Abstract:
Die Offenbarung betrifft eine Mikropumpe, mit einem auf einer Welle angeordneten Innenrotor und einen Außenrotor, die eine Rotoreinheit mit einer Förderkammer für Fluid ausbilden, wobei die Pumpe ein multifunktionales Lagerelement für die Welle mit verbesserter Schmierung aufweist.
Abstract:
The invention refers to an electromagnetic radiation sensor micro device for detecting electromagnetic radiation, which device comprises a substrate and a cover at least in part consisting of an electromagnetic radiation transparent material, and comprising a reflection reducing coating and providing a hermetic sealed cavity and an electromagnetic radiation detecting unit arranged within the cavity. The reflection reducing coating is arranged in form of a multi‐layer thin film stack, which comprises a first layer and a second layer arranged one upon the other. The first layer has a first refractive index and the second layer has a second refractive index different from the one of said first layer. First and second layer are of such layer thickness that for a certain wavelength there is destructive interference. The invention also refers to a wafer element as well as method for manufacturing such a device.
Abstract:
An interconnect device (12) having terminal pads (26), a positioning area (13) for arranging a semiconductor element (15) at the positioning area (13), and a plurality of conductive paths (16), wherein at least a subset thereof is prepared for electrically connecting an arranged semiconductor element (15) to at least a subset of the terminal pads (26), wherein a self-heatable one (16 H ) of the plurality of conductive paths (16) has a total resistance (R) of more than 90 Ohms. An electronic device (10) comprises said interconnect device (12) and a semiconductor element (15) arranged at the positioning area (13) and electrically connected by conductive paths (16) to at least a subset of the terminal pads (26). A self-heatable conductive path (16 H ) of the interconnect device (12) described above may be used to increase temperature (T) of a semiconductor element (15) by more than 10° K by arranging and electrically connecting the interconnect device (12) to the semiconductor element (15) and by applying voltage (U) to the self-heatable conductive path (16) arranged in the interconnect device (12).
Abstract:
Eine Leistung der Erfindung liegt darin, den verdeckten Einbau eines Lüftungsgeräts bauseits zu realisieren. Es wird dabei nicht vollständig in den fest stehenden Blendrahmen integriert, sondern ragt bereichsweise (volumenmäßig betrachtet) heraus. Trotz des Lüftungsgeräts bleibt die Glasgröße des schwenkbaren/kippbaren Flügels erhalten, der Blendrahmen wird also nicht größer (um sich nach innen auszuweiten und das Lüftungsgerät aufzunehmen), sondern der Glasanteil des Flügels bleibt gleich groß. Zusätzlich geschaffene Bauräume im Blendrahmen, die zu Lasten der Fensterglasgröße im Flügel gehen, werden vermieden. Das erfundene Fenster-Lüftungsgerät ist angepasst, ein Stück weit in das Blendrahmenprofil (8) für den Fenster- oder Türflügel einzugreifen. Es ist mit einem Gehäuse (10) versehen, dessen Wandabschnitte sowohl das Gehäuse begrenzen wie auch in einem Innenraum des Gehäuses (10) zumindest zwei Strömungswege (S1,S2) bestimmen, die sich innerhalb des Gehäuses (10) in einem Kreuzungsbereich (9) kreuzen können. Das Gehäuse (10) hat vier beabstandete und nicht überlappende Öffnungsbereiche (12 bis 15) für das Einströmen oder Ausströmen von Luft, die alle auf einer Schmalseite (10d) des Gehäuses (10) angeordnet sind.
Abstract:
In einem Transfermoldingverfahren werden zwei unterschiedlich thermisch leitfähige Materialien (1, 2) mittels reaktiver Bindemittel verbunden, wobei das erste Material (1) nicht einspritzfähig ist und vor dem Transfermolding-Prozess die nicht spritzfähige Schicht mit einem Anteil thermisch leitfähigen körnigem Material durch Siebdruck oder Einpressen in eine Form (4) eingebracht wird. Anschließend wird das Gehäuse samt elektronischer Baugruppe (6) insgesamt durch Transfermolding unter Druck gefüllt und beide Materialien (1, 2) werden gleichzeitig reaktiv ausgehärtet. Elektrisch isolierende und thermisch gut leitfähige Gehäuse für z. B. integrierte Powermodule und Leistungs-LED-Module werden so möglich.