利索-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

96 records (took 0.014 seconds)

    圧電磁器、圧電素子および圧電磁器の製造方法
    61.
    发明申请
    圧電磁器、圧電素子および圧電磁器の製造方法 审中-公开
    压电陶瓷，压电元件和制造压电陶瓷的方法

    公开(公告)号：WO2013146915A1

    公开(公告)日：2013-10-03

    申请号：PCT/JP2013/059078

    申请日：2013-03-27

    Applicant: 京セラ株式会社

    Inventor： 小松　剛士

    IPC: C04B35/462 ,  G01L1/16 ,  G01L23/10 ,  G01L23/22 ,  H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/257 ,  H01L41/39

    CPC classification number: G01L23/10 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/72 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/77 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/333 ,  H01L41/43

    Abstract: 【課題】　荷重が印加された際に圧電磁器から出力される出力電荷のヒステリシスが小さい圧電磁器を提供する。 【解決手段】　基体２１の反対側に位置する互いに平行な一対の主面２ａおよび２ｂと、主面２ａおよび２ｂのそれぞれの周縁３ａおよび３ｂに接続した側面４とを有し、組成式がＢｉ ４ Ｔｉ ３ Ｏ １２ ・αＭＴｉＯ ３ で表される層状化合物を主成分とし、組成式においてＭがＳｒおよびＢａの少なくとも１種であるとともに０．１≦α≦１を満たし、基体２１は、側面４および一対の主面２ａおよび２ｂそれぞれの近傍領域４Ａおよび４Ｂを含む外側領域２２と、外側領域２２に囲まれた内側領域２４とを有し、外側領域２２の側面４に対するＣｕ－Ｋα線を用いたＸ線回折における、回折角（２θ）が２２．８°～２３．５°の範囲にあるピークの半値幅Ｗ Ａ が、内側領域２４の主面２ａおよび２ｂそれぞれに対するＣｕ－Ｋα線を用いたＸ線回折における、回折角（２θ）が２２．８°～２３．５°の範囲にあるピークの半値幅Ｗ Ｂ に比べて小さいことを特徴とする圧電磁器２０を提供する。

    Abstract translation: 提供一种在施加负载时在压电陶瓷的输出电荷输出中具有低磁滞的压电陶瓷。 [解决方案]提供一种压电陶瓷（20），其特征在于具有彼此平行并位于基体（21）和侧表面（4）的相对侧上的一对主表面（2a和2b），所述侧表面 分别连接到主表面（2a和2b）的外围边缘（3a和3b），主要部件是组成由Bi4Ti3O12·αMGiO3表示的层状化合物。 在组成式中，M是Sr和Ba中的任一个或两者，并且也满足0.1 <=α<1。压电陶瓷（20）的特征还在于具有外部区域（22）的基体（21），其包括 分别位于侧表面（4）和一对主表面（2a和2b）附近的区域（4A和4B）和被外部区域（22）包围的内部区域（24），以及由外部区域 在X射线衍射中使用Cu-Kalpha光束作为外部区域（22）相对于侧面的衍射角（2θ）在22.8-23.5°范围内的峰的峰值宽度（WA） 对于每个主表面使用Cu-Kalpha光束，x射线衍射中的衍射角（2θ），表面（4）小于半高（WB）的峰宽在22.8-23.5°的范围内 2a和2b）用于内部区域（24）。

    圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子
    66.
    发明申请
    圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子 审中-公开
    压电陶瓷组合物和使用它的压电元件

    公开(公告)号：WO2010001542A1

    公开(公告)日：2010-01-07

    申请号：PCT/JP2009/002817

    申请日：2009-06-22

    Applicant: 日本特殊陶業株式会社 ,  山崎正人 ,  松岡誉幸 ,  山際勝也 ,  光岡健

    Inventor： 山崎正人 ,  松岡誉幸 ,  山際勝也 ,  光岡健

    IPC: C04B35/46 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/107 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24 ,  H03H9/17

    CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/604 ,  H01L41/1878 ,  H03H9/176

    Abstract: 高い耐熱性と大きな圧電歪定数とを有する圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子を提供する。本圧電磁器組成物は、Ｎａ、Ｂｉ、Ｔｉ及びＣｒの酸化物換算による含有比を「ａＮａ ２ Ｏ－ｂＢｉ ２ Ｏ ３ －ｃＴｉＯ ２ －ｄＣｒＯ ３／２ 」とした場合に、ａ、ｂ、ｃ及びｄの各モル比は、０．０３０≦ａ≦０．０４２、０．３３０≦ｂ≦０．３７０、０．５８０≦ｃ≦０．６２０、０＜ｄ≦０．０１７、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１とする。特にビスマス層状構造強誘電体を主結晶相とし、Ｎａ ０．５ Ｂｉ ４．５ Ｔｉ ４ Ｏ １５ 型結晶を主結晶相とすることが好ましい。本圧電素子は本圧電磁器組成物からなる圧電体とこの圧電体と接する少なくとも一対の電極とを備える。

