公开(公告)号：WO2011009847A2

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：PCT/EP2010/060456

申请日：2010-07-20

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  DEGUET, Chrystel ,  REY, Alain-Marcel ,  SIGNAMARCHEIX, Thomas

Inventor： DEGUET, Chrystel ,  REY, Alain-Marcel ,  SIGNAMARCHEIX, Thomas

IPC: B44F1/04 ,  A44C27/00 ,  H01L21/316 ,  B44C1/22 ,  B32B3/30 ,  B32B17/00

CPC classification number: B44F1/04 ,  A44C27/00

Abstract: Procédé de réalisation d'un dispositif (100) à élément graphique (108), comportant les étapes de : a) réalisation d'un empilement comportant une couche sacrificielle disposée entre un premier substrat et une couche protectrice (106), et un élément graphique (108) réalisé au niveau d'une première face de la couche protectrice opposée à une seconde face de la couche protectrice telle que ladite seconde face soit disposée contre la couche sacrificielle, b) solidarisation dudit empilement avec au moins un second substrat (116) telle que l'élément graphique soit disposé entre le premier substrat et le second substrat, c) désolidarisation de la couche sacrificielle vis-à-vis de la couche protectrice.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造具有显示元件（108）的装置（100）的方法，包括以下步骤：a）产生包括放置在第一基板和保护层（106）之间的牺牲层的堆叠，以及 显示元件（108），其形成在所述保护层的与所述保护层的第二表面相对的第一表面上，使得所述第二表面抵靠所述牺牲层放置，b）用至少一个第二基板（116）固定所述堆叠，使得 显示元件被放置在第一基板和第二基板之间，c）将牺牲层与保护层分离。

公开(公告)号：WO2007045759A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：PCT/FR2006/002332

申请日：2006-10-17

Applicant: S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  ALLIBERT, Frédéric ,  DEGUET, Chrystel ,  RICHTARCH, Claire

Inventor： ALLIBERT, Frédéric ,  DEGUET, Chrystel ,  RICHTARCH, Claire

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: L'invention concerne un procédé de traitement d'une structure comprenant une couche mince de Ge sur un substrat, ladite couche ayant été préalablement collée au substrat, le procédé comprenant un traitement pour améliorer les propriétés électriques de la couche et/ou de l'interface de la couche de Ge avec la couche sous-jacente, caractérisé en ce que ledit traitement est un traitement thermique mis en œuvre à une température comprise entre 5000C et 6000C pendant au maximum 3 heures. L'invention concerne aussi un procédé de réalisation d'une structure comprenant une couche de Ge, le procédé comprenant un collage entre un substrat donneur comportant au moins dans sa partie supérieure une couche mince de Ge et un substrat récepteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : (a) collage du substrat donneur au substrat récepteur de sorte que la couche de Ge se trouve au voisinage de l'interface de collage ; (b) retrait de la partie du substrat donneur ne comprenant pas la couche de Ge ; (c) traitement de la structure comprenant le substrat récepteur et la couche de Ge conformément audit procédé de traitement.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于处理在衬底上包括薄Ge层的结构的方法，所述层已经预先结合到衬底上，该方法包括用于改善Ge层和/或Ge界面的电性能的处理 层与底层。 本发明的特征在于，所述处理是在500℃至600℃之间的温度下实施最多3小时的热处理。 本发明还涉及一种用于制造包括Ge层的结构的方法，所述方法包括将包括至少在其上部的薄Ge层和接收衬底的施主衬底结合，其特征在于，其包括以下步骤：（a） 将施主衬底接合到接收器衬底，使得Ge层位于接合界面附近; （b）消除不包括Ge层的供体衬底的一部分; （c）根据处理方法处理包括接收器基板和Ge层的结构。

公开(公告)号：WO2011009847A3

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：PCT/EP2010060456

申请日：2010-07-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  DEGUET CHRYSTEL ,  REY ALAIN-MARCEL ,  SIGNAMARCHEIX THOMAS

