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    METHOD FOR PRODUCING AN EUV MODULE, EUV MODULE AND EUV LITHOGRAPHY SYSTEM
    2.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING AN EUV MODULE, EUV MODULE AND EUV LITHOGRAPHY SYSTEM 审中-公开
    用于生成EUV模块，EUV模块和EUV LITHOGRAPHY系统的方法

    公开(公告)号：WO2016180609A1

    公开(公告)日：2016-11-17

    申请号：PCT/EP2016/058672

    申请日：2016-04-19

    Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH

    Inventor： SCHMEHL, Andreas

    IPC: G03F7/20

    CPC classification number: G03F7/70825 ,  C04B37/006 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/80

    Abstract: The invention relates to a method for coating a surface (101) of an EUV submodule (120, 130) of ceramic material (100) that is intended for use in an EUV lithography system (500). Firstly, metallic solder (114) is applied to the surface (101) of the ceramic substrate (100) over its full surface area. Then a thermal treatment is performed for producing a material bond (116) between the ceramic material (100) and the metallic solder (114). The invention also relates to a method for producing an EUV module (200). For this purpose, at least two EUV submodules (120, 130) respectively coated over their full surface area by the method described above are joined by soldering or adhesive bonding. The invention relates furthermore to an EUV submodule (120, 130), to an EUV module (200) and to an EUV lithography system.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于涂覆旨在用于EUV光刻系统（500）的陶瓷材料（100）的EUV子模块（120,130）的表面（101）的方法。 首先，将金属焊料（114）在其整个表面积上施加到陶瓷基板（100）的表面（101）上。 然后进行热处理，以在陶瓷材料（100）和金属焊料（114）之间产生材料结合（116）。 本发明还涉及一种用于制造EUV模块（200）的方法。 为此，通过上述方法分别涂覆在它们的整个表面积上的至少两个EUV子模块（120,130）通过焊接或粘合粘合来连接。 本发明还涉及EUV子模块（120,130），EUV模块（200）和EUV光刻系统。

    KERAMISCHE DRUCKMESSZELLE UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
    7.
    发明申请
    KERAMISCHE DRUCKMESSZELLE UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG 审中-公开
    陶瓷压力测量单元及其制造方法

    公开(公告)号：WO2014183960A1

    公开(公告)日：2014-11-20

    申请号：PCT/EP2014/058098

    申请日：2014-04-22

    Applicant: ENDRESS+HAUSER GMBH+CO. KG

    Inventor： PONATH, Nils ,  ROßBERG, Andreas

    IPC: G01L9/00

    CPC classification number: G01L9/0075 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/3606 ,  C04B37/006 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/592 ,  C04B2237/62

    Abstract: Eine Druckmesszelle (1), umfasst: eine keramische Messmembran (2) und einen keramischen Gegenkörper (4), wobei die Messmembran mit dem Gegenkörper unter Bildung einer Druckkammer zwischen der Messmembran und dem Gegenkörper mittels eines Aktivhartlots (6) druckdicht gefügt ist, wobei die Druckmesszelle (1) weiterhin an einer Oberfläche der Messmembran (2) und/oder des Gegenkörpers (4) eine Lotstoppschicht aufweist, wobei die Lotstoppschicht ein Metalloxid oder einereduzierte Form des Metalloxids aufweist, wobei das Metalloxid mindestens eine Oxidationsstufe aufweist, die unter Annahme eines Aktivitätskoeffizienten von R akt =1 bei einer inversen Temperatur von 8⋅10 .4 /K einen Sauerstoffkoexistenzzersetzungsdruck von nicht weniger als10 .23. bar und nicht mehr als10 -12. bar aufweist undwelche unter Annahme eines Aktivitätskoeffizienten von R akt = 1 bei einer inversen Temperatur von 9.10 -4 /K einen Sauerstoffkoexistenzzersetzungsdruck von nicht weniger als10 -27 bar und nicht mehr als10 -15 bar aufweist,geeignete Metalloxide sind beispielsweise Oxide von Chrom,Wolfram oder Titan.

    Abstract translation: 压力测量单元（1），包括：陶瓷测量膜片（2）和陶瓷反主体（4），其中，所述测量膜片接合到计数器体，形成测量膜与对置体之间的压力室通过活性钎焊的装置（6）压力密封，其中，所述 压力测量单元（1）还对测量膜片（2）和/或所述反体（4）具有阻焊层的一个表面上，其特征在于，阻焊层包含金属氧化物或金属氧化物的还原形式，其中所述金属氧化物包含至少一种氧化态，其中，假设活度系数 的Rakt = 1在逆8⋅10.4/ K的温度不低于als10.23的氧共存分解压力。 酒吧和不als10-12。 杆具有andwhich假设Rakt = 1的活度系数与9.10-4 / K不小于als10-27巴的氧共存分解压力和不再逆温度具有als10-15巴，合适的金属氧化物是，例如，铬，钨，或钛的氧化物 ，

    冷却板、その製法及び半導体製造装置用部材
    8.
    发明申请
    冷却板、その製法及び半導体製造装置用部材 审中-公开
    冷却板，制造方法和半导体制造装置部件

    公开(公告)号：WO2014141974A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：PCT/JP2014/055665

    申请日：2014-03-05

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 神藤　明日美 ,  井上　勝弘 ,  勝田　祐司 ,  片居木　俊 ,  天野　真悟 ,  杉本　博哉

    IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

    CPC classification number: F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969

    Abstract: 半導体製造装置用部材（１０）は、アルミナ製の静電チャック（２０）と、冷却板（３０）と、冷却板－チャック接合層（４０）とを備えている。冷却板（３０）は、第１～第３基板（３１～３３）と、第１及び第２基板（３１，３２）の間に形成された第１金属接合層（３４）と、第２及び第３基板（３２，３３）の間に形成された第２金属接合層（３５）と、冷媒通路（３６）とを備えている。第１～第３基板（３１～３３）は、炭化珪素を最も多く含有すると共に、珪化チタン、チタンシリコンカーバイド及び炭化チタンを含む緻密質複合材料で形成されている。金属接合層（３４，３５）は、第１及び第２基板（３１，３２）の間と第２及び第３基板（３２，３３）の間にＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系又はＡｌ－Ｍｇ系の金属接合材を挟んで各基板（３１～３３）を熱圧接合することにより形成されたものである。

    Abstract translation: 半导体制造装置构件（10）设置有由氧化铝制成的静电卡盘（20），冷却板（30）和冷却板卡盘接合层（40）。 冷却板（30）设置有第一至第三基板（31-33），形成在第一和第二基板（31,32）之间的第一金属接合层（34），第二金属接合层（35） 第二和第三基板（32,33）和冷却剂通道（36）。 第一至第三基板（31-33）并且由包含最大比例的碳化硅的致密复合材料形成，并且包括二硅化钛，钛碳化硅和碳化钛。 金属接合层（34,35）通过在第一和第二基板（31,32）之间用Al-Si-Mg型或Al-Mg型金属接合材料热压粘合基板（31-33） ）和第二和第三基板（32,33）之间。

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