公开(公告)号：WO2012028727A3

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：PCT/EP2011065229

申请日：2011-09-02

Applicant: SCHOTT SOLAR AG ,  LACHOWICZ AGATA ,  SCHUM BERTHOLD ,  VAAS KNUT

Inventor： LACHOWICZ AGATA ,  SCHUM BERTHOLD ,  VAAS KNUT

IPC: H01L31/0224 ,  C09K13/02 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  C09K13/02 ,  H01L21/30604 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to a method for the wet-chemical etching of a solar cell emitter. According to the invention, in order to be able to perform homogeneous etching, an alkaline etching solution containing at least one oxidizing agent selected from the group comprising peroxodisulphates, peroxomonosulphates and hypochlorite is used as etching solution.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于太阳能电池的发射极的湿化学蚀刻的方法。 为了执行与选自过氧二硫酸盐的至少一种氧化剂的碱性蚀刻溶液，peroxomonosulfates，作为蚀刻液提出的用于次氯酸盐的均匀蚀刻。

公开(公告)号：WO2008029376A2

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：PCT/IB2007/053617

申请日：2007-09-07

Applicant: ENTHONE INC. ,  LACHOWICZ, Agata ,  GLÖCKNER, Andreas

Inventor： LACHOWICZ, Agata ,  GLÖCKNER, Andreas

IPC: C25D5/54 ,  C25D5/56 ,  C25D3/38 ,  H05K3/42

CPC classification number: C25D5/56 ,  C09D5/24 ,  C09D5/4476 ,  C09D5/4484 ,  C25D3/38 ,  H05K3/424 ,  H05K3/427 ,  H05K2201/0329

Abstract: A process is provided for metallizing a surface of a substrate with electrolytically plated copper metallization, the process comprising electrolytically depositing copper over the electrically conductive polymer by immersing the substrate in an electrolytic composition and applying an external source of electrons, wherein the electrolytic composition comprises a source of copper ions and has a pH between about 0.5 and about 3.5. In another aspect, a process is provided for metallizing a surface of a dielectric substrate with electrolytically plated copper metallization, the process comprising immersing the substrate into a catalyst composition comprising a precursor for forming an electrically conductive polymer on the surface of the dielectric substrate and a source of Mn (II) ions in an amount sufficient to provide an initial concentration of Mn (II) ions of at least about 0.1 g/L to form an electrically conductive polymer on the surface of the dielectric substrate, and electrolytically depositing copper over said electrically conductive polymer.

Abstract translation: 提供了一种用电镀铜金属化金属化衬底的表面的方法，该方法包括通过将衬底浸入电解组合物中并施加外部电子源在导电聚合物上电解沉积铜，其中电解组合物包含 铜离子源，pH约在0.5至约3.5之间。 在另一方面，提供了一种用电解铜镀金属化金属化电介质基片的表面的方法，该方法包括将基底浸入包含用于在电介质基底表面上形成导电聚合物的前体的催化剂组合物和 Mn（II）离子源，其量足以提供至少约0.1g / L的Mn（II）离子的初始浓度，以在介电衬底的表面上形成导电聚合物，并在所述电介质衬底的表面上电解沉积铜 导电聚合物。

公开(公告)号：WO2013124394A3

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：PCT/EP2013053515

申请日：2013-02-22

Applicant: FRAUNHOFER GES FORSCHUNG ,  MOSCHNER JENS DIRK ,  NAGEL HENNING ,  LACHOWICZ AGATA ,  FIEDLER MARKUS

Inventor： MOSCHNER JENS DIRK ,  NAGEL HENNING ,  LACHOWICZ AGATA ,  FIEDLER MARKUS

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to a method for producing a solar cell having a substrate made of silicon, which substrate has a silicon oxide layer present on the surface of the substrate and an antireflection layer applied to the silicon oxide layer, which antireflection layer is deposited onto the dielectric passivation layer in a process chamber. According to the invention, in order to achieve a stability of corresponding solar cells or solar cell modules produced therefrom against a potential induced degradation (PID), the dielectric passivation layer is formed from the surface of the substrate in the process chamber by means of a plasma containing an oxidizing gas.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造具有与存在于基片和沉积在该抗反射层上形成氧化硅膜的表面上的现有的硅衬底的太阳能电池沉积在处理室中对介电钝化层的方法。 相应的太阳能电池或针对潜在诱导的降解（PID），以实现由它们的太阳能电池模块的稳定性，提出了在处理室由含有等离子体的氧化性气体而形成从所述衬底的所述表面上的介电钝化层。

