Abstract:
The present invention relates to a format of a recordable optical recording medium (8), which is designed in such a way that it has the appearance of a read-only optical recording medium for most players and recorders, and to a method for manufacturing the recordable optical recording medium (8). The optical recording medium (8) has an essentially flat recording layer (82) having a first reflectivity at a wavelength specified for a reading and/or recording light beam (3), which has an alloyed guide track (84) formed of the material of the essentially flat recording layer (82) with a second reflectivity different from the first reflectivity at the specified wavelength.
Abstract:
The optical storage medium comprises a substrate layer, a data layer having a pit/land data structure with data arranged in tracks on the substrate layer, and a nonlinear layer with a super-resolution structure disposed onthe data layer, wherein a land (2TL) having a size below the diffraction limit is inverted to a pit (IL) and enclosed by auxiliary lands (AL), and a pit (2TP) having a size below the diffraction limit is inverted to a land (IP) and enclosed by auxiliary pits (AP). The optical storage medium is in particular a read-only optical disc comprising a phase-change material, for example AgInSbTe, for providing the super-resolution effect.
Abstract:
Dans cet élément, l’une des électrodes de passage de courant du transistor et l’électrode inférieure de la diode forme une couche commune. Selon l’invention, le transistor comprend une zone dite « de contact » (31, 32; 31) en matériau semi-conducteur qui est disposée entre au moins une de ses électrodes de passage du courant (21, 22 ; 81, 32’) et sa zone active (41, 41’) en matériau semi-conducteur, et qui est dopée en élément(s) dopant(s) qui sont donneurs ou accepteurs d’électrons. Selon l’invention, cette même couche de contact sert également soit directement d’électrode inférieure pour la diode, soit de couche intermédiaire d’injection de porteurs pour cette électrode. On simplifie avantageusement la fabrication de tels éléments intégrés.
Abstract:
The optical storage medium according to the invention uses a mask layer (2) as a super resolution near field structure, which comprises a doped semiconductor material. The semiconductor material is n-doped particularly such that the reflectivity of the semiconductor material is increased, when irradiated with a laser beam. As a semiconductor material advantageously an indium alloy and as a doping material selenium or tellurium can be used. For the manufacturing of a respective optical storage medium a sputtering method for depositing the doped semiconductor material as the mask layer can be used, wherein the dopant is included already in the semiconductor sputtering target.
Abstract:
Selon l'invention, l'extracteur est un concentrateur par réflexion ; la section d'entrée de l'extracteur 311 présente une surface supérieure à celle de sa section de sortie 313 ; les parois latérales réfléchissantes 312 de l'extracteur 31 ont une forme adaptée pour qu'il présente un angle dit de coupure θ lim , qui correspond à une longueur d'onde limite λ c.lim de transmission de cet extracteur pour une cavité optique donnée. Appliquée à des panneaux de diodes pour visualisation d'images, l'invention apporte un élargissement des angles de vue et une amélioration de la pureté des couleurs des images visualisées.
Abstract:
Panneau comprenant : - un réseau avant d'électrodes (18) et un réseau arrière d'électrodes (11), - une couche électroluminescente (16) formant, pour chaque cellule, un élément électroluminescent E EL relié à une électrode du réseau avant en A, avec, en parallèle et selon l'invention, un élément de shunt E S.EL , - une couche photoconductrice (12) formant, pour chaque cellule (1), un élément photoconducteur E PC reliée à une électrode du réseau arrière (11) en B, - des moyens de couplage optique entre l'élément électroluminescent (E EL ) et l'élément photoconducteur (E PC ). Grâce au shunt selon l'invention, on améliore sensiblement l'effet mémoire.
Abstract:
Panneau comprenant : - un réseau avant d'électrodes (18) et un réseau arrière d'électrodes (11), - une couche électroluminescente (16) formant, pour chaque cellule, un élément électroluminescent E EL relié à une électrode du réseau avant en A, avec, en parallèle et selon l'invention, un élément de shunt E S.EL , - une couche photoconductrice (12) formant, pour chaque cellule (1), un élément photoconducteur E PC reliée à une électrode du réseau arrière (11) en B, - des moyens de couplage optique entre l'élément électroluminescent (E EL ) et l'élément photoconducteur (E PC ). Grâce au shunt selon l'invention, on améliore sensiblement l'effet mémoire.
Abstract:
A diode comprising an organic light-emitting layer (4) which is arranged between a transparent lower electrode (5) and a transparent upper electrode (3); a dielectric layer (6,2) which is placed in contact with each electrode (5,3) opposite the organic light-emitting layer (4) and adapted in such a way as to obtain maximum reflectivity of emitted light when combined with the electrode (6, 2), Said structure optimizes light extraction and thus light output. Lighting panels or display panels comprising a network of said diodes.
Abstract:
Panneau comprenant une couche électroluminescente (3) intercalée entre une couche opaque d'électrodes réfléchissantes (2) et une couche d'extraction 5 comprenant une matrice transparente (51) incorporant seulement approximativement à moitié des particules transparentes (52), comprenant également une couche transparente d'électrodes (4) intercalée entre la couche électroluminescente (3) et la couche d'extraction (5). De préférence, la taille des particules est supérieure à 1 µ m et inférieur à 20 µ m et la différence d'indice entre les particules et la matrice est inférieure à 0,15. On améliore très sensiblement l'efficacité lumineuse du panneau en évitant les problèmes de chromaticité.
Abstract:
Diode comprenant : - une couche organique électroluminescente (4) intercalée entre une électrode inférieure transparente (5) et une électrode supérieure transparente (3), - une couche diélectrique (6, 2) placée au contact de chaque électrode (5, 3) à l'opposé de la couche organique électroluminescente (4), qui est adaptée pour obtenir, en combinaison avec ladite électrode (6, 2), le maximum de réflectivité de la lumière émise. Une telle structure optimise l'extraction de lumière et, donc, le rendement lumineux. Panneaux d'éclairage ou d'affichage comprenant un réseau de ces diodes.