-
公开(公告)号：WO2023276209A1
公开(公告)日：2023-01-05
申请号：PCT/JP2022/002520
申请日：2022-01-25
Applicant: 京セラ株式会社
Abstract: 本開示の限定されない一面に基づく被覆工具は、超硬合金からなる基体と、基体の表面に位置する被覆層とを有する。被覆層は、基体に接する第１層を有する。第１層は、Ｔｉ（ＣxＮ1-x）（０≦ｘ≦１）を含有する。基体は、複数のＷＣ粒子を含有する。基体の表面から５μｍまでの深さの領域を第１領域とし、基体の表面から１００μｍ以上、２００μｍ以下の深さの領域を第２領域とする。第１領域の炭素量の最大値を第１炭素量とし、第２領域の炭素量の最大値を第２炭素量とする。第１炭素量は、第２炭素量よりも多い。第１領域のＫＡＭ値の平均値は、０．４°未満である。
-
公开(公告)号：WO2022248522A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/EP2022/064142
申请日：2022-05-25
Applicant: AB SANDVIK COROMANT
Inventor： VON FIEANDT, Linus , MORJAN BRENNING, Raluca , ENGQVIST, Jan
Abstract: The present invention relates to a cutting tool comprising a substrate at least partially coated with a coating, said substrate is of cemented carbide, cermet or ceramic, said coating comprising a layer of Ti(C,N), a layer of Al2O3 and there between a bonding layer. Said Ti(C,N) layer is composed of columnar grains, wherein an average grain size D422 of the Ti(C,N) layer is 25-50 nm, and wherein the Ti(C,N) layer comprises a portion B1 that is adjacent to the bonding layer, and wherein an average grain size of the Ti(C,N) grains in portion B1 is larger than the average grain size D422 in the whole Ti(C,N) layer. In the portion B1 of Ti(C,N) layer the Ti(C,N) grains has an average grain size of 130 - 300 nm.
-
公开(公告)号：WO2022031485A1
公开(公告)日：2022-02-10
申请号：PCT/US2021/043376
申请日：2021-07-28
Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor： WANG, Huiyuan , KUSTRA, Rick , QI, Bo , MALLICK, Abhijit Basu , ALAYAVALLI, Kaushik , PINSON, Jay D.
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/505 , C23C16/32 , C23C16/342 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/401 , C23C16/50 , H01L21/02112 , H01L21/02129 , H01L21/0217 , H01L21/02205 , H01L21/02208 , H01L21/02274 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262
Abstract: Examples of the present technology include semiconductor processing methods to form boron-containing materials on substrates. Exemplary processing methods may include delivering a deposition precursor that includes a boron-containing precursor to a processing region of a semiconductor processing chamber. A plasma may be formed from the deposition precursor within the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may further include depositing a boron-containing material on a substrate disposed within the processing region of the semiconductor processing chamber, where the substrate is characterized by a temperature of less than or about 50 °C. The as-deposited boron-containing material may be characterized by a surface roughness of less than or about 2 nm, and a stress level of less-than or about -500 MPa. In some embodiments, a layer of the boron-containing material may function as a hardmask.
-
公开(公告)号：WO2021177406A1
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：PCT/JP2021/008448
申请日：2021-03-04
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
Abstract: この表面被覆切削工具は、工具基体表面に、（Ｔｉ（１－ｘ）ＺｒｘｙＨｆｘ（１－ｙ））（Ｎ（１－ｚ）Ｃｚ）（０．１０≦ｘ≦０．９０、０＜ｙ≦１．０および０．０５＜ｚ＜０．７５）を含む複合炭窒化物層を有し、ＺｒＨｆ含有割合とＣ含有割合とが周期的に変化し、ＺｒＨｆ最高含有点と隣接するＺｒＨｆ最低含有点との周期間隔およびＣ最高含有点と隣接するＣ最低含有点との周期間隔は５～１００ｎｍ、含有割合差ΔｘおよびΔｚの平均値は０．０２以上、前記ＺｒＨｆ最高含有点と最も近いＣ最高含有点との距離は、前記隣接するＺｒＨｆ成分の最高含有点と最低含有点の間隔の１／５以下、組成変動組織は面積割合で１０％以上有し、縦長結晶組織を有し、工具基体の表面の法線に対する傾斜角が０～１０度の範囲内の傾斜角区分に｛１１２｝面の法線がなす傾斜角区分の最高ピークが存在する硬質被覆層を有する。
-
公开(公告)号：WO2021157609A1
公开(公告)日：2021-08-12
申请号：PCT/JP2021/003917
申请日：2021-02-03
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
Abstract: 工具基体表面に複合炭窒化物層を有する表面被覆切削工具であって、前記層は、ＮａＣｌ型の面心立方構造を有する結晶粒の占める割合が８０面積％以上であり、その組成を、組成式：（Ｔｉ１－ｘＡｌｘ）（ＣｙＮ１－ｙ）で表した場合、ｘの平均ｘａｖｇ、ｙの平均ｙａｖｇが、それぞれ、０．６０≦ｘａｖｇ≦０．９０、０．０００≦ｙａｖｇ≦０．０５０で、ＮａＣｌ型の面心立方構造の結晶粒は、ｘが工具基体表面に垂直な方向に繰り返し増減する結晶粒を含み、その繰り返し増減の平均間隔が４０～１６０ｎｍである第１間隔の領域を有する結晶粒を１０～４０面積％含み、かつ、その繰り返し増減の平均間隔が１～７ｎｍである第２間隔の領域を有する結晶粒を６０面積％以上含む、切削工具。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2021127123A1
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：PCT/US2020/065521
申请日：2020-12-17
Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor： SHEK, Mei-Yee , CITLA, Bhargav S. , RUBNITZ, Joshua , TANNOS, Jethro , YING, Chentsau Chris , NEMANI, Srinivas D. , YIEH, Ellie Y.