    Abstract translation: 一种压电陶瓷组合物，其耐热性高，压电应变常数大; 以及使用该压电元件制成的压电元件。 当压电陶瓷组合物的Na，Bi，Ti和Cr的含量比（换算成氧化物）由下式表示时：aNa2O-bBi2O3-cTiO2 -dCrO3 / 2，摩尔比a，b，c和d 满足以下关系：0.030a 0.042,0.330b 0.370,0.580c 0.620,0.017和a + b + c + d = 1。陶瓷组合物的主晶相优选为铋层结构铁电陶瓷，特别是， Na0.5Bi4.5Ti4O15型晶体。 压电元件设置有由压电组合物构成的压电体和与压电体接触形成的至少一对电极。

    PIEZOKERAMISCHES VIELSCHICHTELEMENT
    68.
    发明申请
    PIEZOKERAMISCHES VIELSCHICHTELEMENT 审中-公开
    PIEZO陶瓷多层元

    公开(公告)号：WO2009050299A1

    公开(公告)日：2009-04-23

    申请号：PCT/EP2008/064123

    申请日：2008-10-20

    Applicant: CERAMTEC AG ,  BINDIG, Reiner ,  SCHREINER, Hans-Jürgen

    Inventor： BINDIG, Reiner ,  SCHREINER, Hans-Jürgen

    IPC: C04B35/491 ,  H01L41/187

    CPC classification number: C04B35/491 ,  C04B35/462 ,  C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/6303 ,  C04B37/001 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/768 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/273 ,  H01L41/43

    Abstract: Nach dem Stand der Technik werden piezokeramische Vielschichtelemente bei Temperaturen von etwa 1100 o C oder darüber in Luft gesintert. Deshalb kann als Innenelektrode nur ein Edelmetall mit hoher Schmelztemperatur verwendet werden. Unedle Metalle würden oxidieren. Normalerweise wird deshalb eine Silber-Palladiumlegierung mit bis zu 40 % Palladium verwendet. Dies ist jedoch mit hohen Werkstoffkosten verbunden. Niedrige Schmelztemperaturen des Innenelektroden-Werkstoffs erfordern aber auch einen Keramikwerkstoff mit entsprechend niedrigen Sintertemperaturen. Erfindungsgemäß wird deshalb vorgeschlagen, dass dem Grundwerkstoff ein elektrisch nicht leitfähiges Sinterhilfsmittel zugegeben wird und dass die Innenelektrode als Hauptwerkstoffkomponente Silber, bevorzugt reines Silber, enthält und eine elektrisch nicht leitfähige Werkstoffkomponente und/oder eine Metalllegierung oder eine Metalloxidmischung.

    Abstract translation: 根据在约1100℃或更高的温度下的现有技术的压电陶瓷多层元件在空气中烧结。 因此，只有贵金属可以以高的熔融温度比所述内部电极中使用。 基本金属会氧化。 因此，通常使用具有钯的高达40％银 - 钯合金。 这与材料成本高有关。 然而，内电极材料的低熔融温度也需要具有相应低的烧结温度的陶瓷材料。 根据本发明，因此，建议的是，基底材料不导电的助烧结剂加入，并且所述内电极作为主要原料成分的银，优选纯银，和具有非导电材料成分和/或金属合金或金属氧化物。

    圧電磁器および圧電素子
    69.
    发明申请
    圧電磁器および圧電素子 审中-公开
    压电陶瓷材料和压电元件

    公开(公告)号：WO2008081842A1

    公开(公告)日：2008-07-10

    申请号：PCT/JP2007/075032

    申请日：2007-12-26

    Applicant: 京セラ株式会社 ,  岩下 修三

    Inventor： 岩下 修三

    IPC: C04B35/475 ,  H01L41/187

    CPC classification number: C04B35/475 ,  C01G29/006 ,  C01G49/009 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/85 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/43

