公开(公告)号：WO2011111473A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：PCT/JP2011/052999

申请日：2011-02-14

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学 ,  大野 英男 ,  池田 正二 ,  松倉 文▲礼▼ ,  遠藤 将起 ,  金井 駿 ,  三浦 勝哉 ,  山本 浩之

Inventor： 大野　英男 ,  池田　正二 ,  松倉　文▲礼▼ ,  遠藤　将起 ,  金井　駿 ,  三浦　勝哉 ,  山本　浩之

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 　磁化方向が膜面垂直方向に安定であり、磁気抵抗変化率が制御された磁気抵抗効果素子及び、その磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供する。　磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料若しくはホイスラー合金で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。

Abstract translation: 公开了一种磁阻元件，其中磁化方向在垂直于膜表面的方向上是稳定的，并且控制磁阻变化率; 以及使用磁阻元件的磁存储器。 具体地说，用于磁阻元件的铁磁层的材料由含有至少一个3d过渡金属的Heusler合金或铁磁材料构成，从而控制磁阻变化率。 通过控制铁磁性层的原子层级的膜厚度，使磁化方向从膜面内方向向垂直于膜表面的方向变化。

公开(公告)号：WO2011071028A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：PCT/JP2010/071861

申请日：2010-12-07

Applicant: 株式会社 アルバック ,  国立大学法人 東北大学 ,  東條 一誠 ,  山本 直志 ,  大野 英男 ,  池田 正二

Inventor： 東條　一誠 ,  山本　直志 ,  大野　英男 ,  池田　正二

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C23F1/12 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12

Abstract: 下部電極（Ｅ）の上層電極膜（Ｅｕ）をエッチングする工程と下層電極膜（Ｅｂ）をエッチングする工程では、ＣＦ ４ 、Ｃ ２ Ｆ ６ 、Ｃ ３ Ｆ ６ 、Ｃ ３ Ｆ ８ 、Ｃ ４ Ｆ ６ 、Ｃ ４ Ｆ ８ 、Ｃ ５ Ｆ ８ 、Ｃｌ ２ 、ＢＣｌ ３ 、ＳｉＣｌ ４ 、ＨＢｒ、ＨＩからなる群から選択される少なくとも１つのハロゲン系ガス、及びＮ ２ 、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅからなる群から選択される少なくとも１つの不活性ガスとハロゲン系ガスとの混合ガスのいずれか１つをエッチングガスとして用い、中間層電極膜（Ｅｍ）をエッチングする工程では、少なくとも酸素ガスを含むガスをエッチングガスとして用いる。

Abstract translation: 选自CF4，C2F6，C3F6，C3F8，C4F6，C4F8，C5F8，Cl2，BCl3，SiCl4，HBr和HI中的至少一种卤素气体，或卤素气体与至少一种惰性气体的混合气体 在用于蚀刻底部电极（E）的上部电极膜层（Eu）的工艺中，使用从包括N 2，Ne，Ar和Xe的组中选择的蚀刻气体和用于蚀刻底部电极膜层 Eb）一样。 在蚀刻其中间电极膜层（Em）的工序中，使用至少含有氧气的气体作为蚀刻气体。

公开(公告)号：WO2006040980A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：PCT/JP2005/018454

申请日：2005-10-05

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  野本 英男 ,  中山 利明 ,  村橋 麻紀 ,  森澤 義富

Inventor： 野本 英男 ,  中山 利明 ,  村橋 麻紀 ,  森澤 義富

IPC: C12N9/02 ,  A61K38/44 ,  A61K47/24 ,  A61P7/02 ,  A61P9/10 ,  A61P29/00 ,  A61P37/06

CPC classification number: A61K38/446 ,  C12N9/0089 ,  C12Y115/01001

Abstract: A lecithinized superoxide dismutase (PC-SOD) composition useful as a base for medicines. The composition comprises PC-SOD's which are obtained by replacing one or more of the amino groups of a specific SOD with a lecithin residue represented by the following general formula (I) and which comprise, as main components, PC-SOD's(A) in which m amino groups [m is an integer of 1-4 and the average of m is 1.5-2.4] have been replaced with the lecithin residue, the PC-SOD's(A) comprising PC-SOD(a1) in which m=1, PC-SOD(a2) in which m=2, PC-SOD(a3) in which m=3, and PC-SOD(a4) in which m=4.

