公开(公告)号：WO2007055031A1

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：PCT/JP2005/020867

申请日：2005-11-14

Applicant: 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社 ,  南都 利之 ,  原田 秀樹 ,  渡部 将弘

Inventor： 南都 利之 ,  原田 秀樹 ,  渡部 将弘

IPC: C23C16/44 ,  H01J9/02 ,  H01J11/02

CPC classification number: C23C16/042 ,  H01J9/02 ,  H01J2211/38

Abstract: 　成膜方法は、物体(111)の表面を部分的にマスキングし、表面の露出部分(S1)にＣＶＤ装置(300)によって膜を形成する成膜方法であって、マスキングのための部材として、ガス空間に向く側に部分的に表面積が他の領域よりも大きい凹凸面領域(715,716,775)が設けられたマスク(71,71b, 77)を用いる。マスク端縁での材料濃度の上昇が凹凸面領域で原料ガスが適度に消費されることによって減少し、マスク近傍での局部的な膜厚増大が軽減される。                                                                                 

Abstract translation: 一种形成膜的方法，包括使用CVD装置（300）部分地掩蔽物质（111）的表面并在表面的暴露区域（S1）处进行成膜，其中作为掩蔽的构件，使用 由具有不平坦表面区域（715,716,775）的面罩（71,71b，77）制成，部分表面积大于朝向气体空间的一侧的其他区域的部分表面积。 由于在不平坦表面区域适当地消耗原料气体，掩模边缘处的材料浓度的增加被最小化，减少了掩模附近的膜厚度的任何局部增加。

公开(公告)号：WO2005065218A3

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：PCT/US2004042704

申请日：2004-12-21

Applicant: XINTEK INC ,  UNIV DUKE ,  LIU JIE ,  DU CHUNSHENG ,  QIAN CHENG ,  GAO BO ,  QIU QI ,  ZHOU OTTO Z

Inventor： LIU JIE ,  DU CHUNSHENG ,  QIAN CHENG ,  GAO BO ,  QIU QI ,  ZHOU OTTO Z

IPC: H01J1/62 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J63/04

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/36 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: Carbon nanotube material having an outer diameter less than 10 nm and a number of walls less than ten are disclosed. Also disclosed are an electron field emission device including a substrate, an optionally layer of adhesion-promoting layer, and a layer of electron field emission material. The electron field emission material includes a carbon nanotube having a number of concentric graphene shells per tube of from two to ten, an outer diameter from 2 to 8 nm, and a nanotube length greater than 0.1 microns. One method to fabricate carbon nanotubes includes the steps of (a) producing a catalyst containing Fe and Mo supported on MgO powder, (b) using a mixture of hydrogen and carbon containing gas as precursors, and (c) heating the catalyst to a temperature above 950 °C to produce a carbon nanotube. Another method of fabricating an electron field emission cathode includes the steps of (a) synthesizing electron field emission materials containing carbon nanotubes with a number of concentric graphene shells per tube from two to ten, an outer diameter of from 2 to 8 nm, and a length greater than 0.1 microns; (b) dispersing the electron field emission material in a suitable solvent; (c) depositing the electron field emission materials onto a substrate; and (d) annealing the substrate.

Abstract translation: 公开了外径小于10nm，壁数小于10的碳纳米管材料。 还公开了一种电子场发射器件，其包括衬底，任选层的粘附促进层和电子场发射材料层。 电子场发射材料包括碳纳米管，每个管具有多至2个至10个，外径为2至8nm的多个同心石墨烯壳，纳米管长度大于0.1微米。 一种制造碳纳米管的方法包括以下步骤：（a）制备负载在MgO粉末上的含有Fe和Mo的催化剂，（b）使用氢气和含碳气体的混合物作为前体，和（c）将催化剂加热至 高于950℃以产生碳纳米管。 制造电子场发射阴极的另一种方法包括以下步骤：（a）合成含有碳纳米管的电子场发射材料，每个管具有多个同心的石墨烯，每个管数为2至10个，外径为2至8nm，以及 长度大于0.1微米; （b）将电子场发射材料分散在合适的溶剂中; （c）将电子场发射材料沉积到衬底上; 和（d）使基板退火。

公开(公告)号：WO2007040673A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：PCT/US2006/022780

申请日：2006-06-12

Applicant: VIRGIN ISLANDS MICROSYSTEMS, INC.

