公开(公告)号：WO2007013464A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：PCT/JP2006/314687

申请日：2006-07-25

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  井ノ口 泰啓 ,  森谷 敦 ,  山本 克彦 ,  橋場 祥晶 ,  横川 貴史

Inventor： 井ノ口 泰啓 ,  森谷 敦 ,  山本 克彦 ,  橋場 祥晶 ,  横川 貴史

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636

Abstract: 　表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を処理室内に挿入し、処理室内に少なくともシラン系のガスを導入する第１ステップと、少なくともエッチングガスを導入する第２ステップとを交互に複数回繰り返して、シリコン表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、第１ステップより第２ステップが先行して、交互の繰り返し処理を開始する。

Abstract translation: 在制造半导体器件的方法中，通过多次重复第一步骤和第二步骤，在硅表面上选择性地沉积外延膜。 在第一步骤中，至少在表面的一部分上具有氮化硅膜或氧化硅膜并具有硅表面露出的硅衬底被插入到处理室中，并且至少硅烷类气体 被引入处理室。 在第二步骤中，至少引入蚀刻气体。 在第一步骤之前执行第二步骤以开始交替重复这些步骤的过程。

公开(公告)号：WO2006049225A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：PCT/JP2005/020239

申请日：2005-11-02

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  尾崎 貴志 ,  笠原 修 ,  野田 孝暁 ,  前田 喜世彦 ,  森谷 敦 ,  坂本 農

Inventor： 尾崎 貴志 ,  笠原 修 ,  野田 孝暁 ,  前田 喜世彦 ,  森谷 敦 ,  坂本 農

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4408 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109

Abstract: 　基板への熱ダメージやサーマルバジェットの増大を防止しつつ基板と薄膜との間に低酸素・炭素密度で高品質な界面を形成する。 　ウエハを反応炉内に搬入するステップと、反応炉内でウエハに対して前処理を行うステップと、反応炉内で前処理がなされたウエハに対して本処理を行うステップと、本処理後のウエハを反応炉より搬出するステップとを有し、前処理ステップ終了後、本処理開始までの間であって、少なくとも反応炉内を真空排気する際は、反応炉内に常に水素ガスを供給し続ける。

Abstract translation: 在基板和薄膜之间以低氧/碳密度形成高质量界面，同时防止对基板的热损伤并增加热量预算。 半导体器件制造方法具有将晶片搬入反应炉的步骤，对反应炉内的晶片进行预处理的步骤，对在反应炉中进行了预处理的晶片进行主要处理的步骤 以及在主处理之后从反应炉进行晶片的步骤。 在完成预处理和开始主处理之间的期间，至少在对反应炉进行抽真空时，将氢气不间断地连续地供给至反应炉。

公开(公告)号：WO2005088688A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：PCT/JP2005/004298

申请日：2005-03-11

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  森谷 敦 ,  井ノ口 泰啓 ,  国井 泰夫

Inventor： 森谷 敦 ,  井ノ口 泰啓 ,  国井 泰夫

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/22 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4583 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28562 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1016

Abstract: 　ウエハ１３０を収容する処理室１０８と、処理室１０８の外部に配置され、ウエハ１３０を加熱する加熱部材１０１と、処理室１０８に連接された原料ガス供給系１１５と、排気系１１６とを有し、ウエハ１３０のＳｉ表面にＳｉを含むエピタキシャル膜を選択成長させるホットウォール式の基板処理装置を使用して、ウエハ１３０の選択成長させる面と対向して、Ｓｉ膜が露出した部材を配置して、ウエハ１３０にＳｉを含むエピタキシャル膜を選択成長させる。

Abstract translation: 公开了一种用于在晶片（130）的Si表面上选择性地生长含有Si的外延膜的热壁基板处理装置，其包括用于容纳晶片（130）的处理室（108），加热构件（101） 布置在用于加热晶片（130）的处理室（108）外部，连接到处理室（108）和排气系统（116）的原料气体供应系统（115）。 使用该热壁基板处理装置，具有暴露的Si膜的部件与要生长膜的晶片（130）的表面相对地布置，使得在晶片上选择性地生长含有Si的外延膜 （130）。

