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    LASERLICHTQUELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LASERLICHTQUELLE
    4.
    发明申请
    LASERLICHTQUELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LASERLICHTQUELLE 审中-公开
    激光光源及其制造方法的激光光源

    公开(公告)号：WO2009080012A1

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：PCT/DE2008/002127

    申请日：2008-12-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph ,  SCHMID, Wolfgang ,  TAUTZ, Sönke ,  REILL, Wolfgang ,  DINI, Dimitri

    Inventor： LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph ,  SCHMID, Wolfgang ,  TAUTZ, Sönke ,  REILL, Wolfgang ,  DINI, Dimitri

    IPC: H01S5/028 ,  H01S5/22

    CPC classification number: H01S5/1082 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1078 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/02 ,  H01S2301/166

    Abstract: Eine Laserlichtquelle umfasst insbesondere eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einem aktiven Bereich (45) und einer Strahlungsauskoppelfläche (12) mit einem ersten Teilbereich (121) und einem davon verschiedenen zweiten Teilbereich (122), und eine Filterstruktur (5), wobei der aktive Bereich (45) im Betrieb kohärente erste elektromagnetische Strahlung (51) mit einem ersten Wellenlängenbereich und inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung (52) mit einem zweiten Wellenlängenbereich erzeugt, die kohärente erste elektromagnetische Strahlung (51) entlang einer Abstrahlrichtung (90) vom ersten Teilbereich (121) abgestrahlt wird, die inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung (52) vom ersten Teilbereich (121) und vom zweiten Teilbereich (122) abgestrahlt wird, der zweite Wellenlängenbereich den ersten Wellenlängenbereich umfasst und die Filterstruktur (5) die vom aktiven Bereich abgestrahlte inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung (52) entlang der Abstrahlrichtung (90) zumindest teilweise abschwächt.

    Abstract translation: 特别是激光光源包括具有有源区（45）和具有第一部分（121）和不同的第二部分（122）辐射输出（12），和一个滤波器结构（5）的半导体层序列（10），其中所述有源区 （45）被操作为沿着从第一局部区域的辐射（90）的方向上产生相干的第一电磁辐射（51）和具有第二波长范围的第一波长范围内和非相干第二电磁辐射（52），所述相干的第一电磁辐射（51）（121） 被辐射，从所述第一部分（121）和所述第二部分（122）的非相干第二电磁辐射（52）被发射，所述第二波长范围包含所述第一波长范围和滤波器结构（5）从所述有源区的非相干的第二电磁辐射辐射（ 52）沿Abstrahlricht UNG（90）至少部分地衰减。

    OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    5.
    发明申请
    OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    表面发射半导体激光器和方法及其

    公开(公告)号：WO2006002609A1

    公开(公告)日：2006-01-12

    申请号：PCT/DE2005/001066

    申请日：2005-06-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  REILL, Wolfgang

    Inventor： REILL, Wolfgang

    IPC: H01S5/183

    CPC classification number: H01S5/18305 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/024 ,  H01S5/041 ,  H01S5/141

    Abstract: Bei einem oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit einem Halbleiterchip (1), der ein Substrat (2) und eine auf dem Substrat (2) aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (19), die eine strahlungsemittierende aktive Zone (12) umfasst, enthält und einen externen Resonatorspiegel (5), weist das Substrat gemäß der Erfindung eine Ausnehmung (3) auf, und die emittierte Strahlung (6) wird durch die Ausnehmung (3) ausgekoppelt.

    Abstract translation: 在表面发射半导体激光器包括一半导体芯片（1），包括基底（2）和一个基片（2）生长的半导体层序列（19）上，其包括一个发射辐射的有源区（12），和一个外谐振器（5）， 根据本发明的基材中，凹槽（3），并且所发射的辐射（6）通过该凹部耦出（3）。

    LASERLICHTQUELLE
    7.
    发明申请
    LASERLICHTQUELLE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2009080011A3

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：PCT/DE2008/002123

    申请日：2008-12-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  REILL, Wolfgang ,  TAUTZ, Sönke ,  BRICK, Peter ,  STRAUSS, Uwe