公开(公告)号：WO2013017526A3

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/EP2012/064715

申请日：2012-07-26

Applicant: SCHOTT SOLAR AG ,  MOSCHNER, Jens Dirk ,  GASSENBAUER, Yvonne ,  LACHOWICZ, Agata ,  FIEDLER, Markus ,  BLENDIN, Gabriele ,  DRESSLER, Katharina

Inventor： MOSCHNER, Jens Dirk ,  GASSENBAUER, Yvonne ,  LACHOWICZ, Agata ,  FIEDLER, Markus ,  BLENDIN, Gabriele ,  DRESSLER, Katharina

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und eine solche selbst. Die Solarzelle umfasst ein Siliciumsubstrat mit strahlenzugewandter Vorderseite und einer Rückseite, einer entlang der Rückseite verlaufenden ersten dielektrischen Schicht, einer entlang substratabgewandter Seite der ersten dielektrischen Schicht verlaufenden zweiten dielektrischen Schicht bestehend aus einem Material aus der Gruppe Siliciumnitrid, Siliciumoxid, Siliciumoxinitrid sowie einer sich entlang substratabgewandter Seite der zweiten dielektrischen Schicht erstreckenden Metallschicht. Um die Solarzelle mit besonders hohem Wirkungsgrad reproduzierbar mit weniger Prozeßschritten herstellen zu können, wird vorgeschlagen, dass die Rückseite des Substrats einen Glanzwert bei 60° Einstrahlungswinkel unter 80 GU aufweist und dass die erste dielektrische Schicht ortsgebundene negative Ladungen enthält.

公开(公告)号：WO2012143467A2

公开(公告)日：2012-10-26

申请号：PCT/EP2012/057201

申请日：2012-04-19

Applicant: SCHOTT SOLAR AG ,  MEYER, Christine ,  LACHOWICZ, Agata ,  GASSENBAUER, Yvonne ,  BLENDIN, Gabriele ,  MOSCHNER, Jens Dirk

Inventor： MEYER, Christine ,  LACHOWICZ, Agata ,  GASSENBAUER, Yvonne ,  BLENDIN, Gabriele ,  MOSCHNER, Jens Dirk

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02245 ,  H01L31/022458 ,  Y02E10/50

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer MWT-PERC- Solarzelle, bei der Öffnungen im Substrat der Solarzelle durchkontaktiert werden und auf der Rückseite der Solarzelle vorhandene Emitterbereiche durch Diffusion außerhalb der Durchkontaktierung vollständig entfernt werden und auf der Rückseite eine dielektrische Schicht aufgetragen wird. Um beim Entfernen des rückseitig verlaufenden Emitterbereichs den frontseitigen Emitter nicht anzugreifen, wird vorgeschlagen, dass auf der Frontseite eine Opferschicht ausgebildet wird, die beim Ätzen der auf der Rückseite der Solarzellen vorhandenen Emitterbereiche den frontseitigen Emitter schützt und/oder dass beim Abätzen der auf der Rückseite vorhandenen Emitterbereichen ein von der Frontseite her wirkendes Medium der Ätzwirkung des die Öffnungen durchsetzenden Ätzmediums entgegenwirkt.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制备MWT PERC太阳能电池在太阳能电池的基板的开口部接触的和现有的发射极区域通过扩散通过在太阳能电池的背面和一个介电层的背孔施加外部被完全去除的过程 ， 为了不攻击在除去后行驶发射极区域的前侧发射器，它提出了一种在其上保护正面发射蚀刻他们现有的在太阳能电池发射极区域的背面的背面和/或的蚀刻期间的前形成的牺牲层 现有发射极区抵消从穿过该蚀刻介质的开口的腐蚀作用的前侧介质的作用。

公开(公告)号：WO2012143467A3

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/EP2012057201

申请日：2012-04-19

Applicant: SCHOTT SOLAR AG ,  MEYER CHRISTINE ,  LACHOWICZ AGATA ,  GASSENBAUER YVONNE ,  BLENDIN GABRIELE ,  MOSCHNER JENS DIRK

