公开(公告)号：WO2017117933A1

公开(公告)日：2017-07-13

申请号：PCT/CN2016/088166

申请日：2016-07-01

申请人： BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. ,  BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.

发明人： DONG, Ruijun ,  CHEN, Dong ,  WANG, Guangquan ,  SUN, Haiwei ,  CHEN, Lili ,  ZENG, Zhihui ,  YU, Lu ,  WU, Jianjie ,  WANG, Qian ,  SUN, Wei ,  CHEN, Huijuan

IPC分类号： G02F1/13357 ,  G02F1/1335 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06

CPC分类号： G02F1/133603 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2202/36 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2202 ,  H01S5/341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4093

摘要： A backlight module (01), which includes at least one quantum wire unit (12). The at least one quantum wire unit (12) is configured to have an effective wire width such that the at least one quantum wire unit (12) is capable of converting electric energy to emit light of a selected wavelength. Each of quantum wire unit (12) comprises a first electrode (10), disposed on a first side of a substrate layer (11); a first buffer layer (120), disposed on a second side of the substrate layer (11); an active layer (121), disposed over the first buffer layer (120); a second buffer layer (122), disposed over the active layer (121); and a second electrode (124) disposed over the second buffer layer (122). Each quantum wire unit (12), along with the substrate layer (11), forms a quantum wire laser generator (20), which is configured such that the active layer (121) emits light upon application of a voltage difference between the first electrode (10) and the second electrode (124).

摘要翻译： 一种背光模块（01），其包括至少一个量子线单元（12）。 所述至少一个量子线单元（12）被配置为具有有效的线宽度，使得所述至少一个量子线单元（12）能够转换电能以发射选定波长的光。 每个量子线单元（12）包括设置在衬底层（11）的第一侧上的第一电极（10）; 第一缓冲层（120），其设置在所述衬底层（11）的第二侧上; 设置在所述第一缓冲层（120）上方的有源层（121）; 设置在所述有源层（121）上方的第二缓冲层（122）; 和设置在第二缓冲层（122）之上的第二电极（124）。 每个量子线单元（12）与衬底层（11）一起形成量子线激光发生器（20），该量子线激光发生器被配置为使得在第一电极（121）和第二电极之间施加电压差时有源层 （10）和第二电极（124）。

公开(公告)号：WO2017081010A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：PCT/EP2016/076986

申请日：2016-11-08

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： BACHMANN, Alexander ,  LAUER, Christian ,  FURITSCH, Michael

IPC分类号： H01S5/042 ,  H01S5/20 ,  H01S5/32

CPC分类号： H01S5/2036 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/18

摘要： Eine Halbleiterlaserdiode weist eine Schichtenfolge auf, die eine Mehrzahl in einer Wachstumsrichtung übereinander angeordneter Schichten umfasst. Die Halbleiterlaserdiode weist eine Spiegelfacette und eine Auskoppelfacette auf, zwischen denen ein sich in eine longitudinale Richtung erstreckender Resonator gebildet ist. Die Schichtenfolge umfasst eine aktive Schicht, in der ein aktiver Bereich ausgebildet ist. Die Schichtenfolge umfasst eine in Wachstumsrichtung oberhalb der aktiven Schicht angeordnete verspannte Schicht.

摘要翻译： 半导体激光二极管具有包括沿彼此的生长方向布置的多个层的层序列。 半导体激光二极管具有镜面和耦合输出面，耦合输出面之间形成沿纵向延伸的谐振器。 层序列包括其中形成有源区的有源层。 层序列包括在有源层上方沿生长方向排列的应变层。

公开(公告)号：WO2017026362A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：PCT/JP2016/072891

申请日：2016-08-04

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 柳ヶ瀬雅司 ,  岩田圭司

IPC分类号： H01S5/022 ,  G02B6/42 ,  H01S5/18

CPC分类号： H01S5/0425 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4239 ,  G02B6/4242 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/866 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/0304 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183

摘要： 面発光素子（１０）は、半導体の基材（２０）と引き回し部材（３０）とを備える。基材（２０）は、光電変換機能を有する光学素子部を備える。基材（２０）には、第１端子電極（２４１）および第２端子電極（２４２）が形成されている。筐体（３０）は、基材（２０）を収容する凹部（３０１）を備える。筐体（３０）には第１接続電極（３１１，３１２）および第２接続電極（３２１，３２２）が形成されている。第１、第２端子電極（２４１，２４２）は、基材（２０）の側面から突出するように形成されている。第１、第２接続電極（３１１，３１２，３２１，３２２）は、筐体（３０）において、凹部（３０１）側に突出するように形成されている。第１端子電極（２４１）と第１接続電極（３１１，３１２）は当接し、第２端子電極（２４２）と第２接続電極（３２１，３２２）は当接している。