Abstract translation: 一种可用作药物基础的卵磷脂超氧化物歧化酶（PC-SOD）组合物。 该组合物包含通过用下列通式（I）表示的卵磷脂残基代替特定SOD的一个或多个氨基而获得的PC-SOD，其以PC-SOD（A）为主要成分 其中m个氨基[m为1-4的整数，m的平均值为1.5-2.4]已被卵磷脂残基取代，PC-SOD（A）包含PC-SOD（a1），其中m = 1 ，其中m = 2的PC-SOD（a2），m = 3的PC-SOD（a3）和m = 4的PC-SOD（a4）。

公开(公告)号：WO2012160937A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：PCT/JP2012/061165

申请日：2012-04-19

Applicant: 日本電気株式会社 ,  国立大学法人東北大学 ,  深見 俊輔 ,  石綿 延行 ,  杉林 直彦 ,  大野 英男 ,  池田 正二 ,  山ノ内 路彦

Inventor： 深見　俊輔 ,  石綿　延行 ,  杉林　直彦 ,  大野　英男 ,  池田　正二 ,  山ノ内　路彦

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 　本発明の課題は、書き込み特性と読み出し特性の独立した設計が可能で、かつプロセス数の増大、プロセスマージンの低下、セル面積の増大が生じない磁気メモリ素子を提供することにある。本発明の磁気メモリ素子は、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成される磁化自由層１０と、磁化自由層１０と対向して設けられ、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成される応答層２０と、磁化自由層１０に対向して応答層２０とは反対側に設けられ、非磁性体から構成される非磁性層３０と、非磁性層３０に対向して応答層２０とは反対側に設けられ、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成されるリファレンス層４０とを具備し、磁化自由層１０は、磁化が互いに反平行に固定された第１磁化固定領域１１ａおよび第２磁化固定領域１１ｂと、磁化方向が可変な磁化自由領域１２を具備する。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种磁存储元件，其可以独立设计写入特性和读取特性，并且不会导致处理次数的增加，处理余量的减少 ，或细胞表面积的增加。 该磁存储元件具有：由具有垂直磁各向异性的铁磁体构成的自由磁化层（10） 响应层（20），其与自由磁化层（10）相对设置，并且由具有垂直磁各向异性的铁磁体构成; 与所述自由磁化层（10）相对设置成与所述响应层（20）相对的非磁性层（30），并且由非磁性体构成; 以及与非磁性层（30）相对设置到与响应层（20）相反的一侧的参考层（40），并且由具有垂直磁各向异性的铁磁体构成。 自由磁化层（10）设置有相互反平行的固定磁化的第一固定磁化区域（11a）和第二固定磁化区域（11b）和磁化方向可变的自由磁化区域（12）。

公开(公告)号：WO2011093252A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/JP2011/051264

申请日：2011-01-25

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学 ,  池田 正二 ,  大野 英男 ,  山本 浩之 ,  伊藤 顕知 ,  高橋 宏昌

Inventor： 池田　正二 ,  大野　英男 ,  山本　浩之 ,  伊藤　顕知 ,  高橋　宏昌

IPC: H01L21/8246 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08

Abstract: 垂直磁化材料を適用し、ＴＭＲ比の高い磁気抵抗効果素子を提供する。　ＣｏＦｅＢ層４１／ＭｇＯバリア層１０／ＣｏＦｅＢ層４２の外側に融点が１６００℃以上の単体金属、もしくはその金属を含んだ合金からなる中間層３１，３２を挿入する。中間層３１，３２の挿入により、アニール時におけるＣｏＦｅＢ層の結晶化をＭｇＯ（００１）結晶側から進行させ、ＣｏＦｅＢ層をｂｃｃ（００１）で結晶配向させる。

