光音響断層撮影装置及び光音響断層撮影方法
    1.
    发明申请
    光音響断層撮影装置及び光音響断層撮影方法 审中-公开
    3D立体成像装置和3D声学成像方法

    公开(公告)号:WO2007088709A1

    公开(公告)日:2007-08-09

    申请号:PCT/JP2007/000045

    申请日:2007-01-31

    CPC classification number: G01N21/1702 G01N29/06

    Abstract:  近赤外光パルスを発生する光源10と、該パルス光を集光して被測定体15に照射する手段、該パルス光の焦点位置を走査するレーザ走査部11、及び該パルス光の多光子吸収により被測定体15から発生する音響波を検出する音響トランスデューサ18を設け、該音響波の強度情報と発生位置情報とに基づいて被測定体15内部の物質分布を示す3次元データを取得し、任意の面における断層画像を表示部23に表示する。これにより、近赤外パルス光の非線形光学効果を利用し、被測定体15内部の焦点位置から局在的に音響波を発生させることができ、被測定体15の深部領域を高解像度で観察することが可能となる。また、励起光として近赤外領域のものを用いることにより生体内における励起光の減衰を防止し、浸透深度を高めることができる。

    Abstract translation: 3D声学成像装置包括用于产生近红外脉冲的光源(10),用于收集脉冲光并将其施加到受检者(15)的装置,用于扫描脉冲光的焦点位置的激光扫描单元(11) ,以及用于通过脉冲光的多光子吸收来检测从受检者(15)产生的声波的声换能器(18)。 根据强度信息获取显示受检者(15)中的材料分布的3D数据,并且在显示单元(23)上显示关于声波的生成位置信息和任意平面上的断层图像。 因此,通过使用近红外脉冲光的非线性光学效果,可以从受检者(15)中的焦点位置局部地产生声波,并以高的方式观察受检者(15)的深部区域 解析度。 此外,通过使用近红外区域的光作为激发光,可以防止生物体中的激发光的衰减并增加穿透深度。

    光照射による金属酸化物表面上への有機導電性重合性材料の合成
    3.
    发明申请
    光照射による金属酸化物表面上への有機導電性重合性材料の合成 审中-公开
    有机导电聚合物质通过光照射对金属氧化物表面的合成

    公开(公告)号:WO2007007735A1

    公开(公告)日:2007-01-18

    申请号:PCT/JP2006/313730

    申请日:2006-07-11

    Inventor: 橘 泰宏

    CPC classification number: C08G61/126 H01B1/127

    Abstract:  本発明は、金属酸化物微粒子を含むナノ構造体と有機導電性重合性材料を有する複合材料であって、前記金属酸化物微粒子同士が接合し、且つ該微粒子間の間隙に有機導電性重合体材料を含有し、しかも前記有機導電性重合性材料がポリチオフェン誘導体或いはチオフェンもしくはその誘導体とピロール、アニリン、フルオレン、フラン又はその誘導体から構成される共重合体である複合材料とその製造方法に関する。本発明の複合材料は、電子ペーパー等の表示素子として有用である。

    Abstract translation: 公开了具有含有金属氧化物微粒和有机导电性聚合性材料的纳米结构的复合材料。 在该复合材料中,金属氧化物微粒彼此接合,并且有机导电可聚合材料包含在细颗粒之间的空间中。 在这方面,有机导电性聚合性材料是由聚噻吩衍生物,噻吩或其衍生物和吡咯,苯胺,芴,呋喃或其衍生物构成的共聚物。 还公开了这种复合材料的制造方法。 该复合材料可用于诸如电子纸的显示元件。

    酸化チタンナノチューブ及びその製造方法
    5.
    发明申请
    酸化チタンナノチューブ及びその製造方法 审中-公开
    氧化钛纳米管及其制造方法

    公开(公告)号:WO2006087841A1

    公开(公告)日:2006-08-24

    申请号:PCT/JP2005/017013

    申请日:2005-09-15

    Abstract:  本発明は、抵抗率が低く適度な導電性を有し、かつ、耐熱性が改善された金属イオンドープ型酸化チタンナノチューブ、及びその製造方法を提供する。  イオン半径0.035~0.15nm(特に0.05~0.07nm)の金属イオンがドープされてなる酸化チタンナノチューブ、並びに、(1)酸化チタン粉末に、イオン半径が0.035~0.15nm(特に0.05~0.07nm)の金属イオンを含む金属化合物を、該酸化チタン粉末のチタニウムイオン(Ti 4+ )に対して、該金属イオンが0.01~5mol%となる範囲で混合しアルカリ処理する工程、及び(2)得られた反応物を水洗及び中和処理した後、乾燥する工程、を含む金属イオンドープ型酸化チタンナノチューブの製造方法に関する。

