公开(公告)号：WO2017027451A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：PCT/US2016/045984

申请日：2016-08-08

Applicant: NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY

Inventor： NARAYAN, Jagdish

IPC: C01B31/00

CPC classification number: C30B13/10 ,  C01B21/064 ,  C01B21/0648 ,  C01B32/05 ,  C01B32/188 ,  C01B32/25 ,  C01P2002/02 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C01P2006/90 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0647 ,  C23C14/28 ,  C30B13/24 ,  C30B19/08 ,  C30B23/025 ,  C30B23/066 ,  C30B29/04 ,  C30B29/403 ,  C30B29/62 ,  C30B31/06 ,  C30B31/22 ,  G01R33/032 ,  G01R33/1284 ,  H01F1/42 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L43/10 ,  H03B15/006

Abstract: Using processes disclosed herein, materials and structures are created and used. For example, processes can include melting boron nitride or amorphous carbon into an undercooled state followed by quenching. Exemplary new materials disclosed herein can be ferromagnetic and/or harder than diamond. Materials disclosed herein may include dopants in concentrations exceeding thermodynamic solubility limits. A novel phase of solid carbon has structure different than diamond and graphite.

Abstract translation: 使用本文公开的方法，创建和使用材料和结构。 例如，方法可以包括将氮化硼或无定形碳熔化成过冷状态，然后淬火。 本文公开的示例性新材料可以是铁磁性的和/或比金刚石更硬的。 本文公开的材料可以包括浓度超过热力学溶解度极限的掺杂剂。 固体碳的新阶段具有不同于金刚石和石墨的结构。

公开(公告)号：WO2016049947A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/CN2014/088600

申请日：2014-10-15

Applicant: 天津市环欧半导体材料技术有限公司

Inventor： 沈浩平 ,  王彦君 ,  张雪囡 ,  靳立辉 ,  高树良 ,  刘嘉 ,  王遵义 ,  刘铮 ,  赵宏波 ,  刘琨 ,  郝大维 ,  吴峰 ,  楚占宾

IPC: C30B13/28 ,  C30B13/10 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B13/10 ,  C30B13/28 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种大直径区熔硅单晶的生长方法，包括装炉、抽空、充气、预热、化料、引晶、生长细颈、扩肩、保持、等径生长、收尾、降温、拆清炉。通过控制发生器输出功率及多晶料下行速度等参数的方法，克服了原有工艺及方法条件下，大直径多晶料熔化困难，容易造成堆料的问题，工艺重复性差、扩肩过程中产生位错等问题造成的成晶率低的问题，提高了大直径区熔硅单晶的成晶率和合格率，降低了人员劳动强度，可重复性可复制性好。

公开(公告)号：WO01006041A1

公开(公告)日：2001-01-25

申请号：PCT/DK2000/000402

申请日：2000-07-14

IPC: C30B13/00 ,  C30B13/10 ,  C30B15/04 ,  C30B15/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B13/10 ,  C30B15/04

Abstract: A method and apparatus for production of a doped feed rod comprising implanting a dopant (17) into or below the surface of a feed rod (1) by impacting an electrically accelerated atomic or molecular species (7) of said dopant on said feed rod; use of a doped feed rod for the production of a doped single crystal, in particular a doped silicon single crystal; methods and apparatus for production of a doped single crystal; a method of producing a doped feed rod having a non-natural abundance of dopant isotopes, and a doped single crystal obtainable therefrom.

Abstract translation: 一种用于生产掺杂进料棒的方法和装置，包括通过冲击所述进料棒上的所述掺杂剂的电加速原子或分子种类（7）将掺杂剂（17）注入进料棒（1）的表面或其下方; 使用掺杂的进料棒来生产掺杂的单晶，特别是掺杂的硅单晶; 用于生产掺杂单晶的方法和装置; 制造具有非天然丰度的掺杂剂同位素的掺杂进料棒的方法和由其获得的掺杂单晶。

公开(公告)号：WO2014093087A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/US2013/073053

申请日：2013-12-04

Applicant: HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： KRESZOWSKI, Douglas, Homer ,  LANNING, Elizabeth

IPC: C01B33/02 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  G01N21/64

CPC classification number: C30B13/10 ,  C01B33/02 ,  C30B29/06 ,  G01N21/274 ,  G01N21/278 ,  G01N21/6489 ,  G01N2201/127

Abstract: Methods of forming and analyzing doped monocrystalline silicon each comprise the steps of providing: a vessel, particulate silicon, a dopant, and a float-zone apparatus. The vessel for each method comprises silicon and defines a cavity. The methods each further comprise the steps of combining the particulate silicon and the dopant to form treated particulate silicon, and disposing the treated particulate silicon into the cavity of the vessel. The methods yet further comprise the step of float-zone processing the vessel and the treated particulate silicon into doped monocrystalline silicon with the float-zone apparatus. The analytical method further comprises the step of providing an instrument. The analytical method yet further comprises the steps of removing a piece from the doped monocrystalline silicon, and determining the concentration of the dopant in the piece with the instrument. The methods are useful for forming and analyzing monocrystalline silicon having various types and/or concentrations of dopant(s).

