公开(公告)号：WO2009118353A3

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：PCT/EP2009053539

申请日：2009-03-25

Applicant: ATMEL ROUSSET SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  DUFOURCQ JOEL ,  VANDROUX LAURENT ,  MUR PIERRE ,  BODNAR SYLVIE

Inventor： DUFOURCQ JOEL ,  VANDROUX LAURENT ,  MUR PIERRE ,  BODNAR SYLVIE

IPC: C30B25/00 ,  C23C16/56 ,  C30B29/52 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/56 ,  H01L29/42332

Abstract: A method of forming a device includes forming protective shells about metallic nanocrystals supported by a substrate. The metallic nanocrystals having protective shells are encapsulated with a layer formed with process parameters that are not compatible with the integrity of unprotected metallic nanocrystals. The nanocrystals can be out Ni, Pt, Ag, or W with a shell of SiO2.

Abstract translation: 形成器件的方法包括：形成围绕由衬底支撑的金属纳米晶体的保护壳。 具有保护壳的金属纳米晶体被封装有与不受保护的金属纳米晶体的完整性不相容的工艺参数形成的层。 纳米晶体可以出现具有SiO 2壳的Ni，Pt，Ag或W。

公开(公告)号：WO2009092799A3

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：PCT/EP2009050785

申请日：2009-01-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  REY ALAIN ,  DEGUET CHRYSTEL ,  VANDROUX LAURENT

Inventor： REY ALAIN ,  DEGUET CHRYSTEL ,  VANDROUX LAURENT

IPC: A44C17/00 ,  A44C27/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: B44C1/00 ,  A44C17/00 ,  A44C27/00 ,  B44C1/22 ,  B44C5/0407

Abstract: Object (100) provided with at least one graphics element, comprising at least one layer (6', 6'') based on at least one metal and etched in a pattern of the graphics element, a first face of said layer being placed facing one face of at least one at least partially transparent substrate (2), a second face, on the opposite side from the first face, of said layer being covered with at least one passivation layer (12') bonded to at least one face of at least one support wafer (20) by direct wafer bonding (molecular adhesion) and forming, with the support wafer, a monolithic structure, and said layer including, at least on the second face, at least one zone (10) based on said metal and on at least one semiconductor.

Abstract translation: 提供有至少一个图形元素的对象（100），包括基于至少一种金属并且以图形元素的图案蚀刻的至少一个层（6'，6“），所述层的第一面被放置成面向 至少一个至少部分透明的基底（2）的一个面，在所述层的与第一面相对的一侧上的第二面被覆盖有至少一个钝化层（12'），所述钝化层（12'）结合到所述层的至少一个面 通过直接晶片结合（分子粘附）形成至少一个支撑晶片（20），并且与支撑晶片一起形成单片结构，并且所述层至少在第二面上包括至少一个区域（10） 金属和至少一个半导体上。

公开(公告)号：WO2009118353A2

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/EP2009/053539

申请日：2009-03-25

Applicant: ATMEL ROUSSET SAS ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  DUFOURCQ, Joel ,  VANDROUX, Laurent ,  MUR, Pierre ,  BODNAR, Sylvie

Inventor： DUFOURCQ, Joel ,  VANDROUX, Laurent ,  MUR, Pierre ,  BODNAR, Sylvie

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/52 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/56 ,  H01L29/42332

Abstract: A method of forming a device includes forming protective shells about metallic nanocrystals supported bya substrate. The metallic nanocrystals having protective shells are encapsulated with a layer formed with process parameters that are not compatible with the integrity of unprotected metallic nanocrystals.

Abstract translation: 一种形成器件的方法包括：在由衬底支撑的金属纳米晶体上形成保护壳。 具有保护壳的金属纳米晶体被封装有与不受保护的金属纳米晶体的完整性不相容的工艺参数形成的层。

公开(公告)号：WO2009092794A3

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/EP2009050779

申请日：2009-01-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  REY ALAIN-MARCEL ,  CLERC JEAN-FREDERIC ,  SOUBIE ALAIN ,  VANDROUX LAURENT

Inventor： REY ALAIN-MARCEL ,  CLERC JEAN-FREDERIC ,  SOUBIE ALAIN ,  VANDROUX LAURENT

IPC: A44C17/00 ,  A44C27/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: G02B5/1857 ,  A44C15/004 ,  B44C1/04 ,  B44C1/228 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/24868

Abstract: Object (100) provided with at least one graphics element, comprising at least one at least partially transparent substrate (2), at least one face of which includes recesses forming a pattern of the graphics element which are filled with at least one material (14', 14''), said face of the substrate being bonded to at least one face of at least one support wafer (20) by direct wafer bonding (molecular adhesion), the substrate and the support wafer forming a monolithic structure.

