公开(公告)号：WO2011064428A1

公开(公告)日：2011-06-03

申请号：PCT/ES2010/070750

申请日：2010-11-18

申请人： CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS (CSIC) ,  UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA ,  LARREA ARBAIZAR, Ángel ,  MERINO RUBIO, Rosa ,  ORERA CLEMENTE, Víctor ,  PEÑA TORRE, José Ignacio ,  SOLA MARTÍNEZ, Daniel

发明人： LARREA ARBAIZAR, Ángel ,  MERINO RUBIO, Rosa ,  ORERA CLEMENTE, Víctor ,  PEÑA TORRE, José Ignacio ,  SOLA MARTÍNEZ, Daniel

IPC分类号： B23K26/40 ,  H01M8/12

CPC分类号： H01M8/126 ,  B01D67/006 ,  B01D71/024 ,  H01M8/0289 ,  H01M8/1253 ,  H01M2008/1293 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

摘要： A partir de compactos cerámicos (1) de gran conducción iónica a altas temperaturas, ya sea circona estabilizada con itria (YSZ), circona estabilizada con escandía (SSZ), ceria dopada con gadolinio (GDC) o cualquier otro, se consigue obtener mediante mecanizado láser membranas electrolíticas delgadas y autosoportadas, cuyos extremos se encuentran soportados por un material de la misma composición y en consecuencia del mismo coeficiente de dilatación térmica, dotando a dichas membranas electrolíticas de una estabilidad térmica absoluta y que presentan una resistencia estructural suficiente como para poder construir sobre ellas pilas de combustible de óxido sólido, celdas electrolizadoras o sensores de oxígeno.

摘要翻译： 根据本发明，使用在高温下具有良好离子传导性的紧密陶瓷（1），例如氧化钇稳定氧化锆（YSZ），鳞片稳定的氧化锆（SSZ），掺杂钆的二氧化铈（GDC）或任何其它的陶瓷（1） 通过激光加工获得自支撑的薄电解质膜，其端部由具有相同组成的材料支撑，因此具有相同的热膨胀系数，从而为所述电解质膜提供绝对的热稳定性和足够的结构 强度使得可以在其上构造固体氧化物燃料电池，电解槽电池或氧传感器。

公开(公告)号：WO2011008750A3

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：PCT/US2010041819

申请日：2010-07-13

申请人： BRIDGESTONE AMERICAS TIRE ,  CRIM DANIEL J

发明人： CRIM DANIEL J

IPC分类号： B23K26/18 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40

CPC分类号： B23K26/36 ,  B23K2203/50

摘要： An apparatus and method for verifying a laser etch on a rubber sample. In one embodiment, the apparatus includes a tire production line, a sample holding device, a laser having a diode, and a servo-assembly. The laser of the apparatus is configured to etch indicia on a sidewall of a tire on the tire production line and is further configured to etch al least one line in a rubber sample on the sample holding device. In one embodiment, the method includes etching a production tire with a laser, interrupting the laser, moving the laser to a laser diode testing location, loading a rubber sample in a holding device, etching at least one line into the rubber sample with the laser, manually or automatically measuring a depth of the at least one line, and comparing the depth of the at least one line to an acceptable line depth range.

摘要翻译： 一种用于验证橡胶样品上的激光蚀刻的设备和方法。 在一个实施例中，该设备包括轮胎生产线，样品保持装置，具有二极管的激光器和伺服组件。 该设备的激光器被构造成蚀刻轮胎生产线上的轮胎的侧壁上的标记并且还被配置为蚀刻样品保持装置上的橡胶样品中的至少一条线。 在一个实施例中，该方法包括用激光蚀刻生产轮胎，中断激光，将激光移动到激光二极管测试位置，将橡胶样品装载到保持装置中，用激光将至少一条线蚀刻到橡胶样品中 ，手动或自动测量所述至少一条线的深度，并将所述至少一条线的深度与可接受的线深度范围进行比较。

公开(公告)号：WO2011019812A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：PCT/US2010/045163

申请日：2010-08-11

申请人： ECHELON LASER SYSTEMS, LP ,  RIPLEY, Kimberly

发明人： RIPLEY, Kimberly

IPC分类号： C14B1/56 ,  C14B5/00 ,  B44C1/22 ,  B23K26/40

CPC分类号： C14B5/00 ,  B44C1/228 ,  C14B1/56 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/4935

摘要： Systems and methods for the elimination of odor caused by burned or laser-etching leather are provided. One method comprises the steps of providing a leather article with a burned-odor characteristic by laser-treating a side of the leather article; and treating the side of the leather article with an odor absorbent comprising zinc ricinoleate to eliminate the burned-odor characteristic.