摘要翻译： 平面发光元件（10）设置有半导体基材（20）和布线构件（30）。 基材（20）设置有具有光电转换功能的光学元件单元。 第一端子电极（241）和第二端子电极（242）形成在基材（20）上。 壳体（30）设置有用于容纳基材（20）的凹部（301）。 第一连接电极（311,312）和第二连接电极（321,322）形成在壳体（30）上。 第一和第二端子电极（241,242）形成为使得电极从基材（20）的侧表面突出。 第一和第二连接电极（311,312,321,322）形成在壳体（30）上，使得电极突出到凹部（301）侧。 第一端子电极（241）和第一连接电极（311,312）彼此接触，并且第二端子电极（242）和第二连接电极（321,322）彼此接触。

公开(公告)号：WO2016162340A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：PCT/EP2016/057452

申请日：2016-04-05

申请人： DILAS DIODENLASER GMBH

发明人： KELEMEN, Marc ,  HILZENSAUER, Sascha ,  GILLY, Jürgen ,  FRIEDMANN, Patrick ,  BIESENBACH, Jens

IPC分类号： H01S5/042 ,  H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  H01S5/02 ,  H01S5/20

CPC分类号： H01S5/4018 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/92244 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/176

摘要： Die Erfindung betrifft eine monolithische Diodenlaseranordnung (100), umfassend eine Vielzahl von auf einem gemeinsamen Trägersubstrat nebeneinander angeordnete Einzelemitter (101), die jeweils Kontaktfenster (19, 20) zur elektrischen Kontaktierung aufweisen, welche an den jeweiligen Einzelemittern (101) an einer dem Trägersubstrat gegenüberliegenden Vorderseite angeordnet sind. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Diodenlaseranordnung und eine Laservorrichtung mit einersolchen Diodenlaseranordnung.

摘要翻译： 本发明涉及包括多个共同的载体基板上并列设置单个发射器（101）的整体式二极管激光器组件（100），每一个都包括接触窗口（19,20），用于电接触，其中在一个载体基片上的相应的单个发射器（101） 相对的前侧布置。 本发明还涉及一种用于制造这样的二极管激光器阵列的方法，以及具有这样的二极管激光器阵列的激光装置。

公开(公告)号：WO2016152152A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：PCT/JP2016/001661

申请日：2016-03-23

申请人： 日本電信電話株式会社

发明人： 金澤　慈 ,  上田　悠太 ,  尾崎　常祐

IPC分类号： G02F1/015 ,  H01S5/026 ,  H01S5/042

CPC分类号： G02F1/015 ,  G02F2001/0157 ,  H01P5/028 ,  H01S5/026 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06258 ,  H04B3/00 ,  H04B10/503 ,  H04B10/516

摘要： 　高周波特性が向上する高周波伝送線路等を提供すること。高周波伝送線路は、第１導体線路と、第１導体線路と接続される終端抵抗と、終端抵抗と接続される第２導体線路と、第１導体線路、終端抵抗および第２導体線路に対して、所定の距離を隔てて対向配置されるとともに、第２導体線路と接続されるグランド線路とを備え、第１導体線路およびグランド線路は、それぞれ、終端抵抗側に向かって、線路幅が狭くなるように形成される。

摘要翻译： 提供了一种具有改善的高频特性的高频传输线。 该高频传输线配备有：第一导线; 连接到第一导线的端接电阻器; 连接到终端电阻器的第二导线; 以及与第一导体线，终端电阻器和第二导体线路相隔规定距离配置的接地线，并与第二导线连接。 第一导体线和接地线中的每一个形成为使得线宽逐渐朝着终端电阻器侧变窄。

公开(公告)号：WO2016131910A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/EP2016/053442

申请日：2016-02-18

申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

发明人： FRICKE, Jörg ,  DECKER, Jonathan ,  CRUMP, Paul ,  ERBERT, Götz

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/042 ,  H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/50 ,  H01S5/20 ,  H01S5/022

