公开(公告)号：WO2015034118A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：PCT/KR2013/008116

申请日：2013-09-09

Applicant: 유봉영

Inventor： 유봉영 ,  이정훈 ,  권영임 ,  윤상화 ,  엄한돈

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/02002

Abstract: 본 발명은 공정비용이 낮으면서도 저온에서 수행되어 실리콘 박막의 품질을 유지할 수 있는 결정질 실리콘 기판의 박리방법에 관한 것으로서, 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계; 전해 증착(electrodeposition)을 위한 도금욕(bath)을 구성하는 단계; 상기 도금욕을 이용하여 전해 증착공정으로 상기 결정질 실리콘 기판에 스트레스층을 형성하는 단계; 및 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력에 의하여 상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 형태에 의한 결정질 실리콘 기판의 표면 박리방법은, 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계; 상기 결정질 실리콘 기판에 버퍼층을 형성하는 단계; 전해 증착을 위한 도금욕을 구성하는 단계; 상기 도금욕을 이용하여 전해 증착공정으로 상기 버퍼층의 표면에 스트레스층을 형성하는 단계; 및 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력에 의하여 상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계를 포함하며, 상기 버퍼층에 잔류하는 응력이 상기 스트레스층에 잔류하는 응력보다 작은 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 전해 증착을 이용하여 결정질 실리콘 기판을 박리함으로써, 저비용으로 결정질 실리콘 박막을 제조할 수 있으며, 고온에서 실리콘 박막의 품질이 저하되는 단점을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种剥离晶体硅衬底表面的方法，该方法需要较低的加工成本并且在低温下进行，从而可保持硅薄膜的质量。 该方法包括以下步骤：制备晶体硅衬底; 制备电沉积电镀液; 通过使用电镀液电沉积在晶体硅衬底上形成应力层; 并通过残留在应力层上的电沉积应力剥离晶体硅衬底的表面。 根据本发明另一实施例的剥离晶体硅衬底表面的方法包括以下步骤：制备晶体硅衬底; 在所述晶体硅衬底上形成缓冲层; 制备电沉积电镀液; 通过使用电镀液电沉积在缓冲层的表面上形成应力层; 并且通过残留在应力层上的电沉积应力剥离晶体硅衬底的表面，其中残留在缓冲层上的应力小于残余在应力层上的应力。 本发明可以通过电沉积剥离晶体硅衬底来以低成本制造晶体硅薄膜，并且可以防止在高温下降低薄晶体硅膜质量的缺点。

公开(公告)号：WO2014179234A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：PCT/US2014/035731

申请日：2014-04-28

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： MOORE, Robert, B. ,  SILVETTI, David ,  WIRTH, Paul ,  HARRIS, Randy

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/687

CPC classification number: C25D17/06 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25D17/005 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/76879

Abstract: In a processing system for electroplating semiconductor wafers and similar substrates, the contact ring of the electroplating processor is removed from the rotor of the processor and replaced with a previously deplated contact ring. This allows the contact ring to be deplated in ring service module of the system, while the processor continues to operate. Wafer throughput is improved. The contact ring may be attached to a chuck for moving the contact ring between the processors and the ring service module, with the chuck quickly attachable and releasable to the rotor.

Abstract translation: 在用于电镀半导体晶片和类似衬底的处理系统中，电镀处理器的接触环从处理器的转子移除，并被先前去绝缘的接触环替代。 这允许接触环在系统的环形服务模块中脱落，同时处理器继续工作。 晶圆生产量提高。 接触环可以附接到卡盘，用于使处理器和环形服务模块之间的接触环移动，卡盘可快速地附接和释放到转子上。

公开(公告)号：WO2014160400A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/US2014/026495

申请日：2014-03-13

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： ZIMMERMAN, Nolan ,  HARRIS, Randy, A. ,  WOODRUFF, Daniel, J.

IPC: H01L21/288

CPC classification number: C25D21/04 ,  C25D5/003 ,  C25D17/001 ,  C25D17/06

Abstract: A substrate processor uses pressurized gas to create a vortex for lifting and holding a wafer, and to create a vacuum to prevent the wafer from adhering to a contact ring seal after electroplating the wafer. A processor head has a rotor movable into and out of an electrolyte vessel. A backing plate on the rotor includes vortex outlets which create the vortex in the rotor. A vacuum channel adjacent to the perimeter of the rotor applies vacuum to the wafer edges to hold the wafer onto the backing plate. A solenoid or switch in the head has a first position to supply gas flow to the vortex outlets, and a second position to supply gas flow to an aspirator which creates the vacuum in the vacuum channel.

