公开(公告)号：WO2009003183A1

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：PCT/US2008/068644

申请日：2008-06-27

Applicant: CALISOLAR, INC. ,  KIRSCHT, Fritz ,  ABROSIMOVA, Vera ,  HEUER, Matthias ,  LINKE, Dieter ,  RAKOTONIANA, Jean, Patrice ,  OUNADJELA, Kamel

Inventor： KIRSCHT, Fritz ,  ABROSIMOVA, Vera ,  HEUER, Matthias ,  LINKE, Dieter ,  RAKOTONIANA, Jean, Patrice ,  OUNADJELA, Kamel

IPC: C01B33/26

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B11/006 ,  Y10T117/1024

Abstract: Techniques for controlling resistivity in the formation of a silicon ingot from compensated feedstock silicon material prepares a compensated, upgraded metallurgical silicon feedstock for being melted to form a silicon melt. The compensated, upgraded metallurgical silicon feedstock provides a predominantly p-type semiconductor for which the process assesses the concentrations of boron and phosphorus and adds a predetermined amount of aluminum or/and gallium. The process further melts the silicon feedstock together with a predetermined amount of aluminum or/and gallium to form a molten silicon solution from which to perform directional solidification and, by virtue of adding aluminum or/and gallium, maintains the homogeneity the resistivity of the silicon ingot throughout the silicon ingot. In the case of feedstock silicon leading to low resistivity in respective ingots, typically below 0.4 Ωcm, a balanced amount of phosphorus can be optionally added to aluminum or/and gallium. Adding phosphorus becomes mandatory at very low resistivity, typically close to 0.2 Ωcm and slightly below.

Abstract translation: 用于控制从补偿的原料硅材料形成硅锭中的电阻率的技术准备补偿的升级冶金硅原料以便熔化以形成硅熔体。 补偿的，升级的冶金硅原料提供主要为p型半导体，其中该方法评估硼和磷的浓度并加入预定量的铝或/和镓。 该方法进一步将硅原料与预定量的铝或/和镓一起熔化以形成熔融硅溶液，从而进行定向凝固，并且通过加入铝或/和镓，保持硅的电阻率的均匀性 锭遍及整个硅锭。 在原料硅的情况下，导致相应晶锭中的低电阻率，通常低于0.4Ocm，可以任选地将平衡量的磷加入到铝或/和镓中。 在非常低的电阻率下，添加磷是强制性的，通常接近0.2Ocm且略低于磷。

公开(公告)号：WO2011120513A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/DE2011/050009

申请日：2011-03-31

Applicant: JENOPTIK POLYMER SYSTEMS GMBH ,  KLOTH, Bernd ,  ABROSIMOVA, Vera ,  TRENKLER, Torsten

Inventor： KLOTH, Bernd ,  ABROSIMOVA, Vera ,  TRENKLER, Torsten

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0095

Abstract: Die Erfindung betrifft eine oberflächenemittierende Halbleiter-Leuchtdiode (LED), die dadurch gekennzeichnet ist, dass zwischen einem Substrat (2) und einer ersten Barriereschicht (5) eine Reflektorschicht (4) des ersten Leitfähigkeitstyps vorhanden ist, dass die erste Kontaktschicht (9) mindestens eine emittierende Oberfläche (13) aufweist, über die von einer aktiven Schicht (6) emittierte Strahlung aus der LED austritt und die emittierenden Oberflächen (13) gegeneinander durch mit elektrischen Ladungsträgern bestrahlten, oberflächenimplantierten Bereichen (11) in der ersten Kontaktschicht (9) elektrisch und optisch voneinander isoliert sind und dass die unter der emittierenden Oberfläche (13) befindlichen Bereiche der Schichten, ausgehend von der ersten Kontaktschicht (9) bis mindestens durch die aktive Schicht (6) hindurch, durch mit elektrischen Ladungsträgern bestrahlten, ersten tiefenimplantierten Bereichen (12.1) elektrisch und optisch gegen nicht unter der emittierenden Oberfläche (13) befindliche Bereiche der Schichten isoliert sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种表面发光半导体的发光二极管（LED），其特征在于，衬底（2）和第一阻挡层之间的反射层（5）（4）提供第一导电类型的，所述第一接触层（9）至少 具有发光表面（13），露出发射在由彼此通过电荷载流子的有源层（6）从LED辐射，并发射表面（13）在第一接触层照射oberflächenimplantierten区域（11）（9），其电 和彼此光学隔离和发射表面（13）的照射的层的位置的部分，从第一接触层开始（9），以至少通过有源层（6）通过与电荷载流子，所述第一tiefenimplantierten区域（12.1 ）电连接及光学针对的非发光 层的n的范围位于表面（13）是分离的。

公开(公告)号：WO2010005736A3

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：PCT/US2009047539

申请日：2009-06-16

Applicant: CALISOLAR INC ,  KIRSCHT FRITZ ,  ABROSIMOVA VERA ,  HEUER MATTHIAS ,  JOUINI ANIS ,  LINKE DIETER ,  KAES MARTIN ,  RAKOTONIAINA JEAN PATRICE ,  OUNADJELA KAMEL