CPC分类号： H01S5/1064 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/50

摘要： Die Laserdiode (10) der Erfindung weist zumindest eine aktive Schicht (12) auf, die innerhalb eines Resonators (14) angeordnet und mit einem Auskoppeleiement (16) wirkverbunden ist und weiterhin zumindest eine Kontaktschicht (18) zum Einkoppeln von Ladungsträgern in die aktive Schicht (12), wobei der Resonator (14) mindestens eine erste Sektion (20) und eine zweite Sektion (22) aufweist, wobei sich die maximale Breite (W1) der aktiven Schicht (12) in der ersten Sektion (20) von der maximalen Breite (W2) der aktiven Schicht (12) in der zweiten Sektion (22) unterscheidet, und Projektion der Kontaktschicht (18) entlang einer ersten sich senkrecht zur aktiven Schicht (12) erstreckenden ersten Achse ( Z 1) sowohl mit der ersten Sektion (20) als auch mit der zweiten Sektion (22) überlappt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die zweite Sektion (22) eine Vielzahl separater Widerstandselemente (24) aufweist, deren spezifischer elektrischer Widerstand größer als der spezifische elektrische Widerstand der Bereiche (26) zwischen benachbarten Widerstandselemente (24) ist, wobei eine Breite (W3) der Widerstandselemente (24) entlang einer Längsachse (X1) der aktiven Schicht (12) kleiner als 20 µm ist und eine Projektion der Widerstandselemente (24) auf die aktive Schicht (12) entlang der ersten Achse (Z1) mit mindestens 10 % der aktiven Schicht (12) überlappt.

摘要翻译： 本发明的激光二极管（10）包括至少一个活性层（12），设置在谐振器（14）内，并且可操作地连接到一个Auskoppeleiement（16）并且还包括至少一个接触层（18）用于注入电荷载流子向活性层 （12），其中，所述谐振器（14）包括至少的一个第一部分（20）和第二部分（22），其中所述有源层的最大宽度（W1）（12）在第一部分（20）的最大 宽度在所述第二部分（22）的不同之处有源层（12）的（W2），并与第一部分中的接触层（18）沿着第一垂直延伸的第一轴（Z1）在有源层（12）的突起（20 （）和与第二部分22）重叠。 根据本发明，提供的是所述第二部分（22）的多个单独的电阻器元件（24），其比电阻比所述区域的相邻电阻元件之间的电阻率（26），（24），大于其中的宽度（W3） 电阻元件（24）沿所述有源层的纵向轴线（X1）（12）小于20微米，和在有源层（12）上的电阻元件（24）的投影沿所述第一轴（Z1）与活性层的至少10％的 （12）重叠。

公开(公告)号：WO2015198377A1

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：PCT/JP2014/066568

申请日：2014-06-23

申请人： 富士通株式会社

发明人： 木村　徳治 ,  山本　剛之 ,  高林　和雅 ,  植竹　理人

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/227

CPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2227 ,  H01S5/227 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34313

摘要： 　第１の導電型の半導体材料により形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に、第１の導電型の半導体材料により形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に形成された導波路層と、前記導波路層の上に形成された第２の導電型の半導体材料により形成された上部クラッド層と、を有し、前記導波路層は、光が導波するコア領域と、前記コア領域の両側において前記コア領域よりも薄く形成されたリブ領域とを有しており、前記コア領域には活性層として量子ドット層が形成されており、前記リブ領域には、前記量子ドット層が形成されていないものであって、前記コア領域の幅が一定のレーザ部と、前記レーザ部に接しているレーザ光のスポットサイズを変換するスポットサイズ変換部とを有しており、前記スポットサイズ変換部は、前記レーザ部に接している側から、スポットサイズ変換部の端部に向かって、前記コア領域の幅が徐々に狭くなっていることを特徴とする。

摘要翻译： 该半导体激光光源的特征在于具有：由第一导电型半导体材料形成的半导体基板; 在半导体衬底上由第一导电型半导体材料形成的下包层; 形成在下包层上的波导层; 以及在所述波导层上由第二导电型半导体材料形成的上部包覆层。 半导体激光光源的特征还在于：波导层具有光引导的芯区域，以及形成为比芯区域的两侧的芯区域薄的肋区域; 在芯区域中形成量子点层作为有源层; 量子点层不形成在肋区域中; 所述半导体激光光源具有固定所述芯部区域的宽度的激光部，以及将所述光斑尺寸转换部与激光部接触的激光的光斑尺寸变换的光点尺寸变换部， 并且在光点尺寸转换部分中，从光斑尺寸转换部分与激光部分接触的一侧，光点尺寸转换部分的光纤芯区域的宽度逐渐减小。

公开(公告)号：WO2015193997A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/JP2014/066194

申请日：2014-06-18

申请人： 富士通株式会社

发明人： 高林　和雅 ,  山本　剛之

IPC分类号： H01S5/14 ,  H01S5/40 ,  H01S3/082

CPC分类号： H01S5/142 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4025 ,  H04J14/02