Abstract translation: 公开了使用垂直磁化材料并具有高TMR比的磁阻效应元件。 中间层（31,32）插入由CoFeB层（41），MgO阻挡层（10）和CoFeB层（42）组成的结构的外侧，所述中间层（31,32）为 由熔点不低于1600℃的元素金属或含有金属的合金构成。 通过插入中间层（31,32），在退火期间CoFeB层的结晶从MgO（001）晶体侧进行，使得CoFeB层在bcc（001）方向上具有晶体取向。

公开(公告)号：WO2009048025A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：PCT/JP2008/068044

申请日：2008-10-03

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 ,  国立大学法人東北大学 ,  大野 英男 ,  松倉 文▲礼▼ ,  千葉 大地

Inventor： 大野 英男 ,  松倉 文▲礼▼ ,  千葉 大地

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L43/10

Abstract: 　キャリア濃度の増減で磁気異方性が変化する磁性体を利用し、磁性体の磁化容易軸方向（磁化が向きやすい方向）を、キャリア濃度を増減させることで制御することにより、超低消費電力の不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリを提供する。 　磁性体からなる記録層（１１）を備える不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリであって、前記記録層（１１）のキャリア（電子・正孔) 濃度を増加または減少させる操作若しくはそれらを組み合わせた操作を行なうことによって、磁化を回転または反転させて記録動作を実行するようにした。

Abstract translation: 可以提供一种非易失性固态磁记录方法和非易失性固态磁存储器，其通过使用通过载流子浓度的增加/减少而改变的具有磁各向异性的磁体来要求超低功耗，从而 通过增加/减少载流子浓度来控制磁体的磁化强度轴方向（易磁化易导向的方向）。 非易失性固态磁存储器包括由磁体形成的记录层（11）。 通过增加或减少或执行记录层（11）的载体（电子，电子空穴）的浓度的增加和减少的组合，磁化被旋转或反转以执行记录操作。

公开(公告)号：WO2013069091A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/JP2011/075698

申请日：2011-11-08

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  株式会社日立製作所 ,  大野 英男 ,  池田 正二 ,  山本 浩之 ,  黒崎 洋輔 ,  三浦 勝哉

Inventor： 大野　英男 ,  池田　正二 ,  山本　浩之 ,  黒崎　洋輔 ,  三浦　勝哉

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 高いＴＭＲ比、低い書き込み電流を実現し、さらに素子全体の抵抗増大を抑制しつつ、記録層及び固定層の熱安定性指数（Ｅ／ｋ B Ｔ）を高めることで安定した動作が可能になるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。 ＣｏＦｅＢからなる記録層２１、固定層２２の少なくとも一方において、トンネルバリア層１０と反対側に導電性酸化物層３１，３２を配置した。

Abstract translation: 提供一种通过实现高TMR比和低写入电流并通过增加记录层和固定层的热稳定性指数（E / kBT）而稳定地操作的隧道磁阻效应元件，同时抑制元件的电阻增加 整个。 导电氧化物层（31,32）设置在由CoFeB形成的记录层（21）和/或固定层（22）的表面上，所述表面位于隧道势垒层的相反侧 （10）表面。

公开(公告)号：WO2011152281A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：PCT/JP2011/062119

申请日：2011-05-26

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学 ,  大野 英男 ,  池田 正二 ,  松倉 文▲礼▼ ,  遠藤 将起 ,  金井 駿 ,  三浦 勝哉 ,  山本 浩之

Inventor： 大野　英男 ,  池田　正二 ,  松倉　文▲礼▼ ,  遠藤　将起 ,  金井　駿 ,  三浦　勝哉 ,  山本　浩之

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/14 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 　磁化方向が膜面垂直方向に安定であり、磁気抵抗変化率が制御され、磁壁移動によって書込み可能な磁気抵抗効果素子及び、その磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供する。　磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料若しくはホイスラー合金で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。

