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    外部共振器型発光装置
    1.
    发明申请
    外部共振器型発光装置 审中-公开
    外部谐振器型发光装置

    公开(公告)号：WO2015190570A1

    公开(公告)日：2015-12-17

    申请号：PCT/JP2015/066924

    申请日：2015-06-11

    申请人： 日本碍子株式会社

    发明人： 近藤　順悟 ,  山口　省一郎 ,  江尻　哲也

    IPC分类号： H01S5/14 ,  G02B6/42 ,  H01S5/068

    CPC分类号： H01S5/141 ,  G02B6/42 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1003 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1025 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/14 ,  H01S5/146

    摘要： 光源１が、半導体レーザ光を発振する活性層３を備える。グレーティング素子２Ｂが、半導体レーザ光が入射する入射面７ａと所望波長の出射光を出射する出射部７ｂを有する光導波路７、および光導波路７内に形成された複数の互いに周期の異なるブラッググレーティングＧ１、Ｇ２、Ｇ３を備える。複数のブラッググレーティングの合成反射率の最大値Ｒ ｍａｘ の５０％を半値反射率Ｒ ５０ としたとき、半値反射率Ｒ ５０ が光源の出射端の反射率Ｒ ２ よりも大きく、半値反射率Ｒ ５０ が３％以上であり、合成反射率が半値反射率Ｒ ５０ 以上となる波長領域△λ ５０ が連続して１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下設けられている。

    摘要翻译： 光源（1）设置有使半导体激光束振荡的有源层（3）。 光栅元件（2B）具有：设置有半导体激光束入射的入射面（7a）的光波导（7），从该出射部（7b）出射具有期望波长的出射光; 以及形成在光波导（7）内部并且具有相互不同的周期的多个布拉格光栅（G1，G2，G3）。 当将半值反射率（R50）设定为多个布拉格光栅的组合反射率的最大值（Rmax）的50％时，半值反射率（R50）大于反射率（R2 ），并且至少为3％。 将组合反射率变为至少半值反射率（R50）的波长范围（Δλ50）连续地设置为10-30nm，包括10-30nm。

    外部共振器型発光装置
    2.
    发明申请
    外部共振器型発光装置 审中-公开
    外部谐振器型发光装置

    公开(公告)号：WO2015190569A1

    公开(公告)日：2015-12-17

    申请号：PCT/JP2015/066923

    申请日：2015-06-11

    申请人： 日本碍子株式会社

    发明人： 近藤　順悟 ,  山口　省一郎 ,  江尻　哲也

    IPC分类号： H01S5/14 ,  G02B6/42 ,  H01S5/068

    CPC分类号： H01S5/141 ,  G02B6/42 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1003 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1025 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/14 ,  H01S5/146

    摘要： 外部共振器型発光装置は、半導体レーザ光を発振する光源１、および光源と外部共振器を構成するグレーティング素子２Ａを備える。光源１が、半導体レーザ光を発振する活性層３を備える。グレーティング素子２Ａが、レーザ光が入射する入射面７ａと所望波長の出射光を出射する出射面７ｂを有する光導波路、およびこの光導波路内に形成された複数のブラッググレーティングを備える。

    摘要翻译： 外部谐振器型发光器件具有：使半导体激光束振荡的光源（1）; 以及构成光源的光栅元件（2A）和外部谐振器。 光源（1）设置有使半导体激光束振荡的有源层（3）。 光栅元件（2A）设置有：设置有激光束入射的入射面（7a）的光波导和从所希望的波长出射出射光的出射面（7b）; 以及形成在光波导内的多个布拉格光栅。

    SYSTEMS AND METHODS FOR IMAGING USING A RANDOM LASER
    3.
    发明申请
    SYSTEMS AND METHODS FOR IMAGING USING A RANDOM LASER 审中-公开
    使用随机激光成像的系统和方法

    公开(公告)号：WO2012142595A3

    公开(公告)日：2014-04-24

    申请号：PCT/US2012033807

    申请日：2012-04-16

    申请人： UNIV YALE ,  CAO HUI ,  REDDING BRANDON ,  CHOMA MICHAEL

    发明人： CAO HUI ,  REDDING BRANDON ,  CHOMA MICHAEL

    IPC分类号： H01S3/00

    CPC分类号： H04N5/235 ,  G02B27/48 ,  H01S3/0804 ,  H01S3/10 ,  H01S3/213 ,  H01S5/041 ,  H01S5/10 ,  H04N9/3161

    摘要： Systems and methods are provided for imaging using complex lasers. In general, a complex laser may be used as an electromagnetic source for an imaging application. The use of a lower spatial coherence configured complex laser in imaging applications may advantageously mitigate coherent artifacts in imaging such as cross-talk and speckle and improve overall image quality. Imaging applications where a complex laser may be useful include both incoherent imaging applications, such as digital light projectors and traditional microscopy, and coherent imaging applications, such as optical coherence tomography (OCT) and holography. The systems and methods provided also enable controlling the degree of spatial coherence of a complex laser.