Inventor： MEYER CHRISTINE ,  LACHOWICZ AGATA ,  GASSENBAUER YVONNE ,  BLENDIN GABRIELE ,  MOSCHNER JENS DIRK

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/02245 ,  H01L31/022458 ,  Y02E10/50

Abstract: The invention relates to a method for manufacturing an MWT-PERC solar cell in which holes in the substrate of the solar cell are plated through, emitter regions on the back side of the solar cell are entirely removed using a diffusion process outside the via, and a dielectric layer is applied to the back side. In order not to affect the emitter on the front side when the emitter region on the back side is removed, a sacrificial layer that protects the emitter on the front side when the emitter regions on the back side of the solar cells are etched is formed on the front side, and/or a medium acting from the front side counteracts the etching effect of the etching medium penetrating the holes when the emitter regions on the back side are etched away.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制备MWT PERC太阳能电池在太阳能电池的基板的开口部接触的和现有的发射极区域通过扩散通过在太阳能电池的背面和一个介电层的背孔施加外部被完全去除的过程 ， 为了不攻击在除去后行驶发射极区域的前侧发射器，它提出了一种在其上保护正面发射蚀刻他们现有的在太阳能电池发射极区域的背面的背面和/或的蚀刻期间的前形成的牺牲层 现有发射极区抵消从穿过该蚀刻介质的开口的腐蚀作用的前侧介质的作用。

公开(公告)号：WO2013017526A2

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/EP2012064715

申请日：2012-07-26

Applicant: SCHOTT SOLAR AG ,  MOSCHNER JENS DIRK ,  GASSENBAUER YVONNE ,  LACHOWICZ AGATA ,  FIEDLER MARKUS ,  BLENDIN GABRIELE ,  DRESSLER KATHARINA

Inventor： MOSCHNER JENS DIRK ,  GASSENBAUER YVONNE ,  LACHOWICZ AGATA ,  FIEDLER MARKUS ,  BLENDIN GABRIELE ,  DRESSLER KATHARINA

IPC: H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: The invention relates to a method for producing a solar cell and to such a cell itself. The solar cell comprises a silicon substrate with a front side, facing the radiation, and a rear side, a first dielectric layer, running along the rear side, a second dielectric layer, running along the side of the first dielectric layer that is facing away from the substrate and consisting of a material from the group comprising silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, and a metal layer, extending along the side of the second dielectric layer that is facing away from the substrate. In order to be able to produce the solar cell reproducibly with particularly high efficiency and few process steps, it is proposed that the rear side of the substrate has a gloss value at a 60° irradiation angle of below 80 GU and that the first dielectric layer contains localized negative charges.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造太阳能电池，并且这种自该太阳能电池包括：具有面向辐射前部和后部，沿着第一电介质层的背面延伸的线的硅衬底，沿所述基板侧从所述第一介电层的第二介电层远程延伸的线，其包括 的由氮化硅，氧化硅，氮氧化硅和沿着远离衬底的第二介电层的侧面延伸的金属层组成的组中的材料。 为了制造具有非常高的效率可再现用较少的工艺步骤的太阳能电池中，建议在基板的背面侧具有以入射角小于80 GU的60°角的光泽值，并且所述第一电介质层含有局部负电荷。

公开(公告)号：WO2012028727A2

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/065229

申请日：2011-09-02

Applicant: SCHOTT SOLAR AG ,  LACHOWICZ, Agata ,  SCHUM, Berthold ,  VAAS, Knut

Inventor： LACHOWICZ, Agata ,  SCHUM, Berthold ,  VAAS, Knut

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/18 ,  C09K13/02 ,  H01L21/30604 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum nasschemischen Ätzen eines Emitters einer Solarzelle. Um eine homogene Ätzung durchführen zu können, wird vorgeschlagen, dass als Ätzlösung eine alkalische Ätzlösung mit zumindest einem Oxidationsmittel aus der Gruppe Peroxodisulfate, Peroxomonosulfate, Hypochlorit verwendet wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于太阳能电池的发射体的湿化学蚀刻的方法。 均相BEAR导致K＆ouml ;;估计携带导航用途TZL＆OUML ;;溶液碱性BEAR TZL＆OUML;唱与选自过氧二硫酸盐，peroxomonosulfates中选出的至少一种氧化剂使用时，次氯酸盐可以作为＆AUML提出。