    Abstract translation: 金属离子掺杂的氧化钛纳米管,其电阻率低,导电性好,耐热性提高; 及其制造方法。 提供掺杂有0.035〜0.15nm(特别是0.05〜0.07nm)离子半径的金属离子的氧化钛纳米管。 此外,提供了一种制造金属离子掺杂的氧化钛纳米管的方法,其包括将氧化钛粉末与含有0.035〜0.15nm(特别是0.05〜0.07nm)的金属离子的金属化合物混合的工序(1) 离子半径的比例使得氧化钛粉末的金属离子与钛离子的比(Ti 4++)在0.01〜5摩尔%的范围内,从而进行碱处理, 将获得的反应产物依次进行水洗,中和和干燥的步骤(2)。

    窒化アルミニウム結晶の製造方法およびそれにより得られた窒化アルミニウム結晶
    6.
    发明申请
    窒化アルミニウム結晶の製造方法およびそれにより得られた窒化アルミニウム結晶 审中-公开
    生产由该方法得到的氮化铝晶体和氮化铝晶体的方法

    公开(公告)号:WO2006022302A2

    公开(公告)日:2006-03-02

    申请号:PCT/JP2005/015366

    申请日:2005-08-24

    CPC classification number: C30B29/403 C30B9/00 C30B9/10

    Abstract:  穏やかな圧力および温度条件で、窒化アルミニウム結晶が製造可能な製造方法を提供する。  窒化アルミニウム結晶の製造方法において、窒素含有ガスの存在下、下記(A)成分および下記(B)成分を含むフラックス中又は下記(B)成分を含むフラックス中において、アルミニウムと前記窒素とを反応させることにより、窒化アルミニウム結晶を生成し成長させる。 (A) アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方の元素 (B) スズ(Sn)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、ビスマス(Bi)および水銀(Hg)からなる群から選択される少なくとも一つの元素                                                                                 

    Abstract translation:

    温和的压力和温度条件下,氮化铝晶体,以提供可以制造的制造方法。 在用于制造氮化铝晶体,含氮气体存在下,在过程中含有焊剂或下述成分(B)的焊剂,该方法包括以下的成分(A)和下述成分(B)的铝氮反应 从而形成并生长氮化铝晶体。 (A)的至少一种元素(B)的碱金属和碱土金属锡(Sn),镓(Ga),铟(In),至少它选自铋(BI)和汞(Hg)的组中选择 元素&NBSP之一;                      &NBSP ;                        &NBSP ;                        &NBSP ;      

    異極像結晶体を用いたX線発生装置およびそれを用いたオゾン発生装置
    7.
    发明申请
    異極像結晶体を用いたX線発生装置およびそれを用いたオゾン発生装置 审中-公开
    使用HEMIMORPHY晶体和OZONE发电机的X射线发生器

    公开(公告)号:WO2005101923A1

    公开(公告)日:2005-10-27

    申请号:PCT/JP2004/013447

    申请日:2004-09-15

    CPC classification number: C01B13/10 H01J35/06

    Abstract:  内部に低気体圧雰囲気を維持する容器1と、容器の内部に設けられた異極像結晶体支持手段3a、3bと、容器の内部において異極像結晶体支持手段に支持され、互いに間隔をあけて対向配置された少なくとも一対の異極像結晶体5a、5bと、異極像結晶体の温度を昇降させる温度昇降手段3a、3b;6a、6b~8a、8bとを備えたことにより、異極像結晶体の温度の昇降に伴って容器からX線を放射する。

    Abstract translation: 一种X射线发生器,其特征在于,包括保持低气压气氛的容器(1),设置在容器内的半自由晶体支撑装置(3a,3b),至少一对相对配置在 一个间隔并由该容器内的半纤维晶体支撑装置支撑,以及用于升高/降低该半纤维晶体的温度的装置(3a,3b; 6a,6b-8a,8b)。 随着hemimorphy晶体的温度升高/降低,X射线从容器辐射。

    α-アミノ-ε-カプロラクタムラセマーゼを用いた、D及びL-アミノ酸アミドの混合物の製造方法、D又はL-アミノ酸の製造方法、D又はL-アミノ酸アミドの製造方法
    8.
    发明申请
    α-アミノ-ε-カプロラクタムラセマーゼを用いた、D及びL-アミノ酸アミドの混合物の製造方法、D又はL-アミノ酸の製造方法、D又はL-アミノ酸アミドの製造方法 审中-公开
    使用α-氨基-β-酰胺基甲酰胺的方法,生产D-和L-氨基酸酰胺的混合物,生产D-或L-氨基酸,以及生产D-或L-氨基酸酰胺

    公开(公告)号:WO2005080584A1

    公开(公告)日:2005-09-01

    申请号:PCT/JP2005/002933

    申请日:2005-02-23

    Inventor: 淺野 泰久

    CPC classification number: C12P13/02 C12P13/04

    Abstract: A process comprising causing alpha-amino-ϵ-caprolactam racemase to act on at least one amino acid amide selected from the group consisting of D-amino acid amides and L-amino acid amides to thereby obtain a mixture of D-amino acid amide and L-amino acid amide with lowered optical activity. There is further provided a process producing a D- or L-amino acid, comprising causing alpha-amino-ϵ-caprolactam racemase and an enzyme capable of selectively acting on D- or L-amino acid amide to thereby convert the same to a D- or L-amino acid to act on at least one amino acid amide selected from the group consisting of D-amino acid amides and L-amino acid amides. There is still further provided a process for producing a D- or L-amino acid amide, comprising causing alpha-amino-ϵ-caprolactam racemase and an enzyme capable of selectively acting on D- or L-amino acid amide to thereby convert the same to a D- or L-amino acid to act on a mixture of D-amino acid amide and L-amino acid amide to thereby form a D- or L-amino acid and amidating the formed D- or L-amino acid.