Abstract translation: 基板处理器使用加压气体来产生用于提升和保持晶片的涡流，并且在电镀晶片之后产生真空以防止晶片粘附到接触环密封件。 处理器头具有可移入和移出电解质容器的转子。 转子上的背板包括在转子中产生涡流的涡流出口。 邻近转子周边的真空通道对晶片边缘施加真空以将晶片保持在背板上。 头部中的螺线管或开关具有向涡流出口提供气流的第一位置，以及向吸气器供应气体的第二位置，该吸气器在真空通道中产生真空。

公开(公告)号：WO2014149245A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：PCT/US2014/015876

申请日：2014-02-11

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： GEBREGZIABIHER, Daniel, K. ,  KLOCKE, John ,  SHARBONO, Charles ,  THAMBIDURAI, Chandru ,  ERICKSON, David, J.

IPC: H01L21/288

CPC classification number: C25D21/12 ,  C25D5/18 ,  C25D7/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898

Abstract: A method for electroplating a wafer detects plating bath failure based on a voltage change. The method is useful in plating wafers having TSV features. Voltage of each anode of a plating processor may be monitored. An abrupt drop in voltage signals a bath failure resulting from conversion of an accelerator such as SPS to it's by products MPS. Bath failure is delayed or avoided by current pulsing or current ramping. An improved plating bath has a catholyte with a very low acid concentration.

Abstract translation: 基于电压变化的电镀电镀方法检测电镀槽故障。 该方法在具有TSV特征的电镀晶片中是有用的。 可以监测电镀处理器的每个阳极的电压。 电压的突然下降表明由诸如SPS的加速器转换为由产品MPS引起的浴槽故障。 通过当前的脉冲或电流斜坡延迟或避免浴液故障。 改进的电镀浴具有非常低的酸浓度的阴极电解液。

公开(公告)号：WO2014112554A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：PCT/JP2014/050673

申请日：2014-01-16

Applicant: コニカミノルタ株式会社

Inventor： 仲島　厚志

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0005 ,  H01L51/0558

Abstract: インクに添加材を加える等の方法を用いなくとも、得られる薄膜の均質化や、平坦性の向上を、再現性良く実現でき、更に、短時間でインクの加熱乾燥を行うことができ、基材の変形や変性を防止できる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供することを目的とし、薄膜形成方法は、基材１上にインク２を付与して薄膜塗膜３を形成する方法において、基材１上にインク２を付与した後、インク３が乾燥する前に基材１面に高照度光を照射してインク２を加熱乾燥し、また、薄膜形成装置は、基材上にインクを付与して薄膜塗膜を形成する装置において、該装置が、基材上にインクを付与する機構、インクが乾燥する前に基材面に高照度光を照射してインクを加熱乾燥する機構を有する。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于形成薄膜的方法和装置，即使不使用向墨水中添加添加剂等方法，也能够使得到的薄膜的均匀性和平坦性得到良好的再现性提高， 并且还能够在短时间内对油墨进行加热干燥，并且防止基板的变形或变性。 薄膜形成方法是通过将油墨（2）施加到基板（1）来形成薄膜涂层（3）的方法，其中在将油墨（2）施加到基板（1）之后， 在油墨（3）干燥之前，将强度光照射在基板（1）表面上，以便对油墨（2）进行热干燥，并且薄膜形成装置是通过施加形成薄膜涂层的装置 油墨到基板，其中该装置具有将油墨施加到基板的机构，以及用于在油墨干燥之前在基板表面上照射高强度光以便对油墨进行热干燥的机构。

公开(公告)号：WO2014072918A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/IB2013/059950

申请日：2013-11-06

Applicant: INTRINSIQ MATERIALS LTD

Inventor： DIXON, Richard ,  PEDROSA, Jose ,  YU, Kai Man Kerry ,  YU, Eric

IPC: C09D11/00 ,  H01L21/288 ,  H01L31/0224 ,  B22F9/12 ,  B22F9/04

CPC classification number: C09D11/00 ,  B22F1/0022 ,  B22F7/08 ,  B22F9/04 ,  B22F2202/13 ,  C08K3/34 ,  C09D5/006 ,  C09D11/322 ,  C09D11/52 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: The invention relates to an ink composition suitable for applications onto solar cells. Specifically, the invention describes several compositions, using nickel/silicon alloys which have been found to be particularly effective contact metallisation of emitter layers. The ratio of nickel to silicon in claimed invention is in the range of 0.1:1 to 1:0.1.