公开(公告)号：WO2012028593A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/064851

申请日：2011-08-30

Applicant: SCHOTT SOLAR AG ,  BLENDIN, Gabriele ,  HORZEL, Joerg ,  LACHOWICZ, Agata ,  SCHUM, Berthold

Inventor： BLENDIN, Gabriele ,  HORZEL, Joerg ,  LACHOWICZ, Agata ,  SCHUM, Berthold

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/2252 ,  H01L31/02 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864 ,  H01L33/08 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ausbilden eines von einer Oberfläche eines waferförmigen Halbleiterbauelements ausgehenden Dotierstoffprofils mit Phosphor als Dotand durch Applizieren einer Phosphordotierstoffquelle auf die Oberfläche, Ausbilden eines ersten Dotierstoffprofils bei auf der Oberfläche vorhandener Dotierstoffquelle, Entfernen der Dotierstoffquelle und Ausbilden eines im Vergleich zu dem ersten Dotierstoffprofil eine grössere Tiefe aufweisenden zweiten Dotierstoffprofils. Um ein optimiertes Dotierstoffprofil auszubilden, wird vorgeschlagen, dass nach Ausbilden des ersten Dotierstoffprofils die Dotierstoffquelle entfernt und selektiv auf oder in der Oberfläche aus der Phase Si x P y und Si x P y O z auskristallisierte Präzipitate entfernt werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于形成由与磷作为通过施加Phosphordotierstoffquelle到表面的掺杂剂的晶片状的半导体器件的掺杂剂的表面上的火灾，在现有的掺杂剂源，在除去掺杂剂源的表面上形成第一掺杂剂和形成比较 具有所述第二掺杂剂的更大的深度的第一掺杂剂。 为了形成一个优化的掺杂剂，它建议，所述掺杂剂源形成所述第一掺杂剂之后，去除和选择性上或在相SixPy SixPyOz和结晶的析出物的表面除去。

公开(公告)号：WO2008029376A3

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：PCT/IB2007053617

申请日：2007-09-07

Applicant: ENTHONE ,  LACHOWICZ AGATA ,  GLOECKNER ANDREAS

Inventor： LACHOWICZ AGATA ,  GLOECKNER ANDREAS

IPC: C25D5/54 ,  C25D3/38 ,  C25D5/56 ,  H05K3/42

CPC classification number: C25D5/56 ,  C09D5/24 ,  C09D5/4476 ,  C09D5/4484 ,  C25D3/38 ,  H05K3/424 ,  H05K3/427 ,  H05K2201/0329

Abstract: A process is provided for metallizing a surface of a substrate with electrolytically plated copper metallization, the process comprising electrolytically depositing copper over the electrically conductive polymer by immersing the substrate in an electrolytic composition and applying an external source of electrons, wherein the electrolytic composition comprises a source of copper ions and has a pH between about 0.5 and about 3.5. In another aspect, a process is provided for metallizing a surface of a dielectric substrate with electrolytically plated copper metallization, the process comprising immersing the substrate into a catalyst composition comprising a precursor for forming an electrically conductive polymer on the surface of the dielectric substrate and a source of Mn (II) ions in an amount sufficient to provide an initial concentration of Mn (II) ions of at least about 0.1 g/L to form an electrically conductive polymer on the surface of the dielectric substrate, and electrolytically depositing copper over said electrically conductive polymer.

Abstract translation: 提供了一种用电镀铜金属化物对衬底表面进行金属化的方法，该方法包括通过将衬底浸入电解质组合物中并施加外部电子源，在导电聚合物上电解沉积铜，其中电解质组合物包含 铜离子的来源并具有约0.5至约3.5的pH。 另一方面，提供了一种利用电解电镀铜金属化对电介质衬底的表面进行金属化的方法，该方法包括将衬底浸入包含用于在电介质衬底的表面上形成导电聚合物的前体的催化剂组合物， 以足以提供至少约0.1g / L的Mn（II）初始浓度的量的Mn（II）离子源以在介电基底的表面上形成导电聚合物，并且在所述介电基底的表面上电解沉积铜 导电聚合物。