摘要翻译： 提供了用于消除由燃烧或激光蚀刻皮革引起的气味的系统和方法。 一种方法包括通过激光处理皮革制品的一侧来提供具有燃烧气味特征的皮革制品的步骤; 并用含有蓖麻油酸锌的吸气剂处理皮革制品的一侧，以消除燃烧气味的特征。

公开(公告)号：WO2010139841A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：PCT/FI2009/050474

申请日：2009-06-04

申请人： CORELASE OY ,  KANGASTUPA, Jarno ,  AMBERLA, Tiina

发明人： KANGASTUPA, Jarno ,  AMBERLA, Tiina

IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/20 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40

CPC分类号： C03C23/0025 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/244 ,  B23K26/32 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  B28D5/0011 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/082 ,  Y02P40/57

摘要： The invention relates to a method and apparatus for processing substrates, such as glass and semiconductor wafers. The method comprises directing to the substrate from a laser source a plurality of sequential focused laser pulses having a predetermined duration, pulsing frequency and focal spot diameter, the pulses being capable of locally melting the substrate, and moving the laser source and the substrate with respect to each other at a predetermined moving velocity so that a structurally modified zone is formed to the substrate. According to the invention, the pulse duration is in the range of 20 –100 ps, pulsing frequency at least 1 MHz and moving velocity adjusted such that the distance between successive pulses is less than 1/5 of the diameter of the focal spot. The invention can be utilized, for example,for efficient dicing, scribing and welding of materials which are normally transparent.

摘要翻译： 本发明涉及用于处理诸如玻璃和半导体晶片的衬底的方法和装置。 该方法包括从激光源引导具有预定持续时间，脉冲频率和焦斑直径的多个顺序聚焦的激光脉冲，脉冲能够局部熔化基板，以及相对于基板移动激光源和基板 以预定的移动速度彼此相连，从而在基底上形成结构上改性的区域。 根据本发明，脉冲持续时间在20-100ps的范围内，脉冲频率至少为1MHz，移动速度被调整为使得连续脉冲之间的距离小于焦点直径的1/5。 本发明可以用于例如通常是透明的材料的有效切割，划线和焊接。

公开(公告)号：WO2010119995A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：PCT/JP2010/057309

申请日：2010-04-19

申请人： 沓名 宗春

发明人： 沓名　宗春

IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/12 ,  B23K26/14 ,  B23K26/32 ,  B23K26/36 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40

CPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/40

摘要： 本発明の繊維強化複合材料のレーザ加工方法は、１０ピコ秒から１００ナノ秒の範囲のパルス幅を持つ超短パルスレーザで、そのパルスエネルギーが１ｍＪ～５００Ｊの範囲の固体レーザを用いて、繊維強化複合材料あるいは複合材料合板（金属や無機材と繊維強化複合材料との合板）を、数１０Ｈｚ～数１００ｋＨｚの高繰り返し数で照射して切断することを特徴とする。本発明によれば、ＣＦＲＰを含む繊維強化複合材料について、精度良く、高品質で切断、穴あけ、溝加工、彫刻加工などのレーザ除去加工が可能となる。また、繊維強化複合材料に適正な形状の溶接継手を作製することができ、従来は困難であった複合材料の突合せ溶接が、モザイク継手を利用することで可能となる。また、このモザイク継手の接合法を用いて所望の大きさ（幅、長さ、厚さ）の板部材を得ることができるので、さらに軽量なパネルやＨ型コラムなどの構造部材を製作することができる。

摘要翻译： 本发明的纤维增强复合材料的激光加工方法的特征在于，使用纤维增强复合材料或复合层叠材料（由金属或无机材料和纤维增强材料的板构成的层材料） 脉冲宽度范围为10微米至100纳秒，脉冲能量为1mJ-500J的超短脉冲固体激光器，重复照射到频率范围为10Hz至100kHz的材料。 根据本发明，可以通过以高精度和高质量的激光去除材料来进行切割，穿孔，凹槽或雕刻包括CFRP的纤维增强复合材料的工作。 也可以形成适当形状的配合接头，使得在几乎不可行的对接焊中可以使用公 - 母接头。 由于阳 - 阴接头可用于任何所需尺寸（宽度，长度和厚度）的板，还可以制造诸如轻质板或H柱的结构构件。

公开(公告)号：WO2010112412A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：PCT/EP2010/053972

申请日：2010-03-26

申请人： CERAMTEC AG ,  REISS, Kunibert ,  KARL, Thomas ,  KLUGE, Claus Peter

发明人： REISS, Kunibert ,  KARL, Thomas ,  KLUGE, Claus Peter

IPC分类号： B23K26/06 ,  B23K26/36 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 ,  C03B33/02 ,  C03B33/09 ,  H01L21/78