    Abstract: 第１の発明は、組成式Ｂｉ ４ Ｔｉ ３ Ｏ １２ ・ｗ｛（１－ｘ）Ａ １－ｙ―ｚ Ｂｉ ｙ ＲＥ ｚ ＴｉＯ ３ ・ｘＢｉＦｅＯ ３ ｝で表され、ＡがＭ１ α （Ｍ２ １／２ Ｂｉ １／２ ） １－α 、Ｍ１はアルカリ土類金属元素、Ｍ２はアルカリ金属元素、ＲＥは希土類元素であり、１．３０≦ｗ≦１．７５、０≦ｘ≦０．１０、０≦ｙ＋ｚ≦０．３０、０≦α≦１である成分１００質量部に対して、Ｍｎを酸化物（ＭｎＯ ２ ）換算で０．０５質量部以上含有する、主成分がビスマス層状化合物からなる圧電磁器。 第２の発明は、組成式がＢｉ ４ Ｔｉ ３ Ｏ １２ ・ｗ（Ａ １－ｚ ＲＥ ｚ ）ＴｉＯ ３ で表され、ＡがＭ１ α （Ｍ２ １／２ Ｂｉ １／２ ） １－α であり、Ｍ１はアルカリ土類金属元素、Ｍ２はアルカリ金属元素、ＲＥが希土類元素であり、０．２≦ｗ、０．０５≦ｚ≦０．３、０≦α≦１である主成分１００質量部と、Ｍｎを酸化物（ＭｎＯ ２ ）換算で０．０５～２．０質量部とを含有する、ビスマス層状化合物を主成分とする粒子間にＭｎが偏在していないことを特徴とする圧電磁器。  

    Abstract translation: 公开了一种主要由铋层状化合物构成的压电陶瓷材料，其包含100质量份以组成式表示的组分：Bi 4 Ti 3 N 3 （1-x）A 1-yz 2 / y 2 x 3 xBiFeO 3 [其中A表示M1a（M2 / 2/2）1/2 1/2 ）。 还公开了主要由铋层状化合物构成的压电陶瓷材料，其包含100质量份以组成式表示的主要成分：Bi 4 Ti 3 其中A表示M 1，R 2，R 2，R 3，R 5， （M2 / 2 / 2,1 / 2/2）1-a1，M1表示碱土金属元素，M2表示 碱金属元素RE表示稀土元素，w，z和a满足下式：0.2 = w，0.05 = z = 0.3，0 = a = 1]，Mn为0.05〜2.0质量份 的氧化物（MnO 2 N 2）的含量，并且其中Mn在颗粒之间的空间中不分布不均匀。

    高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子、薄膜積層コンデンサおよび薄膜容量素子の製造方法
    70.
    发明申请
    高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子、薄膜積層コンデンサおよび薄膜容量素子の製造方法 审中-公开
    高介电常数绝缘膜，薄膜电容元件，薄膜多层电容器及制造薄膜电容元件的方法

    公开(公告)号：WO2004077566A1

    公开(公告)日：2004-09-10

    申请号：PCT/JP2004/002118

    申请日：2004-02-24

    Applicant: TDK株式会社 ,  宮本 ゆき ,  坂下 幸雄

    Inventor： 宮本 ゆき ,  坂下 幸雄

    IPC: H01L27/04

    CPC classification number: H01G4/1218 ,  C01G29/006 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/30 ,  H01L28/55 ,  Y10S438/957

    Abstract: A dielectric thin film (8) comprises a first bismuth lamellar compound layer (8a) which is expressed by the chemical formula: (Bi2O2) (Am-1BmO3m+1) or Bi2Am-1BmO3m+3, wherein m represents a positive number, A represents at least one element selected among Na, K, Pb, Ba, Sr, Ca and Bi, and B represents at least one element selected among Fe, Co, Cr, Ga, Ti, Nb, Ta, Sb, V, Mo and W. A second bismuth lamellar compound layer (8b) containing more bismuth than the first bismuth lamellar compound (8a) is formed between the first bismuth lamellar compound layer (8a) and a lower electrode (6).

    Abstract translation: 电介质薄膜（8）包括由化学式（Bi 2 O 2）2+（Am-1BmO 3m + 1）2-或Bi 2 Am-1BmO 3 m + 3表示的第一铋层状化合物层（8a） 其中m表示正数，A表示选自Na，K，Pb，Ba，Sr，Ca和Bi中的至少一种元素，B表示选自Fe，Co，Cr，Ga，Ti，Nb， Ta，Sb，V，Mo和W.在第一铋层状化合物层（8a）和下电极（6）之间形成有比第一铋层状化合物（8a）更多的含有铋的第二铋层状化合物层（8b） 。

Patent Agency Ranking