Inventor： DEGUET CHRYSTEL ,  REY ALAIN-MARCEL ,  SIGNAMARCHEIX THOMAS

IPC: B44F1/04 ,  A44C27/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: B44F1/04 ,  A44C27/00

Abstract: The invention relates to a method for manufacturing a device (100) with a display element (108), comprising the following steps: a) creating a stack comprising a sacrificial layer placed between a first substrate and a protective layer (106), and a display element (108) made on a first surface of the protective layer opposite a second surface of the protective layer such that said second surface is placed against the sacrificial layer, b) securing said stack with at least one second substrate (116) such that the display element is placed between the first substrate and the second substrate, c) separating the sacrificial layer from the protective layer.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造具有显示元件（108）的器件（100）的方法，包括以下步骤：a）形成包括放置在第一基板和保护层（106）之间的牺牲层的叠层，以及 在所述保护层的与所述保护层的第二表面相对的第一表面上形成的显示元件（108），使得所述第二表面抵靠所述牺牲层放置，b）将所述叠层与至少一个第二基板（116）固定， 显示元件被放置在第一基板和第二基板之间，c）将牺牲层与保护层分离。

公开(公告)号：WO2010139794A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：PCT/EP2010/057850

申请日：2010-06-04

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  REY, Alain-Marcel ,  DEGUET, Chrystel ,  FREY, Laurent ,  TARDIF, François

Inventor： REY, Alain-Marcel ,  DEGUET, Chrystel ,  FREY, Laurent ,  TARDIF, François

IPC: G02B5/28 ,  G03C7/04 ,  C03C17/00

CPC classification number: G02B5/286 ,  C03C17/34 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/72 ,  G02B5/201 ,  G03F7/0007 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24802

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un substrat coloré ou fluorescent en vue de la formation d'une image colorée ou fluorescente comportant la formation, sur un substrat (10), d'une matrice colorée ou fluorescente, définissant des pixels d'au moins deux couleurs différentes, chaque pixel formant un filtre pour une couleur donnée. Au moins un filtre est un filtre interférentiel ou obtenu avec des particules colorées ou fluorescentes.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于生产彩色或荧光底物的方法，以便形成一种颜色或荧光图像，其包括在基底（10）上形成颜色或荧光矩阵的图形，其定义至少两种不同颜色的像素 像素形成用于预定颜色的滤光器。 至少一个滤光片是用彩色或荧光颗粒获得的干涉滤光片或滤光片。

公开(公告)号：WO2010049654A8

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：PCT/FR2009052091

申请日：2009-10-29

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  SIGNAMARCHEIX THOMAS ,  FOURNEL FRANCK ,  CLAVELIER LAURENT ,  DEGUET CHRYSTEL

Inventor： SIGNAMARCHEIX THOMAS ,  FOURNEL FRANCK ,  CLAVELIER LAURENT ,  DEGUET CHRYSTEL

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: The invention relates to a method for producing a hybrid substrate comprising the following steps: - a first substrate (10) is prepared, comprising a mixed layer extended by an underlying electrically insulating continuous layer (11) and made up of first single-crystal areas (12A) and second adjacent areas (12B) in an amorphous material, said second areas making up at least part of the free surface of said first substrate; a second substrate (20) that comprises, on the surface thereof, a reference layer with a predetermined crystallographic orientation, is bonded to said first substrate by hydrophobic molecular bonding at least onto said amorphous areas; recrystallisation of at least part of the amorphous areas to solid phase is carried out according to the crystallographic orientation of the reference layer, and the two substrates are separated at the bonding interface.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造混合基板的方法，其包括以下步骤： - 制备第一基板（10），其包括由下面的电绝缘连续层（11）延伸并由第一单晶区域 （12A）和第二相邻区域（12B），所述第二区域构成所述第一基板的自由表面的至少一部分; 在其表面上包括具有预定结晶取向的参考层的第二基底（20）通过疏水分子键合至少结合到所述第一基底到所述非晶区上; 根据参考层的晶体取向进行至少部分非晶区至固相的再结晶，并且两个衬底在接合界面分离。

