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    磁気記録媒体
    1.
    发明申请
    磁気記録媒体 审中-公开
    磁记录介质

    公开(公告)号：WO2016136118A1

    公开(公告)日：2016-09-01

    申请号：PCT/JP2016/000009

    申请日：2016-01-04

    Applicant: 富士電機株式会社

    Inventor： 中田　仁志 ,  森谷　友博 ,  島津　武仁

    IPC: G11B5/65 ,  G11B5/66

    CPC classification number: G11B5/653 ,  C22C5/04 ,  G11B5/2455 ,  G11B5/3153 ,  G11B5/647 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325 ,  H01F10/123 ,  H01F10/138

    Abstract: 　本発明の課題は、熱アシスト磁気記録媒体の加熱記録過程におけるビット遷移幅を小さくすることによって、高い記録密度を実現できる磁気記録媒体を提供することである。本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板と磁気記録層とを含み、磁気記録層はＦｅ、ＰｔおよびＲｕを含む規則合金を含み、規則合金は、Ｆｅ、ＰｔおよびＲｕの総原子数を基準として、ｘ原子％のＦｅと、ｙ原子％のＰｔと、ｚ原子％のＲｕとを含み、前記ｘ、ｙおよびｚは、以下の式（ｉ）～（ｖ）：（ｉ）０．８５≦ｘ／ｙ≦１．３；（ｉｉ）ｘ≦５３；（ｉｉｉ）ｙ≦５１；（ｉｖ）０．６≦ｚ≦２０；および（ｖ）ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満たす。

    Abstract translation: 本发明提供一种磁记录介质，其能够通过在热辅助磁记录介质的热辅助记录过程中减小位转变宽度来实现高密度记录。 根据本发明的磁记录介质包括非磁性基板和磁记录层。 磁记录层包含含有Fe，Pt和Ru的有序合金。 有序合金包括Fe的原子百分比，基于Fe，Pt和Ru原子总数的Fe的原子百分比，Pt的原子百分比和z原子百分比的Ru。 参数x，y和z满足以下表达式（i） - （v）：0.85≤x/y≤1.3（i）x≤53（ii）y≤51（iii）0.6≤z≤20（iv）x + y + z = 100（v）

    垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直ＭＴＪ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体
    2.
    发明申请
    垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直ＭＴＪ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体 审中-公开
    全面磁化膜的完整磁性薄膜结构，全面的MTJ元件和使用相同的全息磁记录介质

    公开(公告)号：WO2015141794A1

    公开(公告)日：2015-09-24

    申请号：PCT/JP2015/058306

    申请日：2015-03-19

    Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

    Inventor： 介川　裕章 ,  温　振超 ,  三谷　誠司 ,  猪俣　浩一郎 ,  古林　孝夫 ,  ハドーン　ジェイソン　ポール ,  大久保　忠勝 ,  宝野　和博 ,  グ　ジョンウ

    IPC: G11B5/735 ,  G11B5/70 ,  G11B5/84

    CPC classification number: G11B5/653 ,  G11B5/65 ,  G11B5/656 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7315 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/851 ,  H01F10/123 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3286

    Abstract: 立方晶系または正方晶系垂直磁化膜を高品質に成長可能であって耐熱性の高い下地膜を用いた垂直磁化膜構造として、（００１）面方位の立方晶系単結晶の基板、または（００１）面方位をもって成長した立方晶系配向膜を有する基板の一方（５）と、基板５に形成されたｈｃｐ構造のＲｕ、Ｒｅ等の金属の薄膜であって、基板５の＜００１＞方位又は（００１）面方位に対して、［０００１］方位が４２°～５４°の範囲の角度をなす前記金属の薄膜からなる下地層（６）と、金属下地層６の上に位置すると共に、組成材料としてＣｏ基ホイスラー合金、ｂｃｃ構造のコバルト－鉄（ＣｏＦｅ）合金等からなる群より選ばれた（００１）面方位をもって成長した立方晶材料よりなる垂直磁化層（７）とを有する構造とする。