    摘要翻译： 提供了使用复合激光成像的系统和方法。 通常，复合激光器可以用作成像应用的电磁源。 在成像应用中使用配置复杂激光的较低的空间相干性可以有利地减轻成像中的相干伪影，例如串扰和散斑，并提高整体图像质量。 复合激光器可能有用的成像应用包括非相干成像应用，如数字光投影仪和传统显微镜，以及相干成像应用，如光学相干断层扫描（OCT）和全息术。 所提供的系统和方法还能够控制复杂激光器的空间相干性程度。

    METHOD AND APPARATUS FOR LASER PULSE CONTROL
    4.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR LASER PULSE CONTROL 审中-公开
    激光脉冲控制的方法和装置

    公开(公告)号：WO2013017338A1

    公开(公告)日：2013-02-07

    申请号：PCT/EP2012/062209

    申请日：2012-06-25

    申请人： IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED ,  MIDAZ LASERS LIMITED ,  DAMZEN, Michael, J. ,  SHADLOW, Peter

    发明人： DAMZEN, Michael, J. ,  SHADLOW, Peter

    IPC分类号： H01S3/082 ,  H01S3/11

    CPC分类号： H01S3/082 ,  H01S3/08072 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/11 ,  H01S3/115 ,  H01S3/117 ,  H01S3/235 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1032 ,  H01S2301/06

    摘要： A method and apparatus for controlling the amplification of radiation in a laser gain are described. By using the controlling action of a secondary radiation path through the common gain element the gain, as seen by the primary radiation path, can be controlled or limited. In one particularly set of embodiments pertaining to laser pulse control of a laser cavity, a laser system is described that comprises first and second laser cavities each including a common laser gain medium. The first cavity incorporates a modulation element for variation of its cavity loss. A second cavity is employed that has a substantially distinct path or separable cavity mode from that of the first cavity. The laser threshold of the second cavity is set to a value intermediate to the extremes of the threshold for the first cavity, corresponding to the maximum and minimum loss available to the modulation element. As a result a more flexible control of laser pulsing and laser performance control is provided. Other embodiments of this invention allow improvement of laser performance through the control of the amplification of the output of a laser system through an external laser amplifier by utilising a secondary radiation path through the external amplifier.

    摘要翻译： 描述了一种用于控制激光增益中的辐射放大的方法和装置。 通过使用通过公共增益元件的次级辐射路径的控制动作，可以控制或限制如主辐射路径所见的增益。 在关于激光腔的激光脉冲控制的一组特定实施例中，描述了包括第一和第二激光腔的激光系统，每个激光腔包括共同的激光增益介质。 第一腔体包含用于改变其空腔损耗的调制元件。 使用具有与第一腔体基本不同的路径或可分离腔模式的第二腔。 将第二腔的激光阈值设定为与第一腔的阈值的极值相对应的值，对应于调制元件可用的最大和最小损耗。 因此，提供了激光脉冲和激光器性能控制的更灵活的控制。 本发明的其他实施例允许通过利用通过外部放大器的次级辐射路径通过外部激光放大器控制激光系统的输出的放大来提高激光性能。

    KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER
    5.
    发明申请
    KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
    边发射半导体激光器

    公开(公告)号：WO2011051013A1

    公开(公告)日：2011-05-05

    申请号：PCT/EP2010/062416

    申请日：2010-08-25

    申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LAUER, Christian ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

    发明人： LAUER, Christian ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

    IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/042 ,  H01S5/32 ,  H01S5/40

    CPC分类号： H01S5/0655 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/209 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/323 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176 ,  H01S2301/18

    摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (10) angegeben, der einen Wellenleiterbereich (4) aufweist, wobei der Wellenleiterbereich (4) eine erste Wellenleiterschicht (2A), eine zweite Wellenleiterschicht (2B) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (2A) und der zweiten Wellenleiterschicht (2B) angeordnete aktive Schicht (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung (17) aufweist, der Wellenleiterbereich (4) zwischen einer ersten Mantelschicht (1A) und einer dem Wellenleiterbereich (4) in Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers (10) nachfolgenden zweiten Mantelschicht (1B) angeordnet ist, in dem Halbleiterkörper (10) eine Phasenstruktur (6) zur Selektion lateraler Moden der von der aktiven Schicht (3) emittierten Laserstrahlung ausgebildet ist, wobei die Phasenstruktur (6) mindestens eine Ausnehmung (7) umfasst, die sich von einer Oberfläche (5) des Halbleiterkörpers (10) in die zweite Mantelschicht (1B) hinein erstreckt, in die zweite Mantelschicht (1B) mindestens eine erste Zwischenschicht (11) aus einem von dem Halbleitermaterial der zweiten Mantelschicht (1B) verschiedenen Halbleitermaterial eingebettet ist, und sich die Ausnehmung (7) von der Oberfläche (5) des Halbleiterkörpers (10) zumindest teilweise bis in die erste Zwischenschicht (11) erstreckt.

    摘要翻译： 提供了一种边发射半导体激光器包括具有波导区域的半导体主体（10）（4），其中，所述波导区（4）包括第一波导层（2A），第二波导层（2B）与第一波导层之间（2A）和 具有第二波导层（2B）（3）为第二包覆层之下产生激光辐射（17），一个第一包层（1A）和在半导体本体（10）的生长方向的波导区域（4）之间的波导区域（4）布置的有源层 （1B）被布置在所述半导体主体（10），一个相结构（6）（3）形成所发射的激光辐射的有源层的横向模式的选择中，所述相位结构（6）包括（7）延伸的至少一个凹部 从表面（5）在所述第二包覆层（1B）的半导体主体（10）的，延伸到第二Mantelschich 吨第二包层（1B）不同的半导体材料的半导体材料中的一个的（1B）嵌入在至少一个第一中间层（11）和所述凹部（7）的表面（5）的半导体主体（10）至少部分地进入所述的 第一中间层（11）。

    LASER DIODE ELEMENT
    8.
    发明申请
    LASER DIODE ELEMENT 审中-公开
    激光二极管元件

    公开(公告)号：WO2008130223A1

    公开(公告)日：2008-10-30

    申请号：PCT/NL2008/000106

    申请日：2008-04-18

    申请人： TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN ,  HILL, Martin, Terence

    发明人： HILL, Martin, Terence

    IPC分类号： H01S5/34 ,  H01S5/22

    CPC分类号： H01S5/10 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/1046 ,  H01S5/18 ,  H01S5/32391 ,  H01S5/3412

    摘要： The present invention relates to a laser diode element comprising a semiconductor structure embedded in a cladding (34), said semiconductor structure comprising a p-type injection region (36-1) and an n-type injection region (36-2) for injecting current into an active resonator region (37), characterised in that said cladding (34) comprises a conductive material, preferably a metallic material.

    摘要翻译： 本发明涉及一种激光二极管元件，其包括嵌入在包层（34）中的半导体结构，所述半导体结构包括用于注入的p型注入区（36-1）和n型注入区（36-2） 电流进入有源谐振器区域（37），其特征在于，所述包层（34）包括导电材料，优选为金属材料。

    HIGH-INDEX-CONTRAST WAVEGUIDE
    10.
    发明申请
    HIGH-INDEX-CONTRAST WAVEGUIDE 审中-公开
    高指数对比波

    公开(公告)号：WO2007048110A2

    公开(公告)日：2007-04-26

    申请号：PCT/US2006/060077

    申请日：2006-10-19

    申请人： UNIVERSITY OF NOTRE DAME DU LAC ,  HALL, Douglas ,  LIANG, Di

    发明人： HALL, Douglas ,  LIANG, Di

    IPC分类号： H01P3/00

    CPC分类号： G02B6/1223 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2215 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/185

    摘要： Disclosed is an example method to reduce waveguide scattering loss. The method includes forming a waveguide having a sidewall, the waveguide including a group III-V compound semiconductor material, and growing a native oxide on the waveguide to form an index of refraction contrast at the sidewall, the native oxide grown in a controlled Oxygen-enriched water vapor environment to reduce a roughness of the sidewall.

    摘要翻译： 公开了减少波导散射损失的示例性方法。 该方法包括形成具有侧壁的波导，波导包括III-V族化合物半导体材料，并且在波导上生长天然氧化物以在侧壁处形成折射对比度，在受控的氧 - 富集的水蒸汽环境以减少侧壁的粗糙度。