公开(公告)号：WO2011128296A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：PCT/EP2011/055636

申请日：2011-04-11

Applicant: SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH ,  KERAT, Uwe ,  SCHMID, Christian ,  HAHN, Jochem

Inventor： KERAT, Uwe ,  SCHMID, Christian ,  HAHN, Jochem

IPC: B22D27/04 ,  C01B33/02 ,  C30B15/00 ,  C30B29/02

CPC classification number: C30B11/02 ,  C01B33/02 ,  C30B11/001 ,  C30B11/007 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B29/06

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines kristallinen Halbleiterwerkstoffs, bei dem Partikel aus dem Halbleiterwerkstoff und/oder einer Vorläuferverbindung des Halbleiterwerkstoffs in einen Gasstrom eingespeist werden, der eine ausreichend hohe Temperatur aufweist, um die Partikel aus dem Halbleiterwerkstoff aus dem festen in den flüssigen und/oder gasförmigen Zustand zu überführen und/oder um die Vorläuferverbindung thermisch zu zersetzen. In einem weiteren Schritt wird flüssiger Halbleiterwerkstoff aus dem Gasstrom auskondensiert und/oder abgetrennt und in einen festen Zustand überführt unter Ausbildung von mono- oder polykristallinen Kristall strukturen.

Abstract translation: 本发明公开了一种用于制造晶体半导体材料的方法，在半导体材料和/或具有足够高的温度，半导体材料的从固体到液体和/颗粒在气流中的半导体材料的前体的颗粒供给 转让或气态和/或所述前体化合物的热分解。 在进一步的步骤中，液体半导体材料从气流中冷凝和/或分离，并转移到一个固体状态与形成单晶或多晶的晶体结构的。

公开(公告)号：WO2018048844A2

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：PCT/US2017/050195

申请日：2017-09-06

Applicant: UT-BATTELLE, LLC

Inventor： BOATNER, Lynn A. ,  KOLOPUS, James A.

IPC: C09K11/77 ,  C30B11/08

CPC classification number: C09K11/7733 ,  C30B11/00 ,  C30B11/08 ,  C30B29/12 ,  C30B33/02 ,  G01T1/2023 ,  G01T3/06

Abstract: A single crystal composition includes an alkali halide crystal doped with a divalent element in the amount of 0.5 to 5 weight percent, the doped crystal having an optical transmission of at least 45% at at least one wavelength. An alkali halide doped with at least one of europium and ytterbium is particularly useful as a scintillator.

Abstract translation: 单晶组合物包括掺杂有0.5重量％至5重量％的二价元素的碱金属卤化物晶体，掺杂的晶体在至少一个波长处具有至少45％的光学透射率。 掺杂有铕和镱中的至少一种的碱金属卤化物特别适合用作闪烁体。

公开(公告)号：WO2016176418A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：PCT/US2016/029720

申请日：2016-04-28

Applicant: 1366 TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： JONCZYK, Ralf ,  WALLACE, Richard, L. ,  HARVEY, David, S.

IPC: C30B15/10 ,  C30B15/12 ,  C30B15/20 ,  C30B28/10 ,  C30B28/06 ,  C30B29/08

CPC classification number: C30B35/007 ,  C30B11/08 ,  C30B15/10 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B35/002

Abstract: A main crucible of molten semiconductor is replenished from a supply crucible maintained such that there are always two phases of solid and liquid semiconductor within the supply crucible. Heat added to melt the solid material results in the solid material changing phase to liquid, but will not result in any significant elevation in temperature of the liquid within the supply crucible. The temperature excursions are advantageously small, being less than that which would cause problems with the formed product. The solid product material acts as a sort of temperature buffer, to maintain the supply liquid temperature automatically and passively at or very near to the phase transition temperature. For silicon, excursions are kept to less than 90°C, and even as small as 50°C. The methods also are useful with germanium. Prior art silicon methods that entirely melt the semiconductor experience excursions exceeding 100°C.