    Abstract translation: 公开了采用高耐热底涂膜的垂直磁化膜结构，其上立方或四方垂直磁化膜可以高品质生长，所述结构包括：具有（001）面方向的立方体单晶衬底（5）或 具有以（001）面方向生长的立方体取向膜的基板（5） 由诸如Ru或Re的金属薄膜（例如Ru或Re）制成的底涂层（6），其具有hcp结构，并形成在所述基板（5）上，其中金属薄膜的[0001]方向形成一个范围内的角度 相对于基板（5）的<001>方向或（001）面方向为42°〜54°; 和位于金属底涂层（6）上的垂直磁化层（7），并且由（001）面方向生长的立方体材料制成，立方体材料的组成材料选自Co 的Heusler合金，bcc结构的钴 - 铁（CoFe）合金等。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEMENTS, UMFASSEND EINE VIELZAHL VON NANOZYLINDERN AUF EINEM SUBSTRAT, UND DESSEN VERWENDUNG
    5.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEMENTS, UMFASSEND EINE VIELZAHL VON NANOZYLINDERN AUF EINEM SUBSTRAT, UND DESSEN VERWENDUNG 审中-公开
    方法制作元件包含纳米气缸各种在基底上，它的使用

    公开(公告)号：WO2007131617A1

    公开(公告)日：2007-11-22

    申请号：PCT/EP2007/003792

    申请日：2007-04-28

    Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM KARLSRUHE GMBH ,  ELLRICH, Jens ,  YONG, Lei ,  HAHN, Horst

    Inventor： ELLRICH, Jens ,  YONG, Lei ,  HAHN, Horst

    IPC: H01F1/00 ,  H01F41/30

    CPC classification number: H01F1/009 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F1/0081 ,  H01F10/123 ,  H01F10/14 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/30

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Elements aus einem Substrat, auf das eine Vielzahl von Nanozylindern aufgebracht ist, wobei jeder Nanozylinder mindestens vier übereinander liegende Schichten aus 1 bis 10 Atomlagen aufweist. Diese Schichten bestehen abwechselnd aus Atomen M eines magnetischen Elements und Atomen X eines nicht-magnetischen Elements, wobei vorzugsweise für M = Fe, Co oder Ni und für X = Pd, Pt, Rh oder Au gewählt werden. Die Anzahl und Dicke der Schichten beeinflussen die magnetischen Eigenschaften der Nanozylinder. Hierzu wird zunächst ein bereitgestelltes Substrat mit einer nanoporösen Membran aus Al 2 O 3 bedeckt. Anschließend wird das mit der nanoporösen Membran bedeckte Substrat abwechselnd mit Atomen M eines magnetischen Elements und Atomen X eines nicht-magnetischen Elements bedampft. Schließlich wird die Membran entfernt, so dass an Stelle der Poren der Membran Nanozylinder stehen bleiben. Ein erfindungsgemäß hergestelltes Element lässt sich als magnetisches Speichermedium, Schaltelement oder Sensor verwenden.

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于被施加多个纳米气缸，每个气缸具有气缸纳米至少1至10个原子层4重叠的层产生从衬底的一个项目。 这些层包括一个非磁性元素，其中优选地选择用于M =铁，钴或镍和X =钯，铂，铑或Au的磁性元素的原子M和X原子交替。 所述层的数量和厚度影响所述纳米圆柱体的磁特性。 为此，具有纳米多孔膜安装基片由Al 2 0 3 首先覆盖。 随后，将覆盖有纳米多孔膜基材交替蒸镀原子的磁性元素和非磁性元素的X原子的M个。 最后，将膜去除，所以仍然站在到位膜纳米圆柱体的孔中。 一个本发明制备的元件可以用作磁性存储介质，切换元件或传感器。

