PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE DE CARBONITRURE METALLIQUE POUR LA FABRICATION D'ELECTRODES OU DE COUCHES BARRIERES
    3.
    发明申请
    PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE DE CARBONITRURE METALLIQUE POUR LA FABRICATION D'ELECTRODES OU DE COUCHES BARRIERES 审中-公开
    用于生产栅栏电极或层的金属碳化物层的沉积方法

    公开(公告)号:WO2006070165A1

    公开(公告)日:2006-07-06

    申请号:PCT/FR2005/051134

    申请日:2005-12-22

    CPC classification number: C23C16/36 C23C16/32

    Abstract: L'invention décrit un procédé de dépôt de couches minces de nitrure de métal dont la composition en carbone et azote peut-être contrôlée en faisant varier le flux des réactifs. Le procédé consiste à faire réagir dans un réacteur de dépôt chimique en phase gazeuse (LPCVD1ALD) : - un composé organométallique liquide de formule Me (NR1R2)^=NRs)x Avec x = 1 , y = 3 ou x = 0, y = 4 ou 5 pour Me = Ta, V, Nb x = 2, y = 2 ou x = 0, y = 4 à 6 pour Me = Mo, W, Cr x = 0, y = 4 pour Me = Hf, Ti, Zr Ri, R2, R3 = groupements alkyle et/ou aryle. un gaz réducteur comme l'hydrogène et l'ammoniac - une aminé possédant au moins une liaison azote-hydrogène, afin de déposer les couches désirées sur un substrat désiré.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于去除其中碳和氮组成可通过改变试剂流控制的薄金属氮化物层的方法。 本发明的方法包括在化学气相沉积反应器(LPCVD1ALD)中反应:式Me(NR1R2)= NRs)x的液体有机金属化合物,其中x = 1,y = 3或x = 0,y = 4 或对于Me = Ta,V,Nb x = 2,y = 2或x = 0,y = 5,对于Me = Mo,W,W,Cr x = 0,y = 4,对于Me = Hf,Ti,Zr R 1,R 2,R 3 =烷基和/或芳基,还原气体如氢和氨以及具有至少一个氮 - 氢键的胺,使得所需层沉积到所需的基底上。

    METHOD OF FORMING A TANTALUM-CONTAINING LAYER ON A SUBSTRATE
    10.
    发明申请
    METHOD OF FORMING A TANTALUM-CONTAINING LAYER ON A SUBSTRATE 审中-公开
    在基材上形成含钽的层的方法

    公开(公告)号:WO2010012595A1

    公开(公告)日:2010-02-04

    申请号:PCT/EP2009/059067

    申请日:2009-07-15

    CPC classification number: C23C16/45553 C23C16/18

    Abstract: A method for forming a tantalum-containing layer on a substrate, the method comprising at least the steps of: a) providing a vapor comprising at least one precursor compound of the formula Cp(R 1 ) m Ta(NR 2 2 ) 2 (=NR 3 ) (I):Wherein: R 1 is an organic ligand, each one independently selected in the group consisting of H, linear or branched hydrocarbyl radical comprising from 1 to 6 carbon atoms; R 2 is an organic ligand, each one independently selected in the group consisting of H, linear or branched hydrocarbyl radical comprising from 1 to 6 carbon atoms; R 3 is an organic ligand selected in the group consisting of H, linear or branched hydrocarbyl radical comprising from 1 to 6 carbon atoms; b) reacting the vapor comprising the at least one compound of formula (I) with the substrate, according to an atomic layer deposition process, to form a layer of a tantalum-containing complex on at least one surface of said substrate.

    Abstract translation: 一种在基底上形成含钽层的方法,所述方法至少包括以下步骤:a)提供包含至少一种式Cp(R1)m Ta(NR2 2)2(= NR3)的前体化合物的蒸气 )(I):其中R1是有机配体,每个独立地选自H,包含1至6个碳原子的直链或支链烃基; R2是有机配体,每个独立地选自H,包含1至6个碳原子的直链或支链烃基; R3是选自H,包含1至6个碳原子的直链或支链烃基的有机配体; b)根据原子层沉积方法使包含至少一种式(I)化合物的蒸气与基材反应,以在所述基材的至少一个表面上形成含钽复合物层。

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