CPC分类号： B23K26/40 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/364 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/52 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/082 ,  H01L21/78 ,  Y10T428/15

摘要： Die Erfindung betrifft ein Bauteil (1) mit einer Laserspur (2) als Bruchinitiierungslinie, die aus Lasereinschüssen eines Laserstrahls besteht, zur Vorbereitung für eine spätere Vereinzelung des Bauteils (1) in Einzelbauteile. Damit sichergestellt ist, dass beim Vereinzeln der Bruch immer entlang der Laserspur (2) verläuft, Brüche abweichend von der Laserspur (2) vermieden werden und die Bruchkanten nach dem Brechen gleichmäßig geformt sind und keine Ausfransungen aufweisen, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass der Abstand zwischen zwei benachbarten Lasereinschüssen kleiner oder gleich dem Durchmesser dieser Lasereinschüsse ist, jeweils gemessen an der Oberfläche des Bauteils (1).

摘要翻译： 本发明涉及用激光轨道（2），其为断裂起始线，它由Lasereinschüssen的激光束，在用于组分（1）成各个组分的分离后制备组分（1）。 为了确保在沿着激光跟踪（2）总是分割所述破损运行，骨折从激光跟踪（2）偏离避免，并且断裂边缘被粉碎后均匀地形成，并且具有无磨损，本发明提出之间的距离 在部件的表面上测量的两个相邻Lasereinschüssen小于或等于该Lasereinschüsse的直径，在每种情况下（1）。

公开(公告)号：WO2010065498A2

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：PCT/US2009/066189

申请日：2009-12-01

申请人： AMO DEVELOPMENT LLC ,  BOR, Zsolt ,  HOLLAND, Guy, V. ,  HORVATH, Christopher

发明人： BOR, Zsolt ,  HOLLAND, Guy, V. ,  HORVATH, Christopher

IPC分类号： B23K26/06 ,  B23K26/40 ,  B23K26/08 ,  B23K26/36 ,  B23K26/067 ,  A61B18/20

CPC分类号： B23K26/082 ,  A61B2018/20351 ,  A61F9/00829 ,  A61F9/00831 ,  A61F2009/00872 ,  A61F2009/0088 ,  A61F2009/00882 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/0673 ,  B23K26/361 ,  B23K2203/32 ,  B23K2203/50 ,  G02B5/32

摘要： System and method of photoaltering a material. The system includes a laser source operable to produce a primary pulsed beam, a holographic optical element configured to receive the primary pulsed beam and transmit a plurality of secondary beams, and a scanner operable to direct the secondary beams to the material. The secondary beams are based on the primary pulsed beam. The method includes phase shifting a pulsed laser beam to produce an input beam, holographically altering the input beam to produce a plurality of transmission beams, and scanning a portion of the material with the transmission beams.

摘要翻译： 光刻材料的系统和方法。 该系统包括可操作以产生主脉冲光束的激光源，被配置为接收主脉冲光束并透射多个次光束的全息光学元件，以及可操作以将次光束引导到材料的扫描仪。 次级光束基于主脉冲光束。 该方法包括相移脉冲激光束以产生输入光束，全息地改变输入光束以产生多个透射光束，并用传输光束扫描材料的​​一部分。

公开(公告)号：WO2010044217A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：PCT/JP2009/005192

申请日：2009-10-06

申请人： 株式会社リンクスタージャパン ,  亀井政行 ,  中山晶之 ,  社本英泰

发明人： 亀井政行 ,  中山晶之 ,  社本英泰

IPC分类号： C03B33/07 ,  B23K26/073 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  C03B33/09 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  H01J9/24 ,  H01J11/02 ,  H01J17/16 ,  B23K101/40

CPC分类号： C03B33/091 ,  C03B33/076 ,  G02F1/133351 ,  H01J9/241 ,  Y02P40/57

摘要： 　マトリクス状に配置された複数のセルを区画するシーリング材５により張り合わされた第１ガラス基板Ｇ１と第２ガラス基板Ｇ２を含むディスプレイパネルのマザーガラス基板１を切断する方法が提供される。第１工程では、隣接するセルのシーリング材５の間隙に加工予定線Ｌ１を配置し、加工予定線Ｌ１に沿って、第１ガラス基板Ｇ１にレーザを照射し、第１ガラス基板Ｇ１にスクライブラインを形成する。第２工程では、加工予定線Ｌ１に沿って、第２ガラス基板Ｇ２にレーザを照射するとともに、レーザが照射される領域４０の近傍を冷却し、第２ガラス基板Ｇ２を割断する。第２ガラス基板Ｇ２が割断する際に発生する応力がシーリング材５を介して第１ガラス基板Ｇ１に伝わることにより、第２ガラス基板Ｇ２の割断と実質的に同時に、第１ガラス基板Ｇ１をスクライブラインに沿って割断する。