公开(公告)号：WO2010049654A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：PCT/FR2009/052091

申请日：2009-10-29

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  SIGNAMARCHEIX, Thomas ,  FOURNEL, Franck ,  CLAVELIER, Laurent ,  DEGUET, Chrystel

Inventor： SIGNAMARCHEIX, Thomas ,  FOURNEL, Franck ,  CLAVELIER, Laurent ,  DEGUET, Chrystel

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: Un procédé d'élaboration d'un substrat hybride comporte les étapes suivantes : on prépare un premier substrat (10) comportant une couche mixte qui est longée par une couche sous-jacente continue électriquement isolante (11) et qui est formée de premières zones monocristallines (12A) et de secondes zones adjacentes (12B) en un matériau sous forme amorphe, ces secondes zones formant au moins une partie de la surface libre de ce premier substrat; on colle à ce premier substrat, par collage moléculaire hydrophobe sur au moins ces zones amorphes, un second substrat (20) comportant en surface une couche de référence ayant une orientation cristallographique donnée; on provoque la recristallisation en phase solide d'au moins une partie des zones amorphes suivant l'orientation cristallographique de la couche de référence, et on sépare les deux substrats à l'interface de collage.

Abstract translation: 本发明涉及一种制备混合基片的方法，包括以下步骤： - 制备第一基片（10），其包括由下面的电绝缘连续层（11）延伸并由第一单晶区域 （12A）和第二相邻区域（12B），所述第二区域构成所述第一基板的自由表面的至少一部分; 在其表面上包含具有预定晶体取向的参考层的第二基板（20）至少通过疏水分子键结合到所述第一基板到所述非晶区域; 根据参考层的结晶取向进行至少部分非晶区域至固相的再结晶，并且在键合界面分离两个基板。

公开(公告)号：WO2009092799A3

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：PCT/EP2009050785

申请日：2009-01-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  REY ALAIN ,  DEGUET CHRYSTEL ,  VANDROUX LAURENT

Inventor： REY ALAIN ,  DEGUET CHRYSTEL ,  VANDROUX LAURENT

IPC: A44C17/00 ,  A44C27/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: B44C1/00 ,  A44C17/00 ,  A44C27/00 ,  B44C1/22 ,  B44C5/0407

Abstract: Object (100) provided with at least one graphics element, comprising at least one layer (6', 6'') based on at least one metal and etched in a pattern of the graphics element, a first face of said layer being placed facing one face of at least one at least partially transparent substrate (2), a second face, on the opposite side from the first face, of said layer being covered with at least one passivation layer (12') bonded to at least one face of at least one support wafer (20) by direct wafer bonding (molecular adhesion) and forming, with the support wafer, a monolithic structure, and said layer including, at least on the second face, at least one zone (10) based on said metal and on at least one semiconductor.

Abstract translation: 提供有至少一个图形元素的对象（100），包括基于至少一种金属并且以图形元素的图案蚀刻的至少一个层（6'，6“），所述层的第一面被放置成面向 至少一个至少部分透明的基底（2）的一个面，在所述层的与第一面相对的一侧上的第二面被覆盖有至少一个钝化层（12'），所述钝化层（12'）结合到所述层的至少一个面 通过直接晶片结合（分子粘附）形成至少一个支撑晶片（20），并且与支撑晶片一起形成单片结构，并且所述层至少在第二面上包括至少一个区域（10） 金属和至少一个半导体上。

公开(公告)号：WO2007020351A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：PCT/FR2006/001945

申请日：2006-08-11

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  DEGUET, Chrystel ,  CLAVELIER, Laurent ,  DECHAMP, Jérôme

Inventor： DEGUET, Chrystel ,  CLAVELIER, Laurent ,  DECHAMP, Jérôme

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/109

Abstract: Un procédé de report d'une couche mince sur un premier support (18), comprend les étapes suivantes : - fourniture d'une structure comportant une couche (3) dont une partie au moins est issue d'un substrat massif d'un premier matériau et solidaire d'un second support (6, 10) présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui du premier matériau et proche de celui du premier support ; - formation dans la couche (3) d'une zone fragilisée enterrée (14) délimitant la couche mince à reporter ; - collage de la couche (3) solidaire du second support (6, 10) sur le premier support (18) ; - fracture de la couche (3) au niveau de la zone fragilisée (14).

