SYSTEMS AND METHODS FOR EFFICIENT TRANSFER OF SEMICONDUCTOR ELEMENTS
    5.
    发明申请
    SYSTEMS AND METHODS FOR EFFICIENT TRANSFER OF SEMICONDUCTOR ELEMENTS 审中-公开
    用于半导体元件有效转移的系统和方法

    公开(公告)号:WO2017123407A1

    公开(公告)日:2017-07-20

    申请号:PCT/US2016/068577

    申请日:2016-12-23

    Abstract: Systems and methods for efficient transfer of elements are disclosed. A film which supports a plurality of diced integrated device dies can be provided. The plurality of diced integrated device dies can be disposed adjacent one another along a surface of the film. The film can be positioned adjacent the support structure such that the surface of the film faces a support surface of the support structure. The film can be selectively positioned laterally relative to the support structure such that a selected first die is aligned with a first location of the support structure. A force can be applied in a direction nonparallel to the surface of the film to cause the selected first die to be directly transferred from the film to the support structure.

    Abstract translation: 公开了用于有效传递元素的系统和方法。 可以提供支撑多个切块集成装置模具的膜。 多个切割后的集成器件管芯可以沿着膜的表面彼此相邻布置。 可以将膜定位在支撑结构附近,使得膜的表面面对支撑结构的支撑表面。 该膜可以选择性地相对于支撑结构横向定位,使得选定的第一模具与支撑结构的第一位置对齐。 可以在不平行于膜表面的方向上施加力,以使所选择的第一模具直接从膜转移到支撑结构。

    炭化珪素半導体装置の製造方法、半導体基体の製造方法、炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造装置
    7.
    发明申请
    炭化珪素半導体装置の製造方法、半導体基体の製造方法、炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造装置 审中-公开
    制造碳化硅半导体器件中,制造半导体衬底,碳化硅半导体器件和碳化硅半导体器件的制造装置的方法的方法

    公开(公告)号:WO2017098659A1

    公开(公告)日:2017-06-15

    申请号:PCT/JP2015/084828

    申请日:2015-12-11

    Abstract: 炭化珪素半導体装置(100)の製造方法は、炭化珪素ウエハ(10)の表面側に表面電極(30)を形成する工程と、炭化珪素ウエハ(10)を裏面側から薄くして、炭化珪素ウエハ(10)を薄板化する工程と、薄板化された炭化珪素ウエハ(10)の裏面に金属層(21)を設ける工程と、炭化珪素ウエハ(10)及び金属層(21)が平坦化するように外力を加えた状態で、金属層(21)にレーザ光を照射して炭化珪素ウエハ(10)中の炭素と反応したカーバイド層(20)を金属層(21)の裏面側に形成する工程と、カーバイド層(20)の裏面側に裏面電極(40)を形成する工程と、を備える。

    Abstract translation: 用于制造

    碳化硅半导体器件(100)的方法包括形成在碳化硅晶片(10),碳化硅晶片(10)的表面侧上的表面电极(30)的背面侧的步骤 后薄,减薄碳化硅晶片(10),减薄的碳化硅晶片(10),碳化硅晶片(10)的背表面上提供金属层(21)的步骤的步骤和在金属层 在其中(21)具有一个外部力被施加,以平坦化金属层已经用碳碳化硅晶片(10)照射激光束(20)的金属层进行反应(21)碳化物层的状态下(21 以及形成在背面侧)上形成碳化物层(20的背面侧的背面电极(40))的步骤,所述。

    SOLAR ARRAY SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING
    9.
    发明申请
    SOLAR ARRAY SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING 审中-公开
    太阳能阵列系统及其制造方法

    公开(公告)号:WO2017019308A1

    公开(公告)日:2017-02-02

    申请号:PCT/US2016/042223

    申请日:2016-07-14

    Abstract: A space-grade solar array includes relatively small cells with integrated wiring embedded into or incorporated directly onto a printed circuit board. The integrated wiring provides an interface for solar cells having back side electrical contacts. The single side contacts enable the use of pick and place (PnP) technology in manufacturing the space-grade solar array. The solar cell is easily and efficiently packaged and electrically interconnected with other solar cells on a solar panel such as by using PnP process. The back side contacts are matched from a size and positioning standpoint to corresponding contacts on the printed circuit board.

    Abstract translation: 空间级太阳能电池阵列包括具有嵌入或直接结合到印刷电路板上的集成布线的相对较小的单元。 集成布线为具有背面电触点的太阳能电池提供接口。 单面触点可以使用拾音和放置(PnP)技术制造空间级太阳能电池阵列。 太阳能电池容易且高效地封装并与太阳能电池板上的其它太阳能电池电连接,例如通过使用PnP工艺。 背面接触从尺寸和定位角度匹配到印刷电路板上的相应触点。

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