Abstract translation: 本发明涉及一种适用于太阳能电池的油墨组合物。 具体地，本发明描述了使用已经被发现是特别有效的发射极层的接触金属化的镍/硅合金的几种组合物。 所要求保护的发明中镍与硅的比例在0.1:1至1:0.1的范围内。

公开(公告)号：WO2013180063A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：PCT/JP2013/064644

申请日：2013-05-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 水谷　信崇 ,  田中　崇 ,  岩下　光秋

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/31 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C18/1875 ,  C23C18/1616 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/168 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76898

Abstract: 　凹部の内面に形成されるめっき層の厚みの均一性を向上させることができるめっき処理方法を提供する。めっき処理方法は、凹部が形成された基板をケーシングの内部に準備する工程と、めっき液を基板に対して供給し、特定機能を有するめっき層を凹部の内面に形成するめっき工程と、を備えている。めっき工程は、めっき液を基板に対して供給し、基板の凹部内にめっき液を供給し充填した後に、前記めっき液より高い温度のめっき液を基板に対して用いる。

Abstract translation: 提供一种电镀方法，其可以提高形成在凹部的内表面上的镀层的厚度的均匀性。 电镀方法包括在壳体内部制备其上形成有凹部的基板的步骤，以及将镀液供给到基板的镀层工序，在内部形成具有特定功能的镀层 凹面的表面。 关于电镀步骤，在将电镀溶液供给到基板并且向基板的凹部填充有被供给的电镀液之后，具有比上述电镀液高的电镀液 用于基板上。

公开(公告)号：WO2013142207A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/US2013/030993

申请日：2013-03-13

Applicant: LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： KOLICS, Artur

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C18/38 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/48 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883

Abstract: A method for providing copper filled features in a layer is provided. A deposition of copper is provided to fill features in the layer. Tops of the copper deposit are cleaned to remove copper or copper oxide at tops of the copper deposit. A selective copper alloy plating on the tops of the copper deposit is provided. The copper deposit and selective copper alloy plating are annealed.

Abstract translation: 提供了一种在层中提供铜填充特征的方法。 提供铜的沉积以填充该层中的特征。 清除铜沉积物的顶部以除去铜沉积物顶部的铜或铜氧化物。 提供铜沉积物顶部的选择性铜合金电镀。 铜沉积物和选择性铜合金电镀退火。

公开(公告)号：WO2013069466A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/JP2012/077560

申请日：2012-10-25

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 宮本　公明

IPC: H01L21/288 ,  B05D3/06 ,  B05D5/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1292 ,  B05D5/02 ,  B05D5/08 ,  H05K3/1208

Abstract: 　微細なパターンのパターン形成方法は、基板上に形成された、親疎水性変換機能を有する第１の膜において、パターンが形成されるパターン形成領域を親疎水性に変化させる工程と、パターン形成領域に第２の膜を形成し、第２の膜が乾燥してパターンを形成する工程とを有する。第２の膜は、厚さが０．１μｍになったときの粘度が３ｍＰａ・ｓ以下である。

Abstract translation: 用于形成精细图案的图案形成方法具有：将形成图案的图案形成区域改变为在基底上形成的具有亲水/疏水性的第一膜中的亲水/疏水区域的步骤 转换功能; 以及在图案形成区域中形成第二膜的步骤，通过干燥第二膜形成图案。 当厚度为0.1μm时，第二膜的粘度为3mPa·s以下。

公开(公告)号：WO2013069448A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/JP2012/077323

申请日：2012-10-23

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 ,  セイコーエプソン株式会社

Inventor： 下田　達也 ,  金田　敏彦

IPC: H01L21/336 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L41/09 ,  H01L41/22

CPC classification number: B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1645 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1216 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28291 ,  H01L27/1292 ,  H01L28/40 ,  H01L29/7869 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/318 ,  H01L41/331

Abstract: 　本発明の型押し構造体の製造方法は、熱処理することにより金属酸化物又は金属となる液体材料を準備する第１工程と、基材上に液体材料を塗布することにより金属酸化物又は金属の前駆体組成物からなる前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層に対して凹凸型を用いて型押し加工を施すことにより前駆体組成物層に残膜を含む型押し構造を形成する第３工程と、型押し構造が形成された前駆体組成物層に対して大気圧プラズマ又は減圧プラズマによるアッシング処理を施すことにより残膜を処理する第４工程と、前駆体組成物層を熱処理することにより、前駆体組成物層から金属酸化物又は金属からなる型押し構造体を形成する第５工程とをこの順序で含む。　本発明の型押し構造体の製造方法によれば、種々の機能性デバイスを、従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能となる。

Abstract translation: 该制造压模结构体的方法按照以下顺序进行：第一步骤，通过进行热处理来制备变成金属氧化物或金属的液体材料; 通过将液体材料施加到基材上形成由所述金属氧化物或所述金属的前体组合物制成的前体组合物层的第二步骤; 第三步骤，在前体组合物层上，通过使用具有突出和凹陷的模具，对前体组合物层进行压模加工，形成包含残留膜的模压结构; 通过对其中形成有压模结构的前体组合物层进行灰磨处理的大气压等离子体或减压等离子体处理残留膜的第四步骤; 以及通过对前体组合物层进行热处理从前体组合物层形成由所述金属氧化物或所述金属制成的模压结构体的第五步骤。 根据该压模构造体的制造方法，与现有技术相比，通过使用显着更少量的原料和生产能量，与传统技术相比，可以制造各种功能元件。