IPC: C23C16/36 , C23C16/04 , C23C16/505 , C01B21/0828 , C09D1/00 , C23C16/4408 , C23C16/50
Abstract: Methods for plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of silicon carbonitride films are described. A flowable silicon carbonitride film is formed on a substrate surface by exposing the substrate surface to a precursor and a reactant, the precursor having a structure of general formula (I) or general formula (II) wherein R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, and R12 are independently selected from hydrogen (H), substituted or unsubstituted alkyl, substituted or unsubstituted alkoxy, substituted or unsubstituted vinyl, silane, substituted or unsubstituted amine, or halide; purging the processing chamber of the silicon precursor, and then exposing the substrate to an ammonia plasma.
-
公开(公告)号：WO2021060677A2
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：PCT/KR2020/008857
申请日：2020-07-07
Applicant: (주)덕산테코피아
Abstract: 본 발명은 아미노실란 화합물및 이를 포함하는 실리콘 함유 박막용 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리콘 함유 박막을 형성하기 위한 전구체로 사용될 수 있는 적합한 특성을 갖고 클로로실란류를 대체할 수 있는 아미노실란 화합물및 이를 포함하는 실리콘 함유 박막용 조성물에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：WO2020111123A1
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：PCT/JP2019/046375
申请日：2019-11-27
Applicant: 京セラ株式会社
Inventor： 伊藤 博俊
Abstract: 本開示の被覆工具は、基体と、該基体の上に位置する被覆層とを具備する。前記被覆層は、前記基体の近くに位置する、厚みが１μｍ以上の第１層と、該第１層に接するとともに、前記第１層よりも基体から遠い位置に位置する、複数のＡｌ 2 Ｏ 3 粒子を含む第２層とを有する。平均粒径が１．１～１．３μｍの球形のＡｌ 2 Ｏ 3 粒子３質量％を純水に分散させた液体Ａを衝突させることによって得られるエロージョン率において、前記第２層におけるエロージョン率Ａ２と、前記第１層におけるエロージョン率Ａ１との差（Ａ２－Ａ１）が、０．６０～－０．３０μｍ／ｇである。本開示の切削工具は、第１端から第２端に向かって延び、前記第１端側にポケットを有するホルダと、前記ポケットに位置する上述の被覆工具と、を備える。
-
公开(公告)号：WO2019181792A1
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：PCT/JP2019/010877
申请日：2019-03-15
Applicant: 京セラ株式会社
Abstract: 本開示のインサートは、基体と、該基体の表面を被覆する被覆層とを具備する。前記基体は、Ｔｉを含む炭窒化物を含有する硬質相と、Ｃｏを含有する結合相と、を有する。前記基体と前記被覆層との間に、ＣとＴｉとＷとを含有し、Ｃ＞Ｔｉ＞Ｗの関係を満たすＣＴｉＷ化合物が位置している。また、本開示の切削工具は、第１端から第２端に向かって延び、前記第１端側にポケットを有するホルダと、前記ポケットに位置するポケットに位置する上述のインサートとを備える。
-
公开(公告)号：WO2019158669A1
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：PCT/EP2019/053748
申请日：2019-02-14
Applicant: IWIS MOTORSYSTEME GMBH & CO. KG
Inventor： WATZINGER, Bernd , BURGER, Matija
IPC: C23C16/30 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/36 , F16G13/00 , F16G13/02 , F16G13/04 , F16G13/06 , F16G13/08 , C23C28/04 , C23C28/00 , C23C30/00
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Kettenkomponente einer Kette zur Übertragung einer Kraft beschichtet mit einer Hartstoffschicht, die ein Substrat auf Stahlbasis und eine Hartstoffschicht an einer Außenseite des Substrates auf Stahlbasis umfasst, wobei die Hartstoffschicht Metallnitride enthält, und die C-Massekonzentration in der Hartstoffschicht in Richtung zur Außenseite der Hartstoffschicht abnimmt.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
262
records
(took 0.019 seconds)