Abstract translation: 形成和分析掺杂的单晶硅的方法各自包括提供：容器，微粒硅，掺杂剂和浮区设备的步骤。 用于每种方法的容器包括硅并限定空腔。 所述方法还包括将颗粒状硅和掺杂剂组合以形成经处理的颗粒状硅，并将经处理的颗粒硅设置在容器的空腔中的步骤。 该方法还包括使用浮区设备将容器和经处理的颗粒硅浮选处理成掺杂的单晶硅的步骤。 分析方法还包括提供仪器的步骤。 该分析方法还包括从掺杂的单晶硅去除一块的步骤，以及用仪器确定该片中的掺杂剂的浓度。 该方法可用于形成和分析具有各种类型和/或浓度的掺杂剂的单晶硅。

公开(公告)号：WO2014019789A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：PCT/EP2013/063826

申请日：2013-07-01

Applicant: SILTRONIC AG

Inventor： RAMING, Georg ,  ALTMANNSHOFER, Ludwig ,  KRAUTBAUER, Rupert ,  STEIN, Waldemar

IPC: C30B13/10

CPC classification number: C30B13/10 ,  C30B29/06

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium, umfassend das Bereitstellen einer ersten Schmelzen-Zone; das Schmelzen von Granulat aus Silizium und das Zuführen des geschmolzenen Granulats zur ersten Schmelzen-Zone; das Kristallisieren eines ersten Kristalls an der ersten Schmelzen-Zone; das Bereitstellen einer zweiten Schmelzen-Zone; das Schmelzen von Silizium vom ersten Kristall und das Zuführen des geschmolzenen Siliziums zur zweiten Schmelzen-Zone; und das Kristallisieren eines zweiten Kristalls an der zweiten Schmelzen-Zone, wobei der zweite Kristall ein Einkristall ist.

Abstract translation: 一种用于生产硅单晶，包括：提供第一熔融区的方法; 熔融硅的颗粒和供给熔融颗粒到所述第一熔化区; 结晶在所述第一熔化区的第一晶体; 提供第二熔融区; 硅的熔化从所述第一晶体和熔融硅的第二熔化区的进料; 并结晶在第二熔化区，其特征在于，所述第二晶体是单晶的第二晶体。

公开(公告)号：WO2012071531A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/US2011/062075

申请日：2011-11-23

Applicant: CALISOLAR, INC. ,  KIRSCHT, Fritz G. ,  HEUER, Matthias ,  KAES, Martin ,  OUNADJELA, Kamel

Inventor： KIRSCHT, Fritz G. ,  HEUER, Matthias ,  KAES, Martin ,  OUNADJELA, Kamel

IPC: C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B13/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52

CPC classification number: C30B13/10 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Techniques for the formation of silicon ingots and crystals using silicon feedstock of various grades are described. A common feature is adding a predetermined amount of germanium to the melt and performing a crystallization to incorporate germanium into the silicon lattice of respective crystalline silicon materials. Such incorporated germanium results in improvements of respective silicon material characteristics, including increased material strength and improved electrical properties. This leads to positive effects at applying such materials in solar cell manufacturing and at making modules from those solar cells.

Abstract translation: 描述了使用各种等级的硅原料形成硅锭和晶体的技术。 一个常见的特征是向熔体中加入预定量的锗，并进行结晶以将锗掺入各自晶体硅材料的硅晶格中。 这种并入的锗导致各种硅材料特性的改进，包括增加的材料强度和改善的电性能。 这导致在太阳能电池制造中应用这种材料以及从这些太阳能电池制造模块方面的积极作用。

公开(公告)号：WO2010005736A2

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：PCT/US2009/047539

申请日：2009-06-16

Applicant: CALISOLAR, INC. ,  KIRSCHT, Fritz ,  ABROSIMOVA, Vera ,  HEUER, Matthias ,  JOUINI, Anis ,  LINKE, Dieter ,  KAES, Martin ,  RAKOTONIAINA, Jean, Patrice ,  OUNADJELA, Kamel

Inventor： KIRSCHT, Fritz ,  ABROSIMOVA, Vera ,  HEUER, Matthias ,  JOUINI, Anis ,  LINKE, Dieter ,  KAES, Martin ,  RAKOTONIAINA, Jean, Patrice ,  OUNADJELA, Kamel

IPC: H01L31/00 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B13/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/52 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1068

Abstract: Techniques for the formation of silicon ingots and crystals using silicon feedstock of various grades are described. Common feature is adding a predetermined amount of germanium to the melt and performing a crystallization to incorporate germanium into the silicon lattice of respective crystalline silicon materials. Such incorporated germanium results in improvements of respective silicon material characteristics, mainly increased material strength. This leads to positive effects at applying such materials in solar cell manufacturing and at making modules from those solar cells. A silicon material with a germanium concentration in the range (50-200) ppmw demonstrates an increased material strength, where best practical ranges depend on the material quality generated.