    多結晶構造膜およびその製造方法
    7.
    发明申请
    多結晶構造膜およびその製造方法 审中-公开
    多晶结构薄膜及其制造方法

    公开(公告)号：WO2004034385A1

    公开(公告)日：2004-04-22

    申请号：PCT/JP2002/010539

    申请日：2002-10-10

    Applicant: 富士通株式会社 ,  向井 良一

    Inventor： 向井 良一

    IPC: G11B5/66

    CPC classification number: G11B5/66 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/84 ,  H01F10/007 ,  H01F10/123 ,  H01F10/147 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/2991

    Abstract: 島状磁性結晶粒（３２）は第１分離層（３３）に覆われる。島状磁性結晶粒（３６、３８）は結晶層（３５、４１）上に形成される。結晶層（３５、４１）の働きで磁性結晶粒（３６、３８）の配向は揃えられる。結晶層（３５）および磁性結晶粒（３２）の間や結晶層（４１）および磁性結晶粒（３６）の間には非晶質層（３４、３９）が介在する。非晶質層（３４、３９）によれば、製造過程で磁性結晶粒（３２、３６）および結晶層（３５、４１）の間で界面反応は十分に抑制される。磁性結晶粒（３２、３６）の配向は確実に維持される。

    Abstract translation: 岛状磁性颗粒（32）被第一分离层（33）围绕。 在晶体层（35,41）上形成岛状磁性晶粒（36,38）。 晶体层（35,41）用于布置磁性颗粒（36,38）的取向。 晶体层（35）和磁性晶粒（32）之间或晶体层（41）和磁性晶粒（36）之间存在无定形层（34,39）。 非晶层（34,39）在生产过程中抑制磁性颗粒（32,36）和晶体层（35,41）之间的界面反应。 从而可靠地维持磁性颗粒（32,36）的取向。

    多結晶構造体およびその製造方法
    8.
    发明申请
    多結晶構造体およびその製造方法 审中-公开
    多晶结构及其生产方法

    公开(公告)号：WO2003085649A1

    公开(公告)日：2003-10-16

    申请号：PCT/JP2002/003381

    申请日：2002-04-04

    Applicant: 富士通株式会社 ,  向井 良一

    Inventor： 向井 良一

    IPC: G11B5/738

    CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/64 ,  G11B5/66 ,  H01F1/0063 ,  H01F1/009 ,  H01F10/007 ,  H01F10/123 ,  H01F41/18 ,  H01F41/301 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/2982

    Abstract: 多結晶構造体（２４）は、基板（２３）の表面に広がる下地層（３１）を備える。下地層（３１）の表面には微細な磁性結晶粒（３２）が散在する。磁性結晶粒（３２）は規則合金から構成される。磁性結晶粒（３２）同士は下地層（３１）の表面で相互に隔てられる。磁性結晶粒（３２）では十分な結晶磁気異方性エネルギが確保されることから、磁性結晶粒（３２）がさらに微細化されても磁性結晶粒（３２）内に確実に磁化は維持される。しかも、磁性結晶粒（３２）同士の間に空間的な隔たりが確保される。磁性結晶粒（３２）は個々に独立して配置される。隣接する磁性結晶粒（３２）同士の間で磁気的相互作用は確実に断ち切られる。個々の磁性結晶粒（３２）ごとに磁区は確立される。

    Abstract translation: 多晶结构（24）具有在基底（23）上方延伸的基底层（31）。 小的磁性结晶颗粒（32）散落在基层（31）上。 磁性结晶颗粒（32）由有序合金形成并在基层（31）上彼此间隔开。 由于确保了磁结晶粒子（32）的足够的晶体磁各向同性能，即使磁结晶粒子（32）被进一步雾化，磁性结晶粒子（32）的磁化强度也保持可靠， 确保结晶粒子（32）。 磁性结晶颗粒（32）彼此独立。 相邻磁性结晶颗粒（32）之间的磁相互作用被完全切割。 建立每个磁性结晶粒子（32）的磁畴。

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