Abstract translation: 公开了一种磁阻效应元件，其磁化方向在垂直于膜平面的方向上是稳定的，其中的磁阻变化率被控制，并且可以通过畴壁运动向其写入; 以及采用该磁阻效应元件的磁存储器。 通过配置铁磁层材料来控制磁阻变化率，该铁电层材料用包含至少一种类型的3d过渡金属的铁磁材料或heusler合金构成磁阻效应元件。 此外，通过控制铁磁层的原子层级的膜厚度，将磁性方向从膜的面内方向改变为垂直于膜平面的方向。

公开(公告)号：WO2011048746A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：PCT/JP2010/005618

申请日：2010-09-15

Applicant: 株式会社アルバック ,  国立大学法人東北大学 ,  山本 直志 ,  大野 英男 ,  池田 正二

Inventor： 山本　直志 ,  大野　英男 ,  池田　正二

IPC: G11B5/86

CPC classification number: G11B5/865

Abstract: 【課題】磁性層パターンを高精度に形成することが可能な磁気転写用原盤の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気転写用原盤の製造方法は、基板１１上に、ＦｅＣｏ合金からなる磁性層１２を磁気転写層として形成する工程と、磁性層１２の上に、マスクパターン１３Ｐを形成する工程と、上記基板を１００℃以上の温度に保持し、塩素系ガスのプラズマを形成することで、磁性層１２をマスクパターン１３Ｐを介してエッチングする工程とを含む。これにより、磁気転写層のエッチング性が高まり、磁気転写層を精度よくパターニングすることが可能となる。

Abstract translation: 提供了一种用于制造用于磁转移的母盘的方法，其能够以高精度形成磁性层图案。 具体地提供一种用于制造用于磁转移的母盘的方法，所述方法包括用于在基底（11）上形成由FeCo合金制成的磁性层（12）作为磁转移层的步骤，用于形成 在磁性层（12）上的掩模图案（13P），以及通过将基板保持在100℃以上的温度，通过掩模图案（13P）蚀刻磁性层（12）的步骤，形成基于氯的 气体等离子体 因此，改善了磁转移层的蚀刻特性，并且可以精确地图案化磁转印层。

公开(公告)号：WO2012086183A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/JP2011/007105

申请日：2011-12-20

Applicant: 株式会社アルバック ,  国立大学法人東北大学 ,  山本 弘輝 ,  森田 正 ,  大野 英男 ,  池田 正二

Inventor： 山本　弘輝 ,  森田　正 ,  大野　英男 ,  池田　正二

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 【課題】ＭｇＯの成膜工程を要しない、垂直磁化型磁性素子の製造方法を提供すること 【解決手段】本発明の磁気抵抗素子１の製造方法は、基体１０上にＣｏ、Ｎｉ及びＦｅの少なくとも一つを含む材料からなる第１の層３０を積層する。次に、第１の層３０上にＭｇからなる第２の層４０を積層する。次に、第１の層３０と第２の層４０とを含む積層体に酸化処理を施して、第２の層４０のＭｇを酸化してＭｇＯとする。次に、積層体に加熱処理を施して、第２の層４０を結晶化すると共に第１の層３０を垂直磁化させる。　この製造方法によれば、ＭｇＯの成膜に起因する問題を生じさせることなく、ＣｏＦｅＢ－ＭｇＯ系の垂直磁化型磁性素子を製造することが可能である。

Abstract translation: [问题]提供一种垂直磁化磁性元件的制造方法，该方法不涉及MgO膜形成工序。 [解决方案]本发明的磁阻元件（1）的制造方法包括在基体（10）上层叠由含有Co，Ni和/或Fe的材料形成的第一层（30）。 随后，在第一层（30）上层叠由Mg形成的第二层（40）。 然后，将包含第一层（30）和第二层（40）的层压体进行氧化处理，从而氧化第二层（40）中的Mg以形成MgO。 最后，加热层压体，从而使第二层（40）结晶并使第一层（30）垂直磁化。 作为上述制造方法的结果，可以生成CoFeB-MgO系的垂直磁化磁性元件，而不会引起在形成MgO膜时产生的问题。