Abstract translation: 熔融半导体的主坩埚从供应坩埚中补充，供应坩埚保持在供应坩埚内始终存在两相的固体和液体半导体。 加入固体材料熔化的热量导致固体物质相变为液体，但不会导致供应坩埚内的液体的温度升高。 温度偏移有利地是小的，小于会导致形成的产品的问题的偏移。 固体产品材料作为一种温度缓冲液，以自动和被动地维持供应液体温度或非常接近相变温度。 对于硅，偏移保持在小于90℃，甚至低至50℃。 这些方法也适用于锗。 完全熔化半导体的现有技术的硅方法体验超过100℃的偏移。

公开(公告)号：WO2012071531A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/US2011/062075

申请日：2011-11-23

Applicant: CALISOLAR, INC. ,  KIRSCHT, Fritz G. ,  HEUER, Matthias ,  KAES, Martin ,  OUNADJELA, Kamel

Inventor： KIRSCHT, Fritz G. ,  HEUER, Matthias ,  KAES, Martin ,  OUNADJELA, Kamel

IPC: C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B13/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52

CPC classification number: C30B13/10 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Techniques for the formation of silicon ingots and crystals using silicon feedstock of various grades are described. A common feature is adding a predetermined amount of germanium to the melt and performing a crystallization to incorporate germanium into the silicon lattice of respective crystalline silicon materials. Such incorporated germanium results in improvements of respective silicon material characteristics, including increased material strength and improved electrical properties. This leads to positive effects at applying such materials in solar cell manufacturing and at making modules from those solar cells.

Abstract translation: 描述了使用各种等级的硅原料形成硅锭和晶体的技术。 一个常见的特征是向熔体中加入预定量的锗，并进行结晶以将锗掺入各自晶体硅材料的硅晶格中。 这种并入的锗导致各种硅材料特性的改进，包括增加的材料强度和改善的电性能。 这导致在太阳能电池制造中应用这种材料以及从这些太阳能电池制造模块方面的积极作用。

公开(公告)号：WO2010005736A2

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：PCT/US2009/047539

申请日：2009-06-16

Applicant: CALISOLAR, INC. ,  KIRSCHT, Fritz ,  ABROSIMOVA, Vera ,  HEUER, Matthias ,  JOUINI, Anis ,  LINKE, Dieter ,  KAES, Martin ,  RAKOTONIAINA, Jean, Patrice ,  OUNADJELA, Kamel

Inventor： KIRSCHT, Fritz ,  ABROSIMOVA, Vera ,  HEUER, Matthias ,  JOUINI, Anis ,  LINKE, Dieter ,  KAES, Martin ,  RAKOTONIAINA, Jean, Patrice ,  OUNADJELA, Kamel

IPC: H01L31/00 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B13/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/52 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1068

Abstract: Techniques for the formation of silicon ingots and crystals using silicon feedstock of various grades are described. Common feature is adding a predetermined amount of germanium to the melt and performing a crystallization to incorporate germanium into the silicon lattice of respective crystalline silicon materials. Such incorporated germanium results in improvements of respective silicon material characteristics, mainly increased material strength. This leads to positive effects at applying such materials in solar cell manufacturing and at making modules from those solar cells. A silicon material with a germanium concentration in the range (50-200) ppmw demonstrates an increased material strength, where best practical ranges depend on the material quality generated.

Abstract translation: 描述了使用各种等级的硅原料形成硅锭和晶体的技术。 共同的特征是向熔体中加入预定量的锗并进行结晶以将锗掺入到各自晶体硅材料的硅晶格中。 这种结合的锗导致各种硅材料特性的改善，主要是提高材料强度。 这导致在太阳能电池制造中应用这些材料以及从这些太阳能电池制造模块方面的积极作用。 锗浓度在（50-200）ppmw范围内的硅材料表现出增加的材料强度，其中最佳实用范围取决于所产生的材料质量。

公开(公告)号：WO2016053864A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/US2015/052624

申请日：2015-09-28

Applicant: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

Inventor： BUZNIAK, Jan J. ,  GASDASKA, Charles J. ,  FRANK, John M. ,  MACK, Guilford L., III

IPC: C30B13/00

CPC classification number: C30B15/34 ,  C30B11/001 ,  C30B11/006 ,  C30B11/08 ,  C30B15/02 ,  C30B15/20 ,  C30B29/22

Abstract: A method can include deadsorbing an impurity from an initial material to form a deadsorbed material, melting the deadsorbed material to form a melt within the crucible, and growing a crystal from the melt. In an embodiment, growing is performed at a growth rate that is at least 1.1 times a growth rate of a different crystal formed from a melt of the initial material using a same crystal growth technique, having a same cross-sectional shape, size, and crystal orientation, and a same haze level. In another embodiment, the method can include crushing an initial material to reduce closed porosity before or during deadsorbing impurities.