Inventor： KIRSCHT FRITZ ,  ABROSIMOVA VERA ,  HEUER MATTHIAS ,  JOUINI ANIS ,  LINKE DIETER ,  KAES MARTIN ,  RAKOTONIAINA JEAN PATRICE ,  OUNADJELA KAMEL

IPC: H01L31/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B13/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/52 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1068

Abstract: Techniques for the formation of silicon ingots and crystals using silicon feedstock of various grades are described. Common feature is adding a predetermined amount of germanium to the melt and performing a crystallization to incorporate germanium into the silicon lattice of respective crystalline silicon materials. Such incorporated germanium results in improvements of respective silicon material characteristics, mainly increased material strength. This leads to positive effects at applying such materials in solar cell manufacturing and at making modules from those solar cells. A silicon material with a germanium concentration in the range (50-200) ppmw demonstrates an increased material strength, where best practical ranges depend on the material quality generated.

Abstract translation: 描述了使用各种等级的硅原料形成硅锭和晶体的技术。 共同的特征是向熔体添加预定量的锗，并执行结晶以将锗掺入相应晶体硅材料的硅晶格中。 这种掺入的锗导致各个硅材料特性的改进，主要是材料强度的增加。 这导致在太阳能电池制造中应用这些材料以及从这些太阳能电池制造模块时产生积极效果。 锗浓度在（50-200）ppmw范围内的硅材料表现出增加的材料强度，其中最佳实际范围取决于所产生的材料质量。

公开(公告)号：WO2010005736A2

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：PCT/US2009/047539

申请日：2009-06-16

Applicant: CALISOLAR, INC. ,  KIRSCHT, Fritz ,  ABROSIMOVA, Vera ,  HEUER, Matthias ,  JOUINI, Anis ,  LINKE, Dieter ,  KAES, Martin ,  RAKOTONIAINA, Jean, Patrice ,  OUNADJELA, Kamel

Inventor： KIRSCHT, Fritz ,  ABROSIMOVA, Vera ,  HEUER, Matthias ,  JOUINI, Anis ,  LINKE, Dieter ,  KAES, Martin ,  RAKOTONIAINA, Jean, Patrice ,  OUNADJELA, Kamel

IPC: H01L31/00 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B13/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/52 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1068

Abstract: Techniques for the formation of silicon ingots and crystals using silicon feedstock of various grades are described. Common feature is adding a predetermined amount of germanium to the melt and performing a crystallization to incorporate germanium into the silicon lattice of respective crystalline silicon materials. Such incorporated germanium results in improvements of respective silicon material characteristics, mainly increased material strength. This leads to positive effects at applying such materials in solar cell manufacturing and at making modules from those solar cells. A silicon material with a germanium concentration in the range (50-200) ppmw demonstrates an increased material strength, where best practical ranges depend on the material quality generated.

Abstract translation: 描述了使用各种等级的硅原料形成硅锭和晶体的技术。 共同的特征是向熔体中加入预定量的锗并进行结晶以将锗掺入到各自晶体硅材料的硅晶格中。 这种结合的锗导致各种硅材料特性的改善，主要是提高材料强度。 这导致在太阳能电池制造中应用这些材料以及从这些太阳能电池制造模块方面的积极作用。 锗浓度在（50-200）ppmw范围内的硅材料表现出增加的材料强度，其中最佳实用范围取决于所产生的材料质量。

公开(公告)号：WO2009015356A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：PCT/US2008/071234

申请日：2008-07-25

Applicant: CALISOLAR, INC. ,  KIRSCHT, Fritz ,  HEUER, Matthias ,  ABROSIMOVA, Vera ,  LINKE, Dieter ,  RAKOTONIAINA, Jean, Patrice ,  OUNADJELA, Kamel

Inventor： KIRSCHT, Fritz ,  HEUER, Matthias ,  ABROSIMOVA, Vera ,  LINKE, Dieter ,  RAKOTONIAINA, Jean, Patrice ,  OUNADJELA, Kamel

IPC: C30B9/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1024

Abstract: Techniques for the formation of a silicon ingot using a low-grade silicon feedstock include forming within a crucible device a molten silicon from a low-grade silicon feedstock and performing a directional solidification of the molten silicon to form a silicon ingot within the crucible device. The directional solidification forms a generally solidified quantity of silicon and a generally molten quantity of silicon. The method and system include removing from the crucible device at least a portion of the generally molten quantity of silicon while retaining within the crucible device the generally solidified quantity of silicon. Controlling the directional solidification of the generally solidified quantity of silicon, while removing the more contaminated molten silicon, results in a silicon ingot possessing a generally higher grade of silicon than the low-grade silicon feedstock.

Abstract translation: 使用低等级硅原料形成硅锭的技术包括在坩埚装置内形成来自低品位硅原料的熔融硅，并执行熔融硅的定向凝固，以在坩埚装置内形成硅锭。 定向凝固形成通常固化的硅和一般熔融量的硅。 该方法和系统包括从坩埚装置移除至少一部分一般熔融的硅，同时在坩埚装置内保持大致固化的硅量。 控制一般固化的硅的定向凝固，同时去除更多污染的熔融硅，导致硅锭具有比低等级的硅原料具有更高等级的硅。