Abstract translation: 本发明涉及一种将薄膜转移到第一支撑件（18）上的方法，包括以下步骤：提供包括膜（3）的结构，其中至少一个部分来自第一材料的固体基底 并且其牢固地连接到具有与第一材料不同的热膨胀系数并且接近于第一支撑件的热膨胀系数的第二支撑件（6,10），在膜（3）内形成脆化区域（14） 限定要转印的薄膜，将固定在第二支撑体（6,10）上的薄膜（3）固定到第一支撑件（18）上，并且在脆化区域（14）处打破薄膜（3） 。

公开(公告)号：WO2012062585A3

公开(公告)日：2012-05-18

申请号：PCT/EP2011/068819

申请日：2011-10-27

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  DRAGIN, Fabienne ,  DEGUET, Chrystel ,  REY, Alain-Marcel

Inventor： DRAGIN, Fabienne ,  DEGUET, Chrystel ,  REY, Alain-Marcel

IPC: B44C1/22

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'une pièce contenant un motif enfoui dont les dimensions sont au plus micrométriques, selon lequel - on prépare des premier et second substrats (11, 11', 12) dont l'un au moins est transparent, au moins une tranchée (13A, 13B, 13A', 13B', 27) étant ménagée dans l'un au moins de ces substrats à partir d'une surface destinée à être collée à l'autre substrat, - on assemble les premier et second substrats par collage par adhésion moléculaire, ladite au moins une tranchée délimitant un volume creux (26, 26', 36, 46) dont la configuration définit le motif enfoui, ce volume creux communiquant avec l'extérieur de l'assemblage des premier et second substrats, puis - on fait circuler au moins temporairement un fluide colorant dans ce volume creux pour en colorer au moins certaines parois.

公开(公告)号：WO2012004250A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：PCT/EP2011/061290

申请日：2011-07-05

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  SOITEC ,  DEGUET, Chrystel ,  BLANC, Nicolas ,  IMBERT, Bruno ,  MOULET, Jean-Sébastien

Inventor： DEGUET, Chrystel ,  BLANC, Nicolas ,  IMBERT, Bruno ,  MOULET, Jean-Sébastien

IPC: H01L41/22

CPC classification number: H01L41/22 ,  H01L41/313 ,  H03H3/02 ,  H03H9/131 ,  Y10T29/42

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure à base d'un matériau piézoélectrique, comportant: a)la réalisation d'un empilement comportant au moins une couche métallique (22) et au moins une couche conductrice (26) sur un substrat en matériau piézoélectrique(20), au moins un contact électrique (31) étant établi entre la couche conductrice (26) et un élément métallique (29) extérieur à l'empilement, b)une implantation ionique et/ou atomique, à travers au moins ladite couche conductrice (26) et la couche métallique (22), c)un report de ce substrat sur un substrat de report (30) puis une fracture de ce substrat piézoélectrique reporté, dans la zone de fragilisation (27).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造压电材料结构的方法，包括：a）在由压电材料制成的衬底（20）上制造包括至少一个金属层（22）和至少一个导电层（26）的叠层体， 至少一个电触头（31）在所述导体层（26）和所述叠层之外的金属元件（29）之间建立; b）通过至少所述导电层（20）和所述金属层（22）注入离子和/或原子; c）将所述衬底转移到转移衬底（30）上，然后在所述弱化区域（27）中压碎所述转移的压电衬底。