate or laser a certain step size and subjecting the silicon layer to successive "shots" from the laser, the entire silicon layer is crystallized. The lateral crystal growth creates a protrusion in the center of the melt area. This protrusion must be re-melted. Accordingly, the step size must be such that there is sufficient overlap between successive shots, i.e., melt zones, to ensure the protrusion is melted. This requires the step size to be less than half the beam width. A smaller step size reduces throughput and increases costs. The special laser profile used in accordance with the systems and methods described herein can increase the step size and thereby increase throughput and reduce costs.
Abstract:
A laser system that can be used to perform manufacturing process such as welding, cutting, drilling and marking a work piece. The laser system includes an array of laser diodes (12) that each generate a laser beam. The laser beams (16) may collectively create a beam that is directed onto the work piece (20). The system also includes a control circuit (28) that can select and control the laser diodes to vary a characteristic(s) and/or profile of the beam. The control circuit may control the laser diodes so that an outer area of the beam has a higher intensity than an inner area of the beam.