Abstract translation: 一种方法可以包括从初始材料中去除杂质以形成无吸附材料，熔化被吸附材料以在坩埚内形成熔体，并从熔体中生长晶体。 在一个实施方式中，以相同的截面形状，尺寸和相同的晶体生长技术，以从初始材料的熔体形成的不同晶体的生长速率的至少1.1倍的生长速率进行生长 晶体取向，雾度相同。 在另一个实施方案中，该方法可以包括在抑制杂质之前或期间破碎初始材料以减少闭孔。

公开(公告)号：WO2010005736A3

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：PCT/US2009047539

申请日：2009-06-16

Applicant: CALISOLAR INC ,  KIRSCHT FRITZ ,  ABROSIMOVA VERA ,  HEUER MATTHIAS ,  JOUINI ANIS ,  LINKE DIETER ,  KAES MARTIN ,  RAKOTONIAINA JEAN PATRICE ,  OUNADJELA KAMEL

Inventor： KIRSCHT FRITZ ,  ABROSIMOVA VERA ,  HEUER MATTHIAS ,  JOUINI ANIS ,  LINKE DIETER ,  KAES MARTIN ,  RAKOTONIAINA JEAN PATRICE ,  OUNADJELA KAMEL

IPC: H01L31/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B13/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/52 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1068

Abstract: Techniques for the formation of silicon ingots and crystals using silicon feedstock of various grades are described. Common feature is adding a predetermined amount of germanium to the melt and performing a crystallization to incorporate germanium into the silicon lattice of respective crystalline silicon materials. Such incorporated germanium results in improvements of respective silicon material characteristics, mainly increased material strength. This leads to positive effects at applying such materials in solar cell manufacturing and at making modules from those solar cells. A silicon material with a germanium concentration in the range (50-200) ppmw demonstrates an increased material strength, where best practical ranges depend on the material quality generated.

Abstract translation: 描述了使用各种等级的硅原料形成硅锭和晶体的技术。 共同的特征是向熔体添加预定量的锗，并执行结晶以将锗掺入相应晶体硅材料的硅晶格中。 这种掺入的锗导致各个硅材料特性的改进，主要是材料强度的增加。 这导致在太阳能电池制造中应用这些材料以及从这些太阳能电池制造模块时产生积极效果。 锗浓度在（50-200）ppmw范围内的硅材料表现出增加的材料强度，其中最佳实际范围取决于所产生的材料质量。

公开(公告)号：WO2018003386A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：PCT/JP2017/020227

申请日：2017-05-31

Applicant: 株式会社クリスタルシステム

Inventor： 進藤　勇

IPC: C30B29/06 ,  C30B11/08

CPC classification number: C30B35/007 ,  C30B11/001 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/08 ,  C30B17/00 ,  C30B29/06

Abstract: [課題]結晶粒界を無くした大型の単結晶であり、さらには垂直方向，水平方向のいずれの方向に対しても組成が最適添加物濃度で均質であり負結晶や離溶ラメラの少ない高品質な単結晶を製造すること。 [解決手段]底部に種子結晶が設置される石英ルツボと、前記石英ルツボ内に粉末原料を供給する粉末原料供給手段と、前記粉末原料供給手段を介して石英ルツボ内に供給された粉末原料に赤外線を照射する赤外線照射手段と、を少なくとも備え、前記赤外線照射手段から前記石英ルツボ内に赤外線を照射することにより前記粉末原料を溶融，固化させ、前記石英ルツボ内で単結晶を製造する単結晶製造装置であって、前記単結晶製造装置は、前記粉末原料供給手段で石英ルツボ内に粉末原料を供給しながら、前記供給された粉末原料に赤外線照射手段で赤外線を照射するとともに、前記粉末原料供給手段が、溶融された粉末原料が固化した分量に応じて、前記粉末原料を前記石英ルツボ内に連続的に供給するよう構成されている。

Abstract translation: 甲

[问题]没有晶粒边界大的单晶，还用于在水平方向上负任何方向垂直均匀最佳添加剂浓度的组合物 生产具有少量晶体和裂解薄层的高质量单晶。 石英坩埚[溶液]在底部晶种放置，粉状原料供料装置供给的粉末材料放入石英坩埚，通过粉末材料供应装置供应到所述石英坩埚的原料粉末 红外照射装置，用于照射红外线，其包含至少，红外通过照射照射熔化粉末原料是指在石英坩埚的红外线，并固化，单晶在石英坩埚的单晶制造 的制造装置，在单晶制造装置，同时供给所述粉末材料成在粉末材料供应装置中的石英坩埚的红外线照射用红外线照射装置对所提供的粉末原料中，粉末材料 供应装置被配置为根据熔化的粉末原料的固化量连续地将粉末原料供应到石英坩埚中。