摘要翻译： 提供一种用于切割显示面板的母玻璃基板（1）的方法，该显示面板包括第一玻璃基板（G1）和通过限定以矩阵排列的多个单元的密封件（5））接合的第二玻璃基板（G2）。 在第一步骤中，通过在相邻单元的密封构件（5）之间的间隙中设置预定的加工线（L1）并在第一玻璃基板（G1）上照射第一玻璃基板（G1），在第一玻璃基板（G1）上形成划线 沿着预定加工线（L1）的激光。 在第二步骤中，通过沿着预定加工线（L1）的激光照射第二玻璃基板（G2）并冷却照射激光的区域（40）的附近，第二玻璃基板（G2）被切割。 当第二玻璃基板（G2）断裂时产生的应力经由密封构件（5）传输到第一玻璃基板（G1），由此第一玻璃基板（G1）沿着划线基本上同时裂开 第二玻璃基板（G2）。

公开(公告)号：WO2009095474A9

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：PCT/EP2009051071

申请日：2009-01-30

申请人： GORDON VERWALTUNG GMBH ,  TESCHAUER GERT ,  WEISSBECK MATTHIAS ,  KRAUSE STEFFEN ,  GRUSSER ROMAN ,  UHLIG SEBASTIAN

发明人： TESCHAUER GERT ,  WEISSBECK MATTHIAS ,  KRAUSE STEFFEN ,  GRUSSER ROMAN ,  UHLIG SEBASTIAN

IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/08 ,  B23K26/36 ,  B23K26/40 ,  B44C1/22 ,  B65G15/10 ,  H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC分类号： B23K26/40 ,  B23K26/0838 ,  B23K26/361 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/52 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/67706

摘要： The invention relates to a device for labeling thin workpieces in particular, the brittleness of which requires special handling. A preferred field of application of the invention is the labeling of wafers. It is the object of the invention to feed the workpiece to the labeling device in a manner that protects it from damage such that the labeling is carried out in standardizable areas. Said object is achieved by a laser labeling device, comprising a labeling laser, a control read unit connected downstream of the labeling laser, a control computer, and a feed unit, which comprises a conveyor belt driven at least nearly with no slip and having a low friction coefficient on the workpiece side, wherein the workpiece is fed to a positioning unit prior to labeling.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于特别是薄工件标记的装置（1），所述脆性需要特殊处理。 本发明的一个优选的应用是晶片的标记。 本发明的目的是防止损坏标记装置固定，以便供应该标记在standardizable区域的工件（1）。 该目的是通过激光标记装置，包括一个激光标记，所述标记的激光（2）下游的控制读出装置（3），控制计算机（4）和一个进给装置实现的（5）至少基本上无滑动驱动，在工件侧的 包括具有低摩擦系数的传送带（51），其中的定位装置的所述标记之前的工件（1）（6; 61-62）被提供。

公开(公告)号：WO2009112544A3

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：PCT/EP2009/052908

申请日：2009-03-12

申请人： ERSOL SOLAR ENERGY AG ,  KROKOSZINSKI, Hans-Joachim

发明人： KROKOSZINSKI, Hans-Joachim

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18 ,  B23K26/40

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung monokristalliner Solarzellen mit rückseitiger Kontakt Struktur sowie einer im Waferverbund vorliegenden Vielzahl von annähernd flächengleichen Teilzellendioden mit lokalen pn-Übergängen, welche zum Erhalt einer erhöhten Ausgangsspannung in Serie geschaltet werden, wobei zwischen benachbarten Teilzellendioden in einem streifenförmigen Bereich (34), der ohne Dotierung verbleiben kann, ein Riss (35) durch den Wafer hindurch erzeugt wird und durch dessen Überbrückung mit gelöteten oder geklebten Metallbändchen (103) eine Verbindung der Teilzellendioden zur Serienschaltung erfolgt. Erfindungsgemäß wird der Wafer nach in an sich bekannter Weise realisierter Zellprozessierung einseitig Stoff schlüssig mit einer Ausdehnungsplatte (100) verbunden. Es erfolgt die Isolierrissausbildung dann von der der Ausdehnungsplatte gegenüberliegenden Waf erseite. Weiterhin wird die Ausdehnungsplatte mit Wafer erhitzt. In den sich ausdehnungsbedingt vergrößernden Riss oder Spalt wird dann ein Isolierstoff zum Erhalt einer dauerhaften elektrischen Isolation eingebracht.