公开(公告)号：WO2004086475A1

公开(公告)日：2004-10-07

申请号：PCT/JP2004/003737

申请日：2004-03-19

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  野田 孝暁 ,  森谷 敦

Inventor： 野田 孝暁 ,  森谷 敦

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/52

Abstract: 本発明は、Ｇｅ含有ガスを供給してＥｐｉ−ＳｉＧｅ等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。　基板に成膜処理をする際に、ステップＳ１８においてＥｐｉ−ＳｉＧｅ成膜処理を行う前に、ステップＳ１３においてＳｉコーティング処理を行う。　これにより基板支持体に付着したＧｅＯ等の酸化物をコーティングで封じ込めることができ、ＧｅＯから脱離した酸素がＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜のＳｉ基板との界面に取り込まれるのを防止することができる。

Abstract translation: 一种基板处理装置，其中通过馈送含Ge气体形成诸如Epi-SiGe的膜，抑制了基板界面处氧浓度的上升，从而形成所需的膜。 在基板上形成膜时，在步骤S18的Epi-SiGe膜形成之前，在步骤S13中进行Si涂层处理。 因此，可以通过涂布来密封粘附到基板载体上的GeO等氧化物，从而可以防止在Epi-SiGe膜与Si基板的界面中从GeO脱附的氧的引入。

公开(公告)号：WO2012026241A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/JP2011/066232

申请日：2011-07-15

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  石橋 清久 ,  森谷 敦

Inventor： 石橋　清久 ,  森谷　敦

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67781

Abstract: 　複数枚の積層された基板が収容される処理室内の収容予定領域の一端側から第１のエッチングガス、及び第１のエッチングガスよりも分解速度が遅い第２のエッチングガスを供給しつつ、収容予定領域の他端側から処理室内を排気するとともに、第１のエッチングガス及び第２のエッチングガスから発生したラジカルのうちの一部のラジカルにより収容予定領域の一端側の基板をエッチングし、残りのラジカルのうちの少なくとも一部のラジカルにより収容予定領域の他端側に向けて配置される残りの基板をエッチングする。

Abstract translation: 虽然在其中容纳有多个堆叠的基板的处理室中从预定的壳体区域的一个端侧供给具有比第一蚀刻气体慢的分解速率的第一蚀刻气体和第二蚀刻气体， 处理室从规划的壳体区域的另一端排出，并且在第一蚀刻气体和第二蚀刻气体产生的自由基中，通过一些自由基蚀刻在规划的壳体区域的一端侧的基板，剩余的 设置在规划的壳体区域的另一端侧的衬底被剩余自由基中的至少一些自由基蚀刻。

公开(公告)号：WO2010070981A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：PCT/JP2009/068489

申请日：2009-10-28

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  井ノ口 泰啓 ,  森谷 敦

Inventor： 井ノ口　泰啓

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/67109 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285

Abstract: 部分的に絶縁膜が形成されているシリコン基板上を単結晶で覆うことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 部分的に絶縁膜が形成されたＳｉ基板１０上に、ａ－Ｓｉ膜１４を成膜する（図１（ｂ））。このＳｉ基板１０を熱処理すると、基板のＳｉ結晶を種としてａ－Ｓｉが固相Ｅｐｉ化される（図１（ｃ））。基板の厚さ方向に対して充分にＥｐｉ結晶化された範囲を保護するようにレジスト膜１８を形成し（図１（ｄ））、エッチング処理を行い（図１（ｅ））、その後、アッシング処理によってレジスト膜１８を剥離し、このＳｉ基板１０上に再度ａ－Ｓｉ膜を成膜する（図１（ｆ））。再度、上記熱処理を行うことで、ａ－Ｓｉが固相Ｅｐｉ化される（図１（ｇ））。

Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法，其中部分设置有绝缘膜的硅衬底可以被单晶覆盖。 还公开了一种基板处理装置。 在部分设置有绝缘膜的Si衬底（10）上形成非晶硅（a-Si）膜（图1（b））。 Si衬底（10）被热处理，使得a-Si是使用衬底的Si晶体作为晶种外延结晶的固相（图1（c））。 形成抗蚀剂膜（18），使得足够的外延结晶区域在基板的厚度方向上被保护（图1（d））。 然后，进行蚀刻（图1（e）），之后，通过灰化除去抗蚀剂膜（18），并在Si衬底（10）上再次形成a-Si膜（图1（f ））。 通过再次进行上述热处理，a-Si是外相结晶的固相（图1（g））。