公开(公告)号：WO2009144228A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：PCT/EP2009/056385

申请日：2009-05-26

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  SOUBIE, Alain ,  BRUN, Jean ,  DURAND, Catherine

Inventor： SOUBIE, Alain ,  BRUN, Jean ,  DURAND, Catherine

IPC: G01N31/22 ,  G01N21/78

CPC classification number: G01N31/22 ,  G01N21/78 ,  Y10T436/153333

Abstract: L' invention a trait à un procédé de détermination de la présence ou de l'absence d'au moins une substance chimique dans un milieu liquide comprenant une étape de mise en contact dudit milieu liquide avec un dispositif comprenant au moins un substrat, recouvert, en tout ou partie sur au moins une de ses faces, par au moins une couche comprenant un matériau apte à être dégradé en tout ou partie par ladite substance chimique, ledit matériau étant choisi parmi les métaux, les alliages métalliques, les oxydes métalliques.

Abstract translation: 本发明涉及一种确定液体介质中至少一种化学物质的存在或不存在的方法，其包括使所述液体介质与包含至少一个底物的装置接触的步骤，所述装置完全或部分地覆盖在至少一个 其表面具有至少一层，其包含可以被所述化学物质完全或部分降解的材料，所述材料选自金属，金属合金和金属氧化物。

公开(公告)号：WO2009092794A2

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/EP2009/050779

申请日：2009-01-23

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  REY, Alain-Marcel ,  CLERC, Jean-Frédéric ,  SOUBIE, Alain ,  VANDROUX, Laurent

Inventor： REY, Alain-Marcel ,  CLERC, Jean-Frédéric ,  SOUBIE, Alain ,  VANDROUX, Laurent

IPC: A44C17/00 ,  A44C27/00 ,  H01L21/316 ,  B44C1/00 ,  B44C1/22 ,  B32B7/04

CPC classification number: G02B5/1857 ,  A44C15/004 ,  B44C1/04 ,  B44C1/228 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/24868

Abstract: Objet (100) muni d au moins un élément graphique, comportant au moins un substrat (2) au moins partiellement transparent dont au moins une face comprend des creux formant un motif de l élément graphique remplis par au moins un matériau (14', 14'' ), ladite face du substrat étant solidarisée à au moins une face d au moins un support (20) par adhésion moléculaire, le substrat et le support formant une structure monolithique.

Abstract translation: 一种提供有至少一个图形元件的物体（100），其包括至少一个至少部分透明的基板（2），其至少一个面包括形成团块图案的空心。 图形元素填充有至少一种材料（14'，14“），所述衬底侧被固化; 至少一个支撑物（20）的至少一侧通过分子粘附，所述基底和所述支撑物形成整体结构。

公开(公告)号：WO2002083387A1

公开(公告)日：2002-10-24

申请号：PCT/FR2002/001253

申请日：2002-04-10

Applicant: S.O.I.TEC. SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  MARTINEZ, Muriel ,  BARGE, Thierry ,  SOUBIE, Alain ,  LAGAHE, Chrystelle

Inventor： MARTINEZ, Muriel ,  BARGE, Thierry ,  SOUBIE, Alain ,  LAGAHE, Chrystelle

IPC: B28D5/00

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/0023 ,  B28D5/0064 ,  B28D5/0082 ,  Y10S156/921 ,  Y10T83/7607 ,  Y10T83/7667 ,  Y10T156/1142 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1967 ,  Y10T156/1983

Abstract: L'invention concerne selon un premier aspect un dispositif (50) de coupe automatique de haute précision d'une couche de matériau qui est solidaire d'un substrat source par l'intermédiaire d'une zone fragilisée, le substrat source et la couche à couper formant un ensemble à couple, le dispositif comprenant des moyens de coupe (531, 532) ainsi que des moyens (510) de maintien de la position de l'ensemble à couper, caractérisé en ce que les moyens de coupe comprennent une lame pour attaquer l'ensemble à couper. Selon un deuxième aspect, l'invention concerne également un procédé de mise en oeurve d'un tel dispositif.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过脆化区域自动高精度地切割连接到基底源的材料的装置（40），所述源基底和层形成待切割的组，所述装置包括切割 除了用于保持待切割的组件的位置的装置（510）之外的装置（531,532），其特征在于，所述切割装置包括作用在要被切割的组件上的叶片。 本发明还涉及一种使用所述装置的方法。

公开(公告)号：WO2009092794A3

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/EP2009050779

申请日：2009-01-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  REY ALAIN-MARCEL ,  CLERC JEAN-FREDERIC ,  SOUBIE ALAIN ,  VANDROUX LAURENT

Inventor： REY ALAIN-MARCEL ,  CLERC JEAN-FREDERIC ,  SOUBIE ALAIN ,  VANDROUX LAURENT

IPC: A44C17/00 ,  A44C27/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: G02B5/1857 ,  A44C15/004 ,  B44C1/04 ,  B44C1/228 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/24868

Abstract: Object (100) provided with at least one graphics element, comprising at least one at least partially transparent substrate (2), at least one face of which includes recesses forming a pattern of the graphics element which are filled with at least one material (14', 14''), said face of the substrate being bonded to at least one face of at least one support wafer (20) by direct wafer bonding (molecular adhesion), the substrate and the support wafer forming a monolithic structure.

Abstract translation: 具有至少一个图形元件的对象（100）包括至少一个至少部分透明的基板（2），其至少一个面包括形成图形元件的图案的凹部，所述图案填充有至少一种材料（14） '，14“），所述基板的所述表面通过直接晶片结合（分子粘合）被结合到至少一个支撑晶片（20）的至少一个表面，所述基板和支撑晶片形成整体结构。

公开(公告)号：WO2005096369A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：PCT/IB2005/001064

申请日：2005-03-30

Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  MAUNAND TUSSOT, Corinne ,  MALEVILLE, Christophe ,  MORICEAU, Hubert ,  SOUBIE, Alain

Inventor： MAUNAND TUSSOT, Corinne ,  MALEVILLE, Christophe ,  MORICEAU, Hubert ,  SOUBIE, Alain

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: The invention relates to a method for preparing an oxidised surface of a wafer for bonding with another wafer, the oxidised surface having been subject to an implantation of atomic species, the method including a first step of cleaning the oxidised surface by employing NH 4 OH and H 2 O 2 , and a second step of cleaning by employing hydrochloric species (HCI), wherein the first step is implemented so as to etch from about 10 Å to about 120 Å, and wherein the second step is implemented at a selected temperature below around 50°C during about 10 minutes or less.

Abstract translation: 本发明涉及一种制备用于与另一晶片接合的晶片的氧化表面的方法，所述氧化表面已经经受原子物质的注入，所述方法包括通过使用NH 4 OH和H 2 O 2清洁氧化表面的第一步骤， 以及通过使用盐酸物质（HCl）进行清洁的第二步骤，其中第一步骤被实施为蚀刻从大约至大约为120埃，并且其中第二步骤在低于约50℃的选定温度下实施 约10分钟或更短。