摘要： 　第１及び第２の利得媒質と、第１、第２及び第３の波長選択フィルタと、第１及び第２のミラーと、を有し、前記第１及び第２の利得媒質の一方の端面より出射される第１及び第２のレーザ光の波長は、異なるものであって、前記第３の波長選択フィルタは、波長に対し周期的に選択光が存在している波長選択フィルタであって、前記第１及び第２の利得媒質の他方の端面には、それぞれ前記第１及び第２の波長選択フィルタの第１の入出力ポートが接続されており、前記第１及び第２の波長選択フィルタの第４の入出力ポートには、それぞれ前記第１及び第２のミラーが接続されており、前記第３の波長選択フィルタの第１及び第２の入出力ポートには、それぞれ前記第１及び第２の波長選択フィルタの第２の入出力ポートが接続されていることを特徴とする。

摘要翻译： 该激光装置的特征在于包含以下内容：第一和第二增益介质; 第一，第二和第三波长选择滤波器; 和第一和第二镜。 所述激光装置的特征还在于：从第一增益介质的一个端面发射的第一激光的波长和从第二增益介质的一个端面发射的第二激光不同; 第三波长选择滤波器选择具有周期性的波长的光; 第一和第二波长选择滤波器的第一I / O端口分别连接到第一和第二增益介质的另一个端面; 第一和第二反射镜分别连接到第一和第二波长选择滤波器的第四I / O端口; 并且第一和第二波长选择滤波器的第二I / O端口分别连接到第三波长选择滤波器的第一和第二I / O端口。

公开(公告)号：WO2015154975A2

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/EP2015056083

申请日：2015-03-23

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： MÜLLER JENS ,  LELL ALFRED ,  STRAUSS UWE

IPC分类号： H01S5/022

CPC分类号： H01S5/02476 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02484 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

摘要： The invention relates to a semiconductor strip laser which, in at least one embodiment, comprises a first semiconductor region (11) of a first conductivity type. Furthermore, the semiconductor strip laser includes a second semiconductor region (13) of a second conductivity type. An active zone (12) for generating laser radiation is located between the semiconductor regions (11, 13). A strip waveguide (3) is formed in the second semiconductor region (13). The strip waveguide (3) is set up for one-dimensional wave guidance along a waveguide direction (L). A first electric contact (41) is located on the first semiconductor region (11), and a second electric contact (43) is located on the second semiconductor region (13). Furthermore, the semiconductor strip laser (1) includes a heat spreader (2) which, at least up to a temperature of 220° C, is dimensionally stably connected to the semiconductor regions (11, 13). The heat spreader (2) has an average thermal conductivity of at least 50 W/mK.

摘要翻译： 在至少一个实施例中，半导体条形激光器包括第一导电类型的第一半导体区域（11）。 此外，半导体条形激光器包括第二导电类型的第二半导体区域（13）。 用于产生激光辐射的有源区（12）位于半导体区（11,13）之间。 在第二半导体区域（13）中形成条形波导（3）。 条形波导（3）被布置成沿波导方向（L）的一维波导。 第一电触点（41）位于第一半导体区域（11）上，第二电触点（43）位于第二半导体区域（13）上。 此外，半导体带状激光器（1）包括散热器（2），该散热器在尺寸上稳定地连接至半导体区域（11,13），至少达到220℃的温度 散热器（2）具有至少50W / mK的平均导热率。

公开(公告)号：WO2015129490A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/JP2015/054005

申请日：2015-02-13

申请人： 国立大学法人京都大学 ,  浜松ホトニクス株式会社

发明人： 廣瀬　和義 ,  渡邉　明佳 ,  黒坂　剛孝 ,  杉山　貴浩 ,  野田　進

IPC分类号： H01S5/18 ,  H01S5/022

CPC分类号： H01S5/105 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/0622 ,  H01S5/0653 ,  H01S5/18 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34353 ,  H01L2924/00014

摘要： 　このレーザ装置における制御回路は、フォトニック結晶レーザ素子の駆動回路を、所定の条件で駆動する。フォトニック結晶レーザ素子から出射されるレーザ光の波長幅は、規格化駆動電流ｋとパルス幅Ｔに依存し、所定の関係を有していることが発見された。この条件を満たせば、複数の波長のレーザ光を制御して出力することが可能となる。

摘要翻译： 使用规定的条件，该激光装置中的控制电路驱动光子晶体激光元件的驱动电路。 发现由所述光子晶体激光元件发射的激光的波长带宽取决于归一化驱动电流（k）和脉冲宽度（T），以便与其呈现规定的关系。 如果满足这个条件，则可以控制和输出多个波长的激光。