公开(公告)号：WO2011128292A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：PCT/EP2011/055626

申请日：2011-04-11

Applicant: SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH ,  KERAT, Uwe ,  SCHMID, Christian ,  HAHN, Jochem

Inventor： KERAT, Uwe ,  SCHMID, Christian ,  HAHN, Jochem

IPC: B22D27/04 ,  C01B33/02 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00

CPC classification number: C30B11/003 ,  B22D27/045 ,  C30B11/005 ,  C30B11/08 ,  C30B15/08 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/1092

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines monokristallinen Halbleiterwerkstoffs, bei dem ein Halbleiterwerkstoff als Ausgangsmaterial bereitgestellt wird, das Ausgangsmaterial in eine Heizzone überführt wird, in der eine Schmelze aus dem Halbleiterwerkstoff mit dem Ausgangsmaterial gespeist wird und die Schmelze aus der Heizzone abgesenkt wird und/oder die Heizzone angehoben wird, so dass sich am unteren Ende der Schmelze eine Erstarrungsfront ausbildet, entlang derer der Halbleiterwerkstoff in der gewünschten Struktur kristallisiert, wobei das Ausgangsmaterial aus dem Halbleiterwerkstoff in flüssiger Form bereitgestellt und flüssig in die Schmelze eingespeist wird. Weiterhin wird eine Anlage zur Herstellung eines monokristallinen Halbleiterwerkstoffs beschrieben, die eine Quelle für einen als Ausgangsmaterial dienenden flüssigen Halbleiterwerkstoff, Heizmittel zum Herstellen und/oder Aufrechterhalten einer Schmelze aus dem Halbleiterwerkstoff und bevorzugt auch Mittel zum kontrollierten Einspeisen des als Ausgangsmaterial dienenden flüssigen Halbleiterwerkstoffs in die Schmelze umfasst.

Abstract translation: 本发明公开了用于制造单晶半导体材料，其中半导体材料作为起始材料提供了一种方法，该起始材料被转移到其中半导体材料的熔体被供给到原料和从加热区熔体的加热区被减少和/或 加热区升高，使得熔融的下端，形成凝固前沿，结晶沿其被设置成从液体形式的半导体材料的起始材料在期望的图案中的半导体材料，和液体供给到该熔体中。 此外，用于生产单晶半导体材料的植物进行说明，其是用于作为原料液的半导体材料的源极，加热装置，用于产生和/或维持所述半导体材料的熔液和优选地还用于在所述熔化物作为原料液半导体材料的受控供给 包括。

公开(公告)号：WO2008063715A2

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：PCT/US2007073412

申请日：2007-07-12

Applicant: H C MATERIALS CORP ,  HAN PENGDI ,  TIAN JIAN

Inventor： HAN PENGDI ,  TIAN JIAN

IPC: C30B11/00 ,  C30B9/00 ,  C30B17/00 ,  C30B21/02 ,  C30B28/06

CPC classification number: C30B11/006 ,  C30B11/001 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/007 ,  C30B11/02 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B11/14 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  C30B35/00 ,  H01L41/1875 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1076 ,  Y10T117/108 ,  Y10T117/1092

Abstract: This invention includes a system and a method for growing crystals including a batch auto-feeding mechanism. The proposed system and method provide a minimization of compositional segregation effect during crystal growth by controlling growth rate involving a high-temperature flow control system operable in an open and a closed loop crystal growth process. The ability to control the growth rate without corresponding loss of volatilize-able elements enables significantly improvement in compositional homogeneity and a consequent increase in crystal yield. This growth system and method can be operated in production scale, simultaneously for a plurality of growth crucibles to further the reduction of manufacturing costs, particularly for the crystal materials of binary or ternary systems with volatile components, such as Lead (Pb) and Indium (In).

Abstract translation: 本发明包括用于生长晶体的系统和方法，包括批自动进给机构。 所提出的系统和方法通过控制在开环和闭环晶体生长过程中可操作的高温流动控制系统的生长速率来提供晶体生长过程中组分偏析效应的最小化。 控制生长速率而没有相应损失可挥发元素的能力可显着改善组成均匀性，从而提高晶体产率。 这种生长系统和方法可以以生产规模操作，同时用于多个生长坩埚，以进一步降低制造成本，特别是对于具有挥发性组分的二元或三元体系的晶体材料，例如铅（Pb）和铟（ 在）。