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公开(公告)号：WO2007105594A1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：PCT/JP2007/054552
申请日：2007-03-08
Applicant: 三菱マテリアル株式会社 , 国立大学法人北見工業大学 , 喜多 晃一 , 青木 清 , 石川 和宏
CPC classification number: C01B3/503 , B01D53/228 , B01D67/0039 , B01D67/0069 , B01D67/0074 , B01D67/0083 , B01D71/022 , B01D2323/12 , B01D2325/04 , B01D2325/24 , C01B2203/041 , H01M8/0687 , Y10S55/05
Abstract: Ｎｉ－Ｔｉ－Ｎｂ合金からなる水素透過分離薄膜であって、上記Ｎｉ－Ｔｉ－Ｎｂ合金が、ロール急冷法により得られる厚さ：０．０７ｍｍ以下の鋳造箔材の調質熱処理材からなり、（ａ） Ｎｂ：１０～４７原子％、 Ｔｉ：２０～５２原子％、を含有し、残りがＮｉと不可避不純物（ただし、Ｎｉ：２０～４８原子％含有）からなる成分組成、および（ｂ）Ｎｉ－Ｔｉ金属間化合物におけるＴｉの一部をＮｂが置換する状態で固溶含有したＮｉ－Ｔｉ（Ｎｂ）金属間化合物からなる素地に、ＮｂにＮｉおよびＴｉが固溶してなるＮｂ基固溶合金の微細粒が分散分布した合金組織を有する水素透過分離薄膜；ならびにＮｂ－Ｔｉ－Ｎｉ合金からなる水素透過分離薄膜であって、上記Ｎｂ－Ｔｉ－Ｎｉ合金が、ロール急冷法により得られる厚さ：０．０７ｍｍ以下の鋳造箔材の調質熱処理材からなり、（ａ’） Ｎｉ：１０～３２原子％、 Ｔｉ：１５～３３原子％、を含有し、残りがＮｂと不可避不純物（ただし、Ｎｂ：４８～７０原子％含有）からなる成分組成、および（ｂ’）ＮｂにＮｉおよびＴｉが固溶してなるＮｂ基固溶合金からなる素地に、Ｎｉ－Ｔｉ金属間化合物におけるＴｉの一部をＮｂが置換する状態で固溶含有したＮｉ－Ｔｉ（Ｎｂ）金属間化合物の微細粒が分散分布した合金組織を有する水素透過分離薄膜。
Abstract translation: 由Ni-Ti-Nb合金制成的透氢性分离薄膜，其中Ni-Ti-Nb合金是通过冷却由冷轧铸造制成的箔并且具有0.07mm以下的厚度的热处理而获得的材料 并且具有（a）由10〜47at％的Nb，20〜52at％的Ti和余量的Ni与不可避免的杂质组成的组成（条件是Ni含量为20〜48at％）和（b）合金 在Nb中由Ni和Ti的固溶体组成的Nb基合金的细颗粒分散在由Ni-Ti金属间化合物中由Nb的固溶体构成的Ni-Ti（Nb）金属间化合物的基体中 其中Ni-Ti金属间化合物的Ti的一部分被Nb替代的化合物; 以及由Nb-Ti-Ni合金制成的透氢性分离薄膜，其中Nb-Ti-Ni合金是通过精炼热处理由冷轧铸造制成的箔并且具有0.07mm的厚度或 （a'）为10〜32at％的Ni，15〜33at％的Ti，Nb为不可避免的杂质（前提条件是Nb含量为48〜70at％）和（b '）合金结构，其中由Ni-Ti金属间化合物中的由Nb的固溶体构成的Ni-Ti（Nb）金属间化合物的细颗粒分散在其中Ni-Ti金属间化合物的一部分被Nb替代的部分分散 在由Nb中的Ni和Ti的固溶体构成的Nb基合金制成的基体中。
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公开(公告)号：WO2007066669A1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：PCT/JP2006/324286
申请日：2006-12-05
Applicant: 三菱マテリアル株式会社 , 喜多 晃一 , 加藤 公明 , 山本 玲子 , 田中 順三
CPC classification number: A61F2/28 , A61C8/0012 , A61C8/0013 , A61C2008/0046 , A61F2/30767 , A61F2/3094 , A61F2/32 , A61F2/36 , A61F2/367 , A61F2/3676 , A61F2/38 , A61F2/3804 , A61F2/3859 , A61F2/389 , A61F2/40 , A61F2/4059 , A61F2/4081 , A61F2002/30011 , A61F2002/30322 , A61F2002/30451 , A61F2002/30878 , A61F2002/30894 , A61F2002/3092 , A61F2002/30929 , A61F2002/30957 , A61F2002/30968 , A61F2002/30971 , A61F2002/30981 , A61F2002/3813 , A61F2002/3822 , A61F2002/3831 , A61F2002/4018 , A61F2002/4051 , A61F2002/4062 , A61F2002/4077 , A61F2210/0076 , A61F2220/0058 , A61F2250/0023 , A61F2250/0026 , A61F2310/00017 , A61F2310/00023 , A61F2310/00029 , A61F2310/00179 , A61F2310/00401 , A61F2310/00407 , A61F2310/00413 , A61F2310/00491 , A61F2310/00544 , A61L27/042 , A61L27/045 , A61L27/047 , A61L27/06 , A61L27/10 , A61L27/30 , A61L27/56