Inventor： GORRELL, Jonathan

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30457

Abstract: A diamond field emission tip and methods of forming such diamond field emission tips, for use with cathodes that will act as a source of and emit beams of charged particles.

Abstract translation: 金刚石场发射尖端和形成这种金刚石场发射尖端的方法，用于与作为带电粒子束的源的阴极。

公开(公告)号：WO2007037170A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：PCT/JP2006/318755

申请日：2006-09-21

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  山本 喜之 ,  辰巳 夏生 ,  西林 良樹 ,  今井 貴浩

Inventor： 山本 喜之 ,  辰巳 夏生 ,  西林 良樹 ,  今井 貴浩

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025

Abstract: An electron emission element (2) includes an electron emission unit (6) made of diamond. When an electron emission current value is equal to or above 10 µA in the electron emission element (2), a deviation of the electron emission current value for one hour is within ± 20%. Moreover, the number of generations of a stepwise noise in which the electron emission current value changes stepwise is once or below per 10 minutes.

Abstract translation: 电子发射元件（2）包括由金刚石制成的电子发射单元（6）。 当电子发射元件（2）中的电子发射电流值等于或高于10μA时，电子发射电流值一小时的偏差在±20％以内。 此外，电子发射电流值逐步变化的逐步噪声的代数是每10分钟一次或更少。

公开(公告)号：WO2007032302A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：PCT/JP2006/317965

申请日：2006-09-11

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  上谷 一夫 ,  溝上 要 ,  大江 良尚 ,  塩川 晃 ,  加道 博行

Inventor： 上谷 一夫 ,  溝上 要 ,  大江 良尚 ,  塩川 晃 ,  加道 博行

IPC: C23C14/08 ,  H01J11/02 ,  H01J9/02

CPC classification number: C23C14/081 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/228 ,  C03C2218/152 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/544 ,  C23C16/403 ,  C23C16/52 ,  C23C16/545 ,  H01J9/02 ,  H01J2211/40

Abstract: 　蒸着室（２０１）において前面ガラス基板（１１）上に酸化マグネシウムの保護膜を形成する保護膜形成装置であって、酸素を蒸着室（２０１）へ導入する酸素吐出口（２２２）と、前面ガラス基板（１１）搬送方向の下流から水蒸気を蒸着室（２０１）へ導入する水蒸気吐出口（２１０）と、蒸着室（２０１）内の水素イオン強度と酸素イオン強度とを測定する質量分析器（２２４）と、質量分析器（２２４）により測定されたイオン強度によって水蒸気の導入流量を制御するマスフローコントローラ（２１５）と酸素の導入流量を制御するマスフローコントローラ（２２１）とを備えている。

Abstract translation: 公开了一种用于在沉积室（201）中的前玻璃基板（11）上形成氧化镁保护膜的保护膜形成装置。 该保护膜形成装置包括用于将氧气引入沉积室（201）的氧气排出口（222），用于将水蒸汽从下游侧引入淀积室（201）的水蒸气排出口（210） 前置玻璃基板（11）的传送方向，用于测量沉积室（201）中的氢离子强度和氧离子强度的质量分析器（224），用于控制水的引入速率的质量流量控制器（215） 基于由质量分析器（224）测量的离子强度的蒸汽和用于根据由质量分析器（224）测量的离子强度来控制氧气引入速率的质量流量控制器（221）。

公开(公告)号：WO2007029499A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：PCT/JP2006/316486