    Inventor： REILL, Wolfgang ,  TAUTZ, Sönke ,  BRICK, Peter ,  STRAUSS, Uwe

    IPC: H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/40 ,  H01S5/20

    Abstract: Eine Laserlichtquelle umfasst insbesondere eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer aktiven Schicht mit zumindest zwei aktiven Bereichen (45), die geeignet sind, im Betrieb elektromagnetische Strahlung über eine als Strahlungsauskoppelfläche (12) ausgeführte Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (10) entlang einer Abstrahlrichtung (90) abzustrahlen, jeweils eine elektrische Kontaktfläche (30) über jedem der zumindest zwei aktiven Bereiche (45) auf einer Hauptoberfläche (14) der Halbleiterschichtenfolge (10) und eine Oberflächenstruktur in der Hauptoberfläche (14) der Halbleiterschichtenfolge (10), wobei die zumindest zwei aktiven Bereiche (45) quer zur Abstrahlrichtung (90) zueinander beabstandet in der aktiven Schicht (40) angeordnet sind, jede der elektrischen Kontakt flächen (30) einen ersten Teilbereich (31) aufweist und einen zweiten Teilbereich (32) mit einer sich entlang der Abstrahlrichtung (90) zur Strahlungsauskoppelfläche (12) hin vergrößernden Breite, die Oberflächenstruktur zwischen den zumindest zwei elektrischen Kontakt flächen (30) zumindest eine erste Vertiefung (6) entlang der Abstrahlrichtung (90) sowie zweite Vertiefungen (7) aufweist und die ersten Teilbereiche (31) der elektrischen Kontaktflächen (30) jeweils zwischen zumindest zwei zweiten Vertiefungen (7) angeordnet sind.

    LASER LIGHT SOURCE
    8.
    发明申请
    LASER LIGHT SOURCE 审中-公开
    激光光源

    公开(公告)号：WO2009080011A2

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：PCT/DE2008002123

    申请日：2008-12-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  REILL WOLFGANG ,  TAUTZ SOENKE ,  BRICK PETER ,  STRAUSS UWE

    Inventor： REILL WOLFGANG ,  TAUTZ SOENKE ,  BRICK PETER ,  STRAUSS UWE

    IPC: H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/40

    CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/4031

    Abstract: A laser light source especially comprises a semiconductor layer sequence (10) having an active layer with at least two active zones (45) that are adapted to emit, when operating, electromagnetic radiation via a lateral face of the semiconductor layer sequence (10) along a direction of emission (90), said lateral face being designed as a radiation output surface (12). The laser light source further comprises an electrical contact surface (30) above every of the at least two active zones (45) on a main surface (14) of the semiconductor layer sequence (10) and a surface structure in the main surface (14) of the semiconductor layer sequence (10). The at least two active zones (45) are arranged in the active layer (40) at a right angle to the direction of emission (90) and interspaced from each other. Every electrical contact surface (30) has a first section (31) and a second section (32) which grows wider along the direction of emission (90) towards the radiation output surface (12). The surface structure between the at least two electrical contact surfaces (30) has at least one first recess (6) along the direction of emission (90) and second recesses (7), every first section (31) of the electrical contact surfaces (30) being arranged between at least two second recesses (7).

    Abstract translation: 特别是激光光源包括与具有至少两个活性区域（45），其能够在所述操作电磁辐射通过一个运行的沿放射方向的半导体层序列（10）的辐射输出（12）侧表面的有源层的半导体层序列（10）（90） 辐射，每一个电接触表面（30）在每个所述至少两个有源区（45）上的半导体层序列（10）和在该半导体层序列（10）的主表面（14）的表面结构的一个主表面（14），其中所述至少两种活性 区域（45）横向于所述活性层（40）彼此间隔开的辐射（90）的方向布置，每个所述电接触表面（30）的第一部分（31）和具有沿辐射方向延伸的第二部分（32） （90）朝着辐射输出表面（12）朝着增加的宽度d移动 他所述至少两个电接触表面之间的表面结构（30）至少一个第一凹槽（6）沿辐射（90），第二凹部的方向和（7），并在至少两个第二之间分别电接触区（30）的所述第一子区域（31） 井（7）被安排。

    PHOTODETECTING CHIP AND ITS USE
    10.
    发明申请
    PHOTODETECTING CHIP AND ITS USE 审中-公开
    光电探测器芯片及其用途

    公开(公告)号：WO1998015015A1

    公开(公告)日：1998-04-09

    申请号：PCT/DE1997002249

    申请日：1997-09-30

    Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  ALTHAUS, Hans-Ludwig ,  GRAMANN, Wolfgang ,  REILL, Wolfgang ,  SPÄTH, Werner

    Inventor： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    IPC: H01L31/0232

    CPC classification number: H04B10/40 ,  G02B6/4246

    Abstract: The invention concerns a photodetecting chip, with a photosensitive semiconductor structure (1) on a first main surface(2) of a substrate (3). The material of the substrate (3) is at least semitransparent so that it can detect a beam. The coupling of the beam to be detected (4) is carried through a first front face (10) of the substrate. The substrate (3) has a beam deflecting surface (5) lying inclined with respect to the first main surface (2) of the substrate (3) and deflecting the beam to be detected (4) to the photosensitive semiconductor structure (1).

    Abstract translation: 其中在第一主表面上的光敏半导体结构（1）（2）的基板（3）被布置和所述衬底（3），用于辐射的材料的待检测光检测器芯片是至少部分透明的。 待检测的辐射的耦合（4）由在基板（3）穿过其中的第一端面（10）上进行。 在基板（3）具有一个Strahlungsumlenkfläche（5）倾斜于第一主面（2）的基板（3）和所述辐射的被（4）检测到感光半导体结构（1）朝向偏转。

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