Abstract: 本発明は、金属製多孔体３２が医療用デバイス本体３１表面の少なくとも一部に接合された医療用デバイスであって、前記金属製多孔体３２は多層化されたものであることを特徴とする医療用デバイス並びに医療用デバイスの表面改質方法である。
Abstract translation: 一种医疗装置，其中多孔金属材料（32）焊接在医疗装置主体（31）的表面的至少一部分上，其特征在于，多孔金属材料（32）具有多层结构; 以及改变医疗装置的表面的方法。
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公开(公告)号：WO2012176843A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/JP2012/065870
申请日：2012-06-21
Applicant: 三菱マテリアルシーエムアイ株式会社 , 三菱マテリアル株式会社 , 喜多 晃一 , 梅岡 秀樹 , 村橋 紀昭 , 山梨 真嗣 , 稲葉 明彦 , 瀧澤 英男
CPC classification number: H01R43/16 , B21J15/02 , B21K1/62 , B23K11/02 , B23K20/028 , B23K2201/38 , H01H1/023 , H01H1/0237 , H01H11/042 , Y10T29/49204
Abstract: 少ない銀合金で界面の接合強度を向上させ、製造時の無駄をなくすとともに、長期に亘り安定した接点性能を発揮する耐久性に優れた複合接点を得る。 小径の基部の一端部に大径の鍔部が形成されるとともに、鍔部の上面部を構成する銀合金からなる接点部と、鍔部の下面部を構成する大径部と小径の基部とを一体に形成した銅合金からなる足部とを有する複合接点を製造する方法であって、銅合金素線１２と、銅合金素線１２よりも外径の小さい銀合金素線１３とを成形金型の孔２１内で突き合わせた状態で鍛造することにより、銅合金素線１２の拡径を孔２１の内周面により制限した状態で銀合金素線１３の外径を孔２１の内径まで拡げながら両素線を接合して銀合金部と銅合金部とからなる一次成形体を形成する一次成形工程と、一次成形体における銀合金部、銀合金部と銅合金部との接合界面及び銅合金部を含む一端部を鍛造して鍔部を成形する二次成形工程とを有する。
Abstract translation: 本发明的目的是获得一种复合接触，其中通过少量的银合金改善接合界面处的接合强度，消除了在其制造时产生的废物，并且具有优异的耐久性，具有稳定的接触性能 很长一段时间。 提供一种制造复合接触件的方法，该复合接触件具有形成在小直径基部的一个端部上的大直径凸缘部分，并且包括包括银合金并构成凸缘部分的上表面部分的接触部分， 以及包括铜合金的腿部，其具有构成所述凸缘部的下表面部的大直径部和形成为一体的小直径基部。 制造复合触点的方法包括：第一模制过程，其中铜合金线（12）和银合金线（13）都被接合在一起，同时将银合金线（13）的外径加宽到内部 在限制铜合金线（12）的直径与孔（21）的内周面的膨胀的状态下的孔（21）的直径，以形成包括银合金部分和铜 通过锻造铜合金线（12）和外径小于铜合金线（12）的银合金线（13），在两个电线彼此靠近孔的状态下 21）模具; 以及第二成型工艺，其中包括银合金部分的一个端部，银合金部分和铜合金部分之间的接合界面以及初级压块的铜合金部分被锻造成模制凸缘部分。
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公开(公告)号：WO2011099426A1
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：PCT/JP2011/052317
申请日：2011-02-04
CPC classification number: C22F1/08 , B21B2003/005 , C22C9/00 , C23C14/3414 , C25D17/10
Abstract: 熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要な純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細な組織を有すると共に部分再結晶化によって双晶組織を形成させる事により、高い特殊粒界比率を付与した、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材やめっき用アノード等に適した純銅板を提供する。 純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅のインゴットを、５５０℃～８００℃に加熱して、総圧延率が８５％以上で圧延終了時温度が５００～７００℃であり、かつ、1パス当たりの圧下率が５～２４％の仕上げ圧延を1パス以上有する熱間圧延加工を施した後に、必要に応じて圧延終了時温度から２００℃以下の温度になるまで２００～１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷する。