Abstract translation: 具有至少一个图形元件的对象（100）包括至少一个至少部分透明的基板（2），其至少一个面包括形成图形元件的图案的凹部，所述图案填充有至少一种材料（14） '，14“），所述基板的所述表面通过直接晶片结合（分子粘合）被结合到至少一个支撑晶片（20）的至少一个表面，所述基板和支撑晶片形成整体结构。

公开(公告)号：WO2012028792A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/FR2011/000483

申请日：2011-08-31

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  DI CIOCCIO, Léa ,  VANDROUX, Laurent

Inventor： DI CIOCCIO, Léa ,  VANDROUX, Laurent

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

Abstract: Pour éviter les problèmes d'hydrolyse de l'oxyde de silicium formé par PECVD à la surface d'au moins une plaque, il est proposé de recouvrir, dans l'enceinte de dépôt sous vide utilisée pour le dépôt de l'oxyde de silicium, ledit oxyde par une couche de protection temporaire comprenant de l'azote. La couche de protection protège, ainsi, l'oxyde de silicium contre l'environnement extérieur et notamment de l'humidité, lorsque la plaque munie de l'oxyde de silicium est stockée hors de l'enceinte de dépôt sous vide. La couche de protection est, par la suite retirée, par exemple par polissage mécano-chimique, juste avant la mise en contact des deux plaques. La couche de protection peut être formée par un dépôt PECVD de nitrure de silicium, par nitruration plasma ou dopage en azote d'une partie superficielle de l'oxyde de silicium.

Abstract translation: 为了防止在至少一个板的表面上由PECVD形成的氧化硅的水解问题，本发明涉及在用于沉积氧化硅的真空沉积室内，用包括氮的临时保护层覆盖所述氧化物 。 因此，当设置有氧化硅的板被存储在真空沉积室外时，保护层因此保护氧化硅免受外部环境，特别是湿气的影响。 随后，在两块板接触之前，例如通过化学机械抛光除去保护层。 可以通过等离子体增强的氮化硅化学气相沉积（PEVCD）通过等离子体氮化或氮掺杂氧化硅的表面部分来形成保护层。

公开(公告)号：WO2009092799A2

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/EP2009/050785

申请日：2009-01-23

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  REY, Alain ,  DEGUET, Chrystel ,  VANDROUX, Laurent

Inventor： REY, Alain ,  DEGUET, Chrystel ,  VANDROUX, Laurent

IPC: A44C17/00 ,  A44C27/00 ,  H01L21/316 ,  B44C1/00 ,  B44C1/22 ,  B32B7/04

CPC classification number: B44C1/00 ,  A44C17/00 ,  A44C27/00 ,  B44C1/22 ,  B44C5/0407

Abstract: Objet (100) muni d'au moins un élément graphique, comportant au moins une couche (6', 6'') à base d'au moins un métal et gravée selon un motif de l'élément graphique, une première face de ladite couche étant disposée en regard d'une face d'au moins un substrat (2) au moins partiellement transparent, une seconde face, opposée à la première face, de ladite couche étant recouverte par au moins une couche de passivation (12') solidarisée à au moins une face d'au moins un support (20) par adhésion moléculaire et formant, avec le support, une structure monolithique, et ladite couche comportant, au moins au niveau de la seconde face, au moins une zone (10) à base dudit métal et d'au moins un semi-conducteur.

Abstract translation: 具有至少一个图形元件的对象（100），包括至少一个基于至少一种金属并以图形元素的图案蚀刻的层（6'，6“），所述层的第一面朝向 至少一个至少部分透明的基板（2）的一个面，在所述层的与第一面相对的一侧上的第二面被覆盖有至少一个钝化层（12'），该钝化层 至少一个支撑晶片（20），通过直接晶片结合（分子粘合）并与支撑晶片一体形成整体结构，并且所述层至少在第二面上包括至少一个区域（10），基于所述 金属和至少一个半导体。

公开(公告)号：WO2009092794A2

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/EP2009/050779

申请日：2009-01-23

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  REY, Alain-Marcel ,  CLERC, Jean-Frédéric ,  SOUBIE, Alain ,  VANDROUX, Laurent

Inventor： REY, Alain-Marcel ,  CLERC, Jean-Frédéric ,  SOUBIE, Alain ,  VANDROUX, Laurent

IPC: A44C17/00 ,  A44C27/00 ,  H01L21/316 ,  B44C1/00 ,  B44C1/22 ,  B32B7/04

CPC classification number: G02B5/1857 ,  A44C15/004 ,  B44C1/04 ,  B44C1/228 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/24868

Abstract: Objet (100) muni d au moins un élément graphique, comportant au moins un substrat (2) au moins partiellement transparent dont au moins une face comprend des creux formant un motif de l élément graphique remplis par au moins un matériau (14', 14'' ), ladite face du substrat étant solidarisée à au moins une face d au moins un support (20) par adhésion moléculaire, le substrat et le support formant une structure monolithique.