    Abstract translation: 一种方法,其包括使α-氨基-ε-己内酰胺消旋酶作用于选自D-氨基酸酰胺和L-氨基酸酰胺的至少一种氨基酰胺,从而得到D-氨基酸酰胺和 具有较低光学活性的L-氨基酸酰胺。 进一步提供产生D-或L-氨基酸的方法,其包括使α-氨基-ε-己内酰胺消旋酶和能够选择性地作用于D-或L-氨基酸酰胺的酶,从而将其转化为D - 或L-氨基酸作用于至少一种选自D-氨基酸酰胺和L-氨基酸酰胺的氨基酸酰胺。 还提供了制备D-或L-氨基酸酰胺的方法,其包括使α-氨基-ε-己内酰胺消旋酶和能够选择性地作用于D-或L-氨基酸酰胺的酶,从而将其转化为 至D-或L-氨基酸作用于D-氨基酸酰胺和L-氨基酸酰胺的混合物,从而形成D-或L-氨基酸并酰胺化形成的D-或L-氨基酸。

    中継装置、通信システム、制御回路、接続装置及びコンピュータプログラム
    9.
    发明申请
    中継装置、通信システム、制御回路、接続装置及びコンピュータプログラム 审中-公开
    重复,通信系统,控制电路,连接器和计算机程序

    公开(公告)号:WO2005076550A1

    公开(公告)日:2005-08-18

    申请号:PCT/JP2005/001831

    申请日:2005-02-08

    CPC classification number: H04L47/10 H04L47/283 H04L47/32

    Abstract:  インターネット等の通信網にて用いられるインターネットルータ装置等の中継装置において、送信元の装置から送信先の装置までの遅延時間を保証することが可能な中継装置、通信システム、制御回路、接続装置、及びコンピュータプログラムを提供する。  中継すべきパケットの転送速度の目標値に基づいて通信網上へ送出する送出時間間隔を算出し(S202)、保証すべき遅延時間に基づいて遅延時間の目標値を決定し(S205)、遅延時間目標値及び送出時間間隔に基づいて、パケットの破棄の判定の基準となる記憶量の基準値を算出する(S206)。そして算出した送出時間間隔でパケットを送出し、また記憶量基準値を超えて記憶すべき量のパケットを受信した場合に、所定の方法に基づいてパケットの破棄の要否を判定する。                                                                                 

    Abstract translation: 诸如因特网的通信网络中使用的诸如因特网路由器设备的中继器。 从发送器的设备到接收器的设备的延迟时间是有保证的。 还公开了通信系统,控制电路,连接器和通勤程序。 根据要中继的分组的传送速率的目标值计算到发送网络的发送之间的发送时间间隔(S202),基于要确保的延迟时间来确定延迟时间的目标值(S202) S205),并且根据延迟时间目标值和发送时间间隔计算用作决定丢弃分组的标准的存储容量的参考值(S206)。 以计算的发送时间间隔发送分组,并且当接收到具有高于存储容量参考值的存储容量的分组时,根据预定方法来判断分组的丢弃。

    多孔質層付きシリコン基板を製造する方法
    10.
    发明申请
    多孔質層付きシリコン基板を製造する方法 审中-公开
    生产多孔硅基板的工艺

    公开(公告)号:WO2005059985A1

    公开(公告)日:2005-06-30

    申请号:PCT/JP2004/018354

    申请日:2004-12-09

    Abstract: 【課題】有害ガスを副生することなく、多孔質層を安価に形成することのできる、量産性に富んだ太陽電池製造方法を提供する。 【解決手段】銀イオンを含有する、過酸化水素などの酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液に、多結晶シリコン基板を浸すことにより、基板の表面に多孔質シリコン層を形成することを特徴とし、場合により更にアルカリ処理をして上方の多孔質層を除去することによりテクスチャー構造を形成することを特徴とする。

    Abstract translation: [问题]提供一种生产太阳能电池的方法,其中可以以低成本形成多孔层,而不会产生作为副产物的有害气体。 解决问题的手段提供一种方法,其特征在于将多晶硅基板浸渍在由氧化剂如过氧化氢和氢氟酸的混合物组成的含银离子的水溶液中,从而形成多孔硅 或者其特征在于,基板偶尔进一步进行碱处理以去除上部多孔层,从而形成纹理结构。

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