Abstract translation: 公开了一种纯铜板的制造方法，其中不需要后热锻和热轧冷锻和冷轧，随后的热加工。 进一步公开的是具有根据所公开的制备方法获得的精细结构的纯铜板，并且由于通过部分重结晶形成双晶结构而具有高的特殊晶界比，并且特别适合 用于溅射的铜靶构件，或用于电镀的阳极等。 将纯度为99.96重量％以上的纯铜锭加热至550〜800℃。 进行热轧工序，其中总轧制率为85％以上，轧制完成时的温度为500-700℃，并且包括至少一个具有一次轧制的轧制压下率为5 -24％。 然后，根据需要，以200-1000℃/分钟的冷却速度从轧制完成温度至200℃以下的快速冷却。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2011086978A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/JP2011/050179
申请日：2011-01-07
Abstract: スライム起因のめっき不良を低減することができる電気銅メッキ用含リン銅アノード、その製造方法、これを用いた電気銅めっき方法を提供する。電気めっき用含リン銅に加工を施して加工歪みを与えた後、再結晶化熱処理を行うことにより、アノード表面の銅結晶粒の結晶粒界の全粒界長さＬを単位面積１ｍｍ ２ 当たりに換算した単位全粒界長さＬ Ｎ と、特殊粒界の全特殊粒界長さＬσを単位面積１ｍｍ ２ 当たりに換算した単位全特殊粒界長さＬσ Ｎ との特殊粒界長比率Ｌσ Ｎ ／Ｌ Ｎ が、０．４以上となる結晶粒界組織を有せしめ、電気銅めっき初期にブラックフィルムを均一に形成し、ブラックフィルムの脱落を防止することでめっき不良の低減を図る。
Abstract translation: 公开了一种用于电解铜电镀的含磷铜阳极，其制造方法和使用这一点的电解铜电镀方法，以能够减少由于粘液导致的电镀缺陷。 通过加工铜对用于电解电镀的含磷铜进行加工应变后，进行再结晶热处理。 由此，通过将特殊晶粒的总特殊晶界长度Ls转换为单位总特殊晶界长度LsN，使铜具有特殊的晶界长度比LsN / LN为0.4以上的晶界结构 通过将阳极表面中的铜晶粒的晶粒边界的总晶界长度L转换成单位面积的值，计算出的单位面积的边界长度L与单位面积的边界长度L的平均值相差1mm2 。 因此，在电解镀铜的初始阶段均匀地形成黑色膜，并且防止黑色膜脱落，从而减少镀覆缺陷。
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公开(公告)号：WO2011122493A1
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：PCT/JP2011/057450
申请日：2011-03-25
Abstract: スライム等のパーティクルの発生およびこれに起因するめっき不良を低減することができる電気めっき用高純度銅アノード、その製造方法、これを用いた電気銅めっき方法を提供する。電気めっき用高純度銅に加工を施して加工歪みを与えた後、再結晶化熱処理を行うことにより、アノード表面の銅結晶粒の結晶粒界の単位全粒界長さＬ Ｎ と、特殊粒界の単位全特殊粒界長さＬσ Ｎ との特殊粒界長比率Ｌσ Ｎ ／Ｌ Ｎ が、０．３５以上となる結晶粒界組織を有せしめ、電気銅めっき浴中のアノード側で発生するスライム等のパーティクルの発生を抑制することでめっき不良の低減を図る。
Abstract translation: 公开了一种用于电镀的高纯度铜阳极，其可以减少粘土和其它颗粒的产生以及由此引起的电镀故障，其制造方法和使用该铜阳极的铜电镀方法。 通过加工高纯度铜进行电镀处理后的应变，通过进行再结晶热处理使阳极表面的铜晶粒呈现晶界结构，使得单位总颗粒之间的特殊晶界长度比LN / LsN 晶粒边界的边界长度LN和特殊晶界的单位总特殊晶界长度LsN为0.35以上。 因此，通过抑制在镀铜浴中在阳极侧产生的粘液和其它颗粒的产生，可以减少电镀失效。
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公开(公告)号：WO2011099427A1
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：PCT/JP2011/052318
申请日：2011-02-04
CPC classification number: C22F1/08 , C22C9/00 , C23C14/3414