Abstract translation: 一种提供有至少一个图形元件的物体（100），其包括至少一个至少部分透明的基板（2），其至少一个面包括形成团块图案的空心。 图形元素填充有至少一种材料（14'，14“），所述衬底侧被固化; 至少一个支撑物（20）的至少一侧通过分子粘附，所述基底和所述支撑物形成整体结构。

公开(公告)号：WO2012028793A2

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/FR2011/000484

申请日：2011-08-31

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  VANDROUX, Laurent ,  DI CIOCCIO, Léa ,  GUEGUEN, Pierric

Inventor： VANDROUX, Laurent ,  DI CIOCCIO, Léa ,  GUEGUEN, Pierric

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/98 ,  H01L23/00 ,  C09J5/02 ,  C23C4/04

CPC classification number: H01R43/02 ,  C09J2205/31 ,  C09J2400/163 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/185 ,  H01L21/2007 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/05688 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/05552

Abstract: Un procédé de collage entre une première surface (1) munie d'au moins une zone en cuivre (3) entourée d'une zone en oxyde de silicium (4) et une seconde surface (1') comprend une opération de traitement de la première surface (1) par plasma, avant la mise en contact de la première surface (1) avec la seconde surface (V). Le plasma est formé à partir d'une source gazeuse contenant un agent de nitruration de l'oxyde de silicium et un agent réducteur de l'oxyde de cuivre à base d'hydrogène. La source gazeuse peut comporter un mélange gazeux N2 et NH3 et/ou H2 ou bien un mélange gazeux N2O et H2 ou bien encore de l'ammoniac qui joue alors à la fois le rôle d'agent de nitruration et celui d'agent réducteur. Le plasma obtenu à partir de cette source gazeuse comprend alors nécessairement de l'azote et de l'hydrogène, ce qui permet, en une seule opération, d'assurer un collage performant entre les première et seconde surfaces (1,1').

Abstract translation:

程序d＆oacute; 在设置有由氧化硅区（4）围绕的至少一个铜区（3）和第二表面（1'）的第一表面（1）之间的结合包括操作 用于在使所述第一表面（1）与所述第二表面（V）接触之前通过等离子体处理所述第一表面（1）。 等离子体形成＆o; ＆Agrave; 来自含有氧化硅和氧化铜还原剂的氮化剂的气体源; 氢碱。 气体源可以包括气态混合物N 2和NH 3和/或H 2或气态混合物N 2 O和H 2或氨，然后用作气态混合物。 氮化剂耙子和还原剂都倾斜。 获得的血浆 从这个气体源接着包括氮气和氢气，这使得可以在单一操作中确保第一和第二表面（1,2， 1“）。

公开(公告)号：WO2009124921A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：PCT/EP2009/054115

申请日：2009-04-07

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  DI CIOCCIO, Léa ,  GROSSI, François ,  GUEGUEN, Pierric ,  VANDROUX, Laurent

Inventor： DI CIOCCIO, Léa ,  GROSSI, François ,  GUEGUEN, Pierric ,  VANDROUX, Laurent

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/90 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83141 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

Abstract: L' invention concerne un procédé de formation, en surface d'un substrat (2), d'au moins une zone d'attache hydrophile (12) en vue d'un auto-assemblage d'un composant ou d'une puce (3), dans lequel on réalise une zone hydrophobe (20), qui délimite ladite zone d'attache hydrophile.

Abstract translation: 本发明涉及一种在基材（2）的表面上形成至少一个亲水附着区（12），用于自组装组件或芯片（3）的方法，其中疏水区（ 20），其限定所述亲水性附着区。

公开(公告)号：WO2009118354A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/EP2009/053540

申请日：2009-03-25

Applicant: ATMEL ROUSSET SAS ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  DUFOURCQ, Joel ,  VANDROUX, Laurent ,  MUR, Pierre ,  BODNAR, Sylvie

Inventor： DUFOURCQ, Joel ,  VANDROUX, Laurent ,  MUR, Pierre ,  BODNAR, Sylvie

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7881 ,  Y10T428/256

Abstract: A device and method include forming a mask on a substrate supporting a plurality of metallic nanocrystals such that a portion of the metallic nanocrystals is exposed. Protective shells are formed about the exposed metallic nanocrystals. Unprotected metallic nanocrystals are removed.

Abstract translation: 一种器件和方法包括在支撑多个金属纳米晶体的衬底上形成掩模，使得一部分金属纳米晶体暴露。 围绕暴露的金属纳米晶体形成保护壳。 去除未保护的金属纳米晶体。