申请日：2006-08-23

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  株式会社島津製作所 ,  杉野 隆 ,  木村 千春 ,  林 茂樹 ,  小林 巧 ,  伏見 良治

Inventor： 杉野 隆 ,  木村 千春 ,  林 茂樹 ,  小林 巧 ,  伏見 良治

IPC: H01J9/02 ,  G01N13/12 ,  G01N13/16 ,  H01J37/073

CPC classification number: H01J9/025 ,  G01Q70/16 ,  H01J37/073

Abstract: Provided is a sharpening method by which an end can be sharpened more than an end sharpened by the conventional machining and polishing. A sharpened sharp end forming member and an apparatus wherein such sharp end forming member is applied are also provided. A sharp end region (2) is formed on a conductive member (1) or a conductive film forming member, an insulating film (6) is formed to cover the surface of a sharp end of the sharp end region (2), and a counter electrode (7) is arranged to face the sharp end. An electric field of a magnitude that permits a dark current to flow without generating discharge is applied between the sharp end and the counter electrode (7) to melt the sharp end once, and a pyramid-shaped single-crystallized or recrystallized sharpest end section (8) is grown.

Abstract translation: 提供了一种锐化方法，通过该方法，端部可以比通过常规机械加工和抛光削尖的端头更锋利。 还提供了锋利的尖端形成构件和其中施加这种尖端形成构件的装置。 在导电构件（1）或导电膜形成构件上形成尖端区域（2），形成绝缘膜（6）以覆盖尖端区域（2）的尖端的表面，并且 对置电极（7）布置成面对尖端。 在尖端和对电极（7）之间施加允许暗电流流动而不产生放电的电场的电场，以使尖端熔化一次，并且将金字塔形的单结晶或再结晶的尖锐端部（ 8）生长。

公开(公告)号：WO2007023559A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：PCT/JP2005/015514

申请日：2005-08-26

Applicant: 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社 ,  渡部 将弘

Inventor： 渡部 将弘

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  H01J9/02

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  H01J9/02 ,  H01J11/12 ,  H01J11/38

Abstract: 　成膜方法は、物体(111)の表面を部分的にマスキングし、前記表面の露出部分である成膜面(S1)に化学的気相成長法によって膜を形成する方法であって、反応室(310)内での成膜に際して、内部に通気路(75)を有し且つ前記通気路(75)と外面とに通じる通気孔(76)を有したマスク(71)によって物体(111)のマスキングを行い、マスク(71)で覆われた非成膜面に供給される原料ガスをマスク(71)内の通気路(75)を用いて排気または希釈することによって、成膜面(S1)内で成膜速度が均一になるように反応室内の原料物質の濃度分布を制御する。                                                                                 

Abstract translation: 一种用于通过掩蔽衬底（111）的一部分表面并通过化学气相沉积在表面的非掩模部分（S1）上形成膜的成膜方法，其中衬底（111）的掩蔽在 通过使用在内部设置有气体通道（75）的掩模（71）在反应器（310）中形成膜，并且具有连接到通道（75）和外部的通气孔（76）和被供给到 由掩模（71）覆盖的部分通过掩模（71）内部的通道（75）排出或稀释，从而控制反应器中原料的浓度分布，从而达到成膜速度的均匀性 非掩蔽部分（S1）。

公开(公告)号：WO2006121772A2

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：PCT/US2006017208

申请日：2006-05-05

Applicant: NANO PROPRIETARY INC ,  YANIV ZVI ,  FINK RICHARD ,  YANG MOHSHI ,  MAO DONGSHENG

Inventor： YANIV ZVI ,  FINK RICHARD ,  YANG MOHSHI ,  MAO DONGSHENG

IPC: H01L21/00 ,  C01B20060101 ,  C01B31/02 ,  H01J1/00 ,  H01J1/02 ,  H01J9/02 ,  H01J9/24 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052

Abstract: Carbon nanotubes, which may or may not be mixed with particles, organic materials, non-organic materials, or solvents, are deposited on a substrate to form a cold cathode. The deposition of the carbon nanotube mixture may be performed using an ink jet printing process or a screen printing process.