Abstract translation: 描述了使用各种等级的硅原料形成硅锭和晶体的技术。 共同的特征是向熔体中加入预定量的锗并进行结晶以将锗掺入到各自晶体硅材料的硅晶格中。 这种结合的锗导致各种硅材料特性的改善，主要是提高材料强度。 这导致在太阳能电池制造中应用这些材料以及从这些太阳能电池制造模块方面的积极作用。 锗浓度在（50-200）ppmw范围内的硅材料表现出增加的材料强度，其中最佳实用范围取决于所产生的材料质量。

公开(公告)号：WO2014127646A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/CN2013/086395

申请日：2013-11-01

Applicant: 天津市环欧半导体材料技术有限公司

Inventor： 王彦君 ,  张雪囡 ,  沈浩平 ,  乔柳 ,  刘嘉 ,  王遵义 ,  刘铮 ,  孙健

IPC: C30B13/28 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B13/32 ,  C30B13/10 ,  C30B13/26 ,  C30B13/28 ,  C30B13/30 ,  C30B15/00 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法：在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转动，所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。本发明提高了太阳能级硅单晶的径向均匀性，解决了太阳能级硅单晶的黑心问题，能够提高由该太阳能级硅单晶制得的太阳能电池片的转换效率。

公开(公告)号：WO2013025926A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/US2012/051189

申请日：2012-08-16

Applicant: RAYTHEON COMPANY ,  BYREN, Robert W.

Inventor： BYREN, Robert W.

IPC: C30B1/08 ,  C30B13/34 ,  C30B33/06

CPC classification number: C30B13/20 ,  C30B13/10 ,  C30B13/24 ,  C30B29/12 ,  C30B29/28 ,  H01S3/0617 ,  H01S3/1611 ,  H01S3/1643

Abstract: A lasing medium having a tailored dopant concentration and a method of fabrication thereof is disclosed. The lasing medium has a single crystal having a continuous body having a selected length, wherein the crystal comprises dopant distributed along the length of the body to define a dopant concentration profile. In one embodiment, the dopant concentration profile results in a uniform heating profile. A method of fabricating a laser crystal having a tailored dopant concentration profile includes arranging a plurality of polycrystalline segments (12) together to form an ingot (10), the polycrystalline segments each having dopant distributed, providing a crystal seed (14) at a first end of the ingot, and moving a heating element (20) along the ingot starting from the first end (16) to a second end (18) of the ingot, the moving heating element creating a moving molten region (22) within the ingot while passing therealong.

Abstract translation: 公开了具有定制的掺杂剂浓度的激光介质及其制造方法。 激光介质具有具有选定长度的连续体的单晶，其中所述晶体包括沿着所述主体的长度分布的掺杂剂以限定掺杂剂浓度分布。 在一个实施例中，掺杂剂浓度分布导致均匀的加热曲线。 制造具有定制的掺杂剂浓度分布的激光晶体的方法包括将多个多晶段（12）布置在一起以形成锭（10），所述多晶段各自具有掺杂剂分布，在第一处提供晶种（14） 并且沿着锭从第一端（16）开始移动加热元件（20）到锭的第二端（18），移动加热元件在锭内产生移动熔融区域（22） 同时通过。

公开(公告)号：WO2011125897A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：PCT/JP2011/058327

申请日：2011-03-31

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  渡部物産株式会社 ,  梅山 規男 ,  池田 伸一 ,  秋山 博樹 ,  渡部 恵輔 ,  渡部 譲

Inventor： 梅山　規男 ,  池田　伸一 ,  秋山　博樹 ,  渡部　恵輔 ,  渡部　譲

IPC: C30B13/00 ,  C30B13/30 ,  C30B29/20

CPC classification number: C30B13/24 ,  C30B13/10 ,  C30B29/20

Abstract: 【課題】不純物濃度の分布が急激に変化する接続部分を持つ原料棒を用いて、浮遊帯域法による金属化合物結晶の成長を行うときに、接続部分における結晶の成長を安定させること。 【解決手段】本発明の実施形態における金属化合物結晶の製造方法は、第１の金属化合物結晶の原料である棒状の第１部材における一端と、第１の金属化合物結晶と色が異なる第２の金属化合物結晶の原料である棒状の第２部材における一端とを接続し、接続された第１部材と第２部材とを焼結することによって原料棒を形成し、原料棒を用いて、第１の金属化合物結晶、第２の金属化合物結晶、および第１の金属化合物結晶と第２の金属化合物結晶との間に形成される中間領域を有する金属化合物結晶を成長させる。

Abstract translation: 当使用具有突变杂质浓度分布的连接部分的原料棒时，通过浮动区法生长金属化合物晶体时，所公开的制造方法稳定了连接部分中的晶体生长。 在所公开的金属化合物晶体制造方法的一个实施方案中，包括第一金属化合物晶体原料的第一棒状构件的一端与包括第二金属化合物晶体原料的第二杆构件的一端连接，其中第二金属 复合晶体的颜色与第一金属化合物晶体不同。 原料棒通过烧结连接的第一部件和第二部件而形成; 使用原料棒，生长具有第一金属化合物晶体，第二金属化合物晶体和形成在第一金属化合物晶体和第二金属化合物晶体之间的中间区域的金属化合物晶体。