Abstract: 微細な結晶組織を有すると共に、適度な硬さを有し、また高い特殊粒界長さ比率を付与する純銅板の製造方法、及びその製造方法により製造されたスパッタリング用ターゲットやめっき用アノード等の純銅板を提供する。 純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅インゴットを５５０～８００℃に加熱して、圧延率が８０％以上で圧延終了温度が５００～７００℃である熱間圧延加工を施した後に、前記圧延終了温度から２００℃以下の温度になるまで２００～１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷し、その後、５～２４％の圧延率で冷間圧延して焼鈍する。
Abstract translation: 公开了一种具有精细晶体结构，合适硬度和高特殊晶界长度比的纯铜板的制造方法。 进一步公开的是根据所公开的制造方法获得的纯铜板，其用于溅射靶，或用于电镀的阳极或类似物。 将纯度为99.96重量％以上的纯铜锭加热至550〜800℃。 进行热轧工序，其中轧制率为80％以上，轧制温度为500-700℃。 接下来，以200-1000℃/分钟的冷却速度从轧制完成温度到200℃以下的快速冷却，以5〜24％的轧制速度进行冷轧，进行退火。
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公开(公告)号：WO2011078188A1
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/JP2010/073045
申请日：2010-12-21
CPC classification number: C22F1/08 , C23C14/3414
Abstract: 熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要でシンプルな純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細で均質な残留応力の少ない加工性の良好な、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材に適した純銅板を提供する。 純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅のインゴットを、５５０℃～８００℃に加熱して、総圧延率が８５％以上で圧延終了時温度が５００～７００℃である熱間圧延加工を施した後に、前記圧延終了時温度から２００℃以下の温度になるまで２００～１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷する。
Abstract translation: 公开了一种用于制造纯铜板的简单方法，其不涉及在热锻或热压之后的冷锻或冷挤压，或之后的热处理; 还公开了通过所述方法获得的精细均匀的纯铜板，具有低残余应力和优异的加工性，并且特别适合作为铜溅射靶材料。 将纯度不低于99.96重量％的纯铜锭加热至550-800℃，在总压制率为85％以上，加压完成温度为500-700℃的热压后，在 冷却速度为200-1000℃/分钟，直到温度达到上述温度达到200℃以下时。
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公开(公告)号：WO2004045751A1
公开(公告)日：2004-06-03
申请号：PCT/JP2003/014829
申请日：2003-11-20
Applicant: 三菱マテリアル株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 井上 明久 , 喜多 晃一 , 原 重樹 , 伊藤 直次 , 木村 久道
IPC: B01D71/02
CPC classification number: B01D67/0072 , B01D53/228 , B01D65/003 , B01D69/10 , B01D71/022 , B01D71/024 , B01D2325/22 , C01B3/503 , C01B2203/041 , C01B2203/0475 , C22C45/04 , C22C45/10
Abstract: 本発明は、すぐれた高温非晶質安定性を有し、高温加熱操業で長寿命であり、且つ水素高純度精製装置に使用した際に小型化を可能とする水素分離透過膜を提供することを目的としている。水素分離透過膜を、Ni又はZrを44～75原子%含有し;Alを0.2～16原子%、又はVおよびNbのうちの1種または2種を0.2～12原子%含有し、又はNbを0.2～12%及びPを0.1～10%(だだし、NbとPの合量は18%以下)含有し;更に残りがZr又はNiと不可避不純物とからなる組成を有する非晶質Ni-Zr系(Zr-Ni系)合金。
Abstract translation: 包含含有44〜75原子％的Ni或Zr的非晶质Ni-Zr型（Zr-Ni型）合金的可渗透膜，含有0.2〜16原子％的Al或0.2〜12原子％的1或2个 的Nb和Nb的比例为0.2〜12％，P为0.1〜10％，Nb和P的总和为18％以下，并且含有Zr或Ni和不可避免的杂质的平衡量。 渗透膜在高温下具有优异的非晶态稳定性，在高温操作中具有长寿命，并且允许氢高纯度净化装置在其中使用时的小型化。
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