Abstract translation: 可能或可能不与颗粒，有机材料，非有机材料或溶剂混合的碳纳米管沉积在基板上以形成冷阴极。 碳纳米管混合物的沉积可以使用喷墨印刷法或丝网印刷法进行。

公开(公告)号：WO2006120789A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：PCT/JP2006/303723

申请日：2006-02-28

Applicant: 公立大学法人大阪府立大学 ,  潘 路軍 ,  中山 喜萬

Inventor： 潘 路軍 ,  中山 喜萬

IPC: C01B31/02 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 　電界放出電子源ないしＦＥＤの製造に好適な電界放出用カーボンナノチューブの成長条件を正確に制御することのできるカーボンナノチューブの製造方法、電界放出電子源の製造方法、電界放出電子源及び電界放出型ディスプレイの提供を目的とする。 　本発明に係るＣｏ／Ｔｉ触媒又はＦｅ／Ａｌ触媒によるカーボンナノチューブの製造方法においては、触媒膜の膜厚を調整する条件、触媒膜自体の膜厚を調整する条件、原料ガスが触媒膜に接触する前の段階で原料ガスが予熱される有無の条件、反応室の炉壁温度条件、原料ガスの触媒接触時間や原料ガスの流量を調整する条件を、カーボンナノチューブの成長を制御する制御条件群として使用して、カーボンナノチューブをガラス軟化点以下の低温で成長させ、その成長を高精度に制御することが可能となり高性能ＦＥＤ等の生産に寄与する。

Abstract translation: 本发明提供一种制造碳纳米管的方法，其可以精确地控制用于制造电场发射电子源或FED的电场发射用碳纳米管的生长条件，制造电场发射电子源的方法 电场发射电子源和电场发射显示。 在Co / Ti催化剂或Fe / Al催化剂的存在下制造碳纳米管的方法中，调节催化剂膜厚度的条件，催化剂膜本身的厚度调节条件， 原料气体是否在原料气体与催化剂膜接触之前的阶段被预热，反应室壁温度条件和调节原料催化剂接触时间的条件 气体和原料气体的流量用作控制碳纳米管生长的条件的一组条件，以在低于玻璃软化点的低温下生长碳纳米管。 在这种情况下，可以高精度地控制生长，这有助于生产高性能FED等。

公开(公告)号：WO2006120780A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：PCT/JP2006/300981

申请日：2006-01-23

Applicant: NUエコ・エンジニアリング株式会社 ,  堀 勝 ,  平松美根男 ,  加納 浩之

Inventor： 堀 勝 ,  平松美根男 ,  加納 浩之

IPC: C01B31/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/36 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J37/32055

Abstract: [PROBLEMS] To provide a carbon nanotube of novel structure. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A buffer layer composed of TiN is formed on an Si substrate. Co nano particles having a particle size of 5 nm or less are deposited on the buffer layer by generating a pulse arc about 3-150 times by using a pulse arc plasma under a vacuum of 1×10 -5 Torr. When a carbon nanotube is grown subsequently, a pyramidal punctate aggregate of carbon nanotubes having a mean outside diameter of 4 nm and a mean inside diameter of 3 nm is formed. The aggregate exhibits high field electron emission efficiency.

Abstract translation: [问题]提供新颖结构的碳纳米管。 解决问题的手段在Si基板上形成由TiN构成的缓冲层。 通过在1×10 -5 V的真空下使用脉冲电弧等离子体产生大约3-150次的脉冲电弧，在缓冲层上沉积出粒径为5nm以下的Co纳米颗粒， 托。 当随后生长碳纳米管时，形成平均外径为4nm，平均内径为3nm的碳纳米管的棱锥状点状聚集体。 聚集体表现出高场电子发射效率。