公开(公告)号：WO2011093967A3

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/US2010062100

申请日：2010-12-23

Applicant: CALIFORNIA INST OF TECHN ,  ATWATER HARRY A ,  FERRY VIVIAN ,  POLMAN ALBERT ,  SCHROPP RUUD ,  VERSCHUUREN MARC

Inventor： ATWATER HARRY A ,  FERRY VIVIAN ,  POLMAN ALBERT ,  SCHROPP RUUD ,  VERSCHUUREN MARC

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/075 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1226 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: A solar cell includes a nano-scale patterned back contact layer; a spacer layer on the nano-scale patterned back contact layer; a semiconductor layer on the spacer layer; and a light transmissive first electrode on the semiconductor layer.

Abstract translation: 太阳能电池包括纳米级图案化的背接触层; 在纳米尺度图案化的背接触层上的间隔层; 间隔层上的半导体层; 以及半导体层上的透光第一电极。

公开(公告)号：WO2011093967A2

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/US2010/062100

申请日：2010-12-23

Applicant: CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY ,  ATWATER, Harry, A. ,  FERRY, Vivian ,  POLMAN, Albert ,  SCHROPP, Ruud ,  VERSCHUUREN, Marc

Inventor： ATWATER, Harry, A. ,  FERRY, Vivian ,  POLMAN, Albert ,  SCHROPP, Ruud ,  VERSCHUUREN, Marc

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/075 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1226 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: A solar cell includes a nano-scale patterned back contact layer; a spacer layer on the nano-scale patterned back contact layer; a semiconductor layer on the spacer layer; and a light transmissive first electrode on the semiconductor layer.

Abstract translation: 太阳能电池包括纳米级图案化背接触层; 在纳米级图案化背接触层上的间隔层; 在间隔层上的半导体层; 和在半导体层上的透光的第一电极。

公开(公告)号：WO2012165944A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：PCT/NL2011/050601

申请日：2011-09-02

Applicant: UNIVERSITEIT UTRECHT HOLDING B.V. ,  STICHTING VOOR DE TECHNISCHE WETENSCHAPPEN ,  SCHROPP, Ruud Emmanuel Isidore ,  SPEE, Diederick Adrianus ,  RATH, Jatindra Kumar ,  VAN DER WERF, Catharina Henriette Maria

Inventor： SCHROPP, Ruud Emmanuel Isidore ,  SPEE, Diederick Adrianus ,  RATH, Jatindra Kumar ,  VAN DER WERF, Catharina Henriette Maria

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/458 ,  C23C16/48 ,  C23C30/00 ,  H01L51/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/345 ,  B05D1/60 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  C23C16/545 ,  C23C30/00 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/5256 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention provides a process for the production of a multi-layer stack comprising alternating layers of a polymeric material and an inorganic material, the process comprising a first formation process for the formation of a polymeric material layer or an inorganic material layer followed by a second formation process for the formation of the inorganic material layer or the polymeric material layer; wherein the first formation process and the second formation process comprise a hot wire chemical vapour deposition process using a wire at a predetermined wire temperature and a target substrate at a predetermined substrate temperature; wherein when the formation process comprises the formation of the polymeric material layer, the predetermined wire temperature is at maximum 230 °C; and wherein when the formation process comprises formation of the inorganic material layer, the predetermined substrate temperature is at maximum 110 °C. The invention also provides a device with such multi-layer stack.

Abstract translation: 本发明提供了一种生产包含聚合物材料和无机材料的交替层的多层堆叠的方法，该方法包括用于形成聚合材料层或无机材料层的第一形成方法，随后是第二层 用于形成无机材料层或聚合材料层的形成方法; 其中所述第一形成工艺和所述第二形成工艺包括在预定焊丝温度下使用焊丝的热线化学气相沉积工艺和在预定衬底温度下的目标衬底; 其中当形成工艺包括聚合材料层的形成时，预定的焊丝温度最高为230℃; 并且其中当所述形成工艺包括无机材料层的形成时，所述预定的衬底温度在最大值110℃。 本发明还提供